華潤微電子參與項目獲江蘇省科學(xué)技術(shù)一等獎

近日，江蘇省人民政府發(fā)布了《關(guān)于2019年度江蘇省科學(xué)技術(shù)獎勵的決定》，全省共有273個(gè)項目獲獎，其中一等獎45項。華潤微電子有限公司代工事業(yè)群旗下的無(wú)錫華潤上華科技有限公司（“華潤上華”）參與的“智能功率驅動(dòng)芯片設計及制備的關(guān)鍵技術(shù)與應用”項目獲得江蘇省科學(xué)技術(shù)一等獎。

該項目由東南大學(xué)、無(wú)錫華潤上華科技有限公司、無(wú)錫芯朋微電子股份有限公司、無(wú)錫新潔能股份有限公司四家單位合作完成。四家完成單位通過(guò)長(cháng)期深度合作，從高低壓兼容工藝技術(shù)、抗瞬時(shí)電沖擊電路技術(shù)、低損耗功率器件技術(shù)及高功率密度集成互聯(lián)技術(shù)等四方面，開(kāi)展了從機理探索、創(chuàng )新發(fā)明到集成應用的系列研究，構建了智能功率驅動(dòng)芯片的完整技術(shù)鏈，實(shí)現了芯片的自主設計與制備，打破了國際壟斷。項目核心技術(shù)已授權美國專(zhuān)利8項、中國發(fā)明專(zhuān)利118項(四家完成單位合計)；該項目技術(shù)成果總體處于國際先進(jìn)水平，其中在600V~1000V多電位浮置襯底高低壓兼容技術(shù)、抗瞬時(shí)電沖擊電路技術(shù)方面達到國際領(lǐng)先水平。

在該項目中，華潤上華首創(chuàng )了基于P-Sub/P-Epi的600V-1000V多電位浮置襯底高低壓兼容工藝平臺，發(fā)明了雙條狀N阱輔助耗盡Divided-RESURF隔離結構和低損耗“U-shape”溝道600V SOI-LIGBT功率器件。該技術(shù)平臺在為公司各類(lèi)高可靠的智能功率驅動(dòng)芯片產(chǎn)品提供工藝技術(shù)支持的同時(shí)，為多家國內外公司提供量產(chǎn)代工。 華潤微電子代工事業(yè)群總經(jīng)理蘇巍表示：“集成電路國產(chǎn)化蘊含著(zhù)巨大的機會(huì )，華潤微電子在支持公司產(chǎn)品業(yè)務(wù)發(fā)展的同時(shí)樂(lè )于與本土產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴攜手研發(fā)新的技術(shù)，提供特色的工藝平臺，與客戶(hù)共同布局中國半導體市場(chǎng)熱點(diǎn)?！?nbsp;