意法半導體MasterGaN系列新增優(yōu)化的非對稱(chēng)拓撲產(chǎn)品
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基于MasterGaN?平臺的創(chuàng )新優(yōu)勢，意法半導體推出了 MasterGaN2 ，作為新系列雙非對稱(chēng)氮化鎵(GaN)晶體管的首款產(chǎn)品，是一個(gè)適用于軟開(kāi)關(guān)有源鉗位反激拓撲的GaN集成化解決方案。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202101/422180.htm兩個(gè)650V常關(guān)型GaN晶體管的導通電阻 (RDS(on))分別是150mΩ和225mΩ，每個(gè)晶體管都集成一個(gè)優(yōu)化的柵極驅動(dòng)器，使GaN晶體管像普通硅器件一樣便捷易用。集成了先進(jìn)的驅動(dòng)功能和GaN本身固有性能優(yōu)勢，MasterGaN2可進(jìn)一步提升有源鉗位反激式變換器等拓撲電路的高能效、小體積和輕量化優(yōu)勢。
MasterGaN電力系統級封裝(SiP)系列在同一封裝中整合兩個(gè)GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)和配套的高壓柵極驅動(dòng)器，并內置了所有的必備的保護功能。設計人員可以輕松地將霍爾傳感器和DSP、FPGA或微控制器等外部設備直連MasterGaN器件。輸入兼容3.3V-15V邏輯信號，有助于簡(jiǎn)化電路設計和物料清單，允許使用更小的電路板，并簡(jiǎn)化產(chǎn)品安裝。這種集成方案有助于提高適配器和快充充電器的功率密度。
GaN技術(shù)正在推進(jìn)USB-PD適配器和智能手機充電器向快充方向發(fā)展。意法半導體的MasterGaN器件可使這些充電器縮小體積80％，減重70％，而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。
內置保護功能包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅動(dòng)器互鎖、專(zhuān)用關(guān)閉引腳和過(guò)熱保護。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應用優(yōu)化的封裝，高低壓焊盤(pán)之間的爬電距離超過(guò)2mm。
MasterGaN2 現已量產(chǎn)。
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