一種用于驅動(dòng)高邊功率開(kāi)關(guān)的電荷泵電路

任? 立? 張國俊 （電子科技大學(xué)?電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗室，四川?成都??610054）

摘? 要：提出了一種新型的電荷泵電路設計，該設計利用電容電壓不能突變的原理，設計了一種可以用來(lái)驅動(dòng) 高邊功率開(kāi)關(guān)管柵極電壓的電荷泵結構。采用該結構后的高邊功率管的柵極電壓，可以在控制信號開(kāi)啟后很短 的時(shí)間內，將柵極電壓迅速抬升至電源電壓以上，確保功率開(kāi)關(guān)管可以正常導通。通過(guò)調整輸入方波的頻率， 該結構的電壓抬升時(shí)間可以根據不同的工藝水平和工作環(huán)境進(jìn)行調整，本文也整理了不同的輸入頻率和抬升時(shí) 間之間的關(guān)系。 

關(guān)鍵詞：電荷泵；功率開(kāi)關(guān)；功率集成電路；高邊驅動(dòng)；

0  引言 

高邊功率開(kāi)關(guān)是功率集成電路的典型電路之一。它 是將驅動(dòng)電路、控制電路與保護電路能夠集成于一個(gè)芯 片中，在一定程度上實(shí)現智能化的控制功能，將會(huì )大大 降低芯片的設計難度并且提高其性能。而電荷泵電路則 是其中必不可少的重要驅動(dòng)電路。隨著(zhù)人們對便攜式電 子設備的消費需求越來(lái)越高，電子產(chǎn)品的高性能、低功 耗、輕型化等需要使得電源開(kāi)關(guān)相關(guān)的芯片性能要求愈 加提升，而對電荷泵電路的性能要求也隨之越來(lái)越高。 

智能功率開(kāi)關(guān)將控制電路，保護電路，驅動(dòng)電路以 及一些外圍接口與功率開(kāi)關(guān)做成一體化的集成芯片。其 中驅動(dòng)電路就是本文所提及的電荷泵電路。智能功率開(kāi) 關(guān)分為高邊功率開(kāi)關(guān)和低邊功率開(kāi)關(guān)，高邊與低邊的區 別在用作開(kāi)關(guān)作用的MOS 管接在電源端還是地端。根 據不同的應用環(huán)境會(huì )選擇不同的功率開(kāi)關(guān)。 

高邊功率開(kāi)關(guān)如圖1 所示，高壓功率管NMOS 起主 要的開(kāi)關(guān)作用，通過(guò)電荷泵驅動(dòng)電路對功率MOS 管的 柵極進(jìn)行充放電來(lái)控制其開(kāi)啟與關(guān)斷。 

電荷泵是一種電荷轉移的方式進(jìn)行工作的電路，在本文所研究的這款芯片中，電荷通過(guò)對功率管的柵電 容進(jìn)行周期性的充電，將柵電壓逐漸提高到功率管的開(kāi) 啟電壓以上，從而保證芯片能夠開(kāi)啟。由于電荷泵會(huì )對 柵極進(jìn)行持續的充電，因此柵極電壓會(huì )充到電源電壓以 上，需要一個(gè)鉗位電路來(lái)限制柵極的最高電壓，即電荷 泵電路的輸出電壓。

1  電荷泵電路的設計背景和基本原理 

1.1 電荷泵電路的設計背景

本文設計的電荷泵電路是應用于一款電源電壓工作 范圍為4.7~52 V 的高邊功率開(kāi)關(guān)電源芯片。本文中取 40 V為例進(jìn)行設計，為了使得功率開(kāi)關(guān)管在供電電源為 40 V時(shí)依舊可以正常工作，則電荷泵電路需要將驅動(dòng)電 壓抬升至40 V以上。 

1.2 電荷泵電路基本原理 

電荷泵是一種DC/DC 的電壓轉換電路，在實(shí)際應 用中電荷泵可以將輸入電壓的相位反轉即正電壓輸出為 負電壓，或者將輸入電壓的大小增大甚至翻倍。電荷泵 的原理是通過(guò)對內部電容的周期性的充放電，利用電容 電壓不能突變的原理實(shí)現對輸入電壓大小和相位的控 制，因此將這種電路稱(chēng)為電荷泵變換器。

電荷泵的基本原理電路如圖2所示，該電路的核心 是兩個(gè)電容、一個(gè)反相器和四個(gè)開(kāi)關(guān)組成。開(kāi)關(guān)的關(guān) 斷與開(kāi)啟由電荷泵前級電路輸入的周期變化的方波信 號與反相器控制，且開(kāi)關(guān)狀態(tài)總是成對出現?？刂菩?號在第一個(gè)高電平時(shí)，S1開(kāi)關(guān)和S2開(kāi)關(guān)閉合、S3開(kāi)關(guān) 和S4開(kāi)關(guān)則會(huì )因為反相器而斷開(kāi)，此 時(shí)，圖2中左邊的回路就會(huì )導通，輸 入電壓U1開(kāi)始對電容C1進(jìn)行充電，靠 近S1端為正電壓；在控制信號為低電 平時(shí)，開(kāi)關(guān)狀態(tài)相反，即S1開(kāi)關(guān)和S2 開(kāi)關(guān)斷開(kāi)、S3開(kāi)關(guān)和S4開(kāi)關(guān)閉合，此 時(shí)圖2中的左側回路關(guān)閉而右側回路開(kāi) 啟，電容C1向C2放電，電荷就會(huì )存儲 在電容C2的內部，其兩端的電壓差值 將會(huì )達到U1，且靠近開(kāi)關(guān)S3端是正電位，而由于電容C2上極板接地，則輸出電壓U0的電壓 為-U1。由此可以得到與輸入電壓極性相反的輸出電 壓。之后下一個(gè)周期的方波信號來(lái)臨，高電平時(shí)，S1開(kāi) 關(guān)和S2開(kāi)關(guān)再次閉合、S3開(kāi)關(guān)和S4開(kāi)關(guān)再次斷開(kāi)，輸入 電壓U1又一次向電容C1進(jìn)行充電，之后方波低電平， 和之前一樣，S1開(kāi)關(guān)和S2開(kāi)關(guān)斷開(kāi)、S3開(kāi)關(guān)和S4開(kāi)關(guān) 閉合，在原本C2中就存儲電荷的情況下，C1繼續向C2 放電，C2極板的電壓就會(huì )升高。以此類(lèi)推，如果控制信 號以高頻率方波輸入，則通過(guò)C1和C2的電壓轉換可以 在輸出端得到持續輸出的負電壓。 

雖然電荷泵能夠實(shí)現電壓變換，但從原理上可以理 解其輸出電壓始終處于動(dòng)態(tài)的變化之中，且電容的充放 電過(guò)程中會(huì )有輸出電流，電壓轉換過(guò)程中會(huì )出現能量損 耗。因此設計一個(gè)所需的電荷泵電路的終點(diǎn)就在于克服 這些因素。

2  電荷泵電路的設計 

經(jīng)過(guò)對原理的分析以及相關(guān)知識的理解，經(jīng)過(guò)多 次嘗試后，最終得到的圖3即為所設計的電荷泵實(shí)際電 路圖。 

在圖3所示的電路中，V_DD為輸入電源電壓，Vn和Vp 是由電荷泵前級振蕩器電路產(chǎn)生的固定頻率方波電壓， 二者頻率相同但相位相差180°， V_logic為控制電壓，該電 壓為高時(shí)電荷泵工作，為低時(shí)電荷泵關(guān)斷，GND為地電 位；圖中右側輸出一側中，Q9即為電荷泵電路驅動(dòng)的 功率MOS開(kāi)關(guān)管，V_gate為電荷泵輸出電壓，負責連接被 驅動(dòng)功率管的柵極，OUT端為功率管的源極輸出電位。

圖3中，Q1、Q2、Q3組成電流鏡電路，當V_logic為 高電平時(shí)，Q1所在的支路導通，為Q2、Q3提供合理的 柵極電壓，當Vp為高電平時(shí)，Vn為低電平，則NMOS 管Q5導通、Q6關(guān)斷，此使由Q3、C2、D1、C1、Q5組 成的充電回路導通，對C1和C2電容進(jìn)行充電，若忽略 Q3、D1、Q5上的壓降，則VDD和GND之間分擔電壓的 只有C1和C2兩個(gè)電容，若二者容值相等，則C1右極板 處的電壓在充電后會(huì )被抬升至0.5 VDD；接下來(lái)Vp變?yōu)?低電平時(shí)，Vn變?yōu)楦唠娖?，則NMOS管Q6導通、Q5關(guān) 斷，充電回路關(guān)斷，同時(shí)忽略Q2電壓，則C1左極板電 壓被瞬間抬升至V_DD，因為電容電壓不能突變，則C1右 極板處的電壓也會(huì )被抬升至1.5倍的VDD，實(shí)現了電壓抬 升的效果。之后Vn、Vp反復導通、關(guān)斷，逐級抬升C1 右極板處電壓。但是因為輸出的V_gate端支路上接著(zhù)由二 極管D3~D8和二極管連接的NMOS管Q8組成的反偏二 極管鏈，使得輸出處的V_gate電壓最高只能比VDD高出固 定數值的電壓，進(jìn)一步抬升時(shí)這些反偏二極管就會(huì )導 通，使得Vgate處電壓不會(huì )過(guò)高，以確保主功率管的柵極 不會(huì )被過(guò)高的電壓擊穿， 同時(shí)使得主功率管在正常 工作時(shí)處于線(xiàn)性區。因為 存在這樣的一個(gè)保護電 路，在逐級抬升至比VDD 高出一定數值的電壓后， V_gate會(huì )穩定在一個(gè)電壓值 對功率MOS管Q9進(jìn)行驅 動(dòng)，對于本文以40 V為例 的情況，所涉及的電壓值 約為42.5 V。當該電荷泵 電路應用于不同的電路情 況時(shí)，所需的最終輸出的 穩定電壓值也不盡相同， 而這個(gè)最終穩定的輸出電壓和電源電壓之間的差值，可 以通過(guò)調整二極管鏈中每個(gè)管子的參數或管子的數量而 得到。 

當V_logic電壓為低時(shí)，則Q1所在支路關(guān)斷，同時(shí)經(jīng)過(guò) 反相器后連接到NMOS管Q7柵極的電壓為高，使得其導通，將V_gate處電壓迅速拉低。

3  仿真結果與分析 

此電荷泵電路被應用于一款電源電壓工作范圍為 4.7 ~52 V 的高邊功率開(kāi)關(guān)電源芯片，基于0.35 μm的 BCD工藝。本文以40 V電源電壓，前級輸入的方波頻率 0.5 MHz為例，經(jīng)過(guò)Hspice軟件進(jìn)行仿真，得到的仿真 結果如圖4所示。 

通過(guò)圖4的整體仿真波形可以看出，當電荷泵的開(kāi) 啟電壓V_logic為高，電路開(kāi)始工作后，輸出電壓Vgate迅速 抬升，在48 μs的時(shí)候將電壓抬升至高于電源電壓40 V 的42.56 V，并且之后基本穩定在這個(gè)數值不會(huì )更高， 而當開(kāi)啟電壓V_logic關(guān)斷時(shí)，輸出電壓迅速拉低，整個(gè)電 路進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，直到V_logic重新拉高，才開(kāi)始再一次工作。 

以上是3 ms的整體仿真波型，而圖5則是60 μs內的 仿真波形，經(jīng)過(guò)放大可以看出電荷泵輸出電壓的逐級抬升過(guò)程。

可以看出，當輸入的開(kāi)啟電壓V_logic高于開(kāi)啟閾值 后，電荷泵電路開(kāi)始工作，根據之前的原理圖可以看 出，隨著(zhù)兩個(gè)相位相反的方波逐漸輸入，電容不斷地 充放電，電路輸出端V_gate開(kāi)始一次次階梯狀升壓，在M0 點(diǎn)，即31.08 μs后輸出端的電壓V_gate達到電源電壓40 V，之后繼續抬升，最終從啟動(dòng)經(jīng)過(guò)了48.20 μs之后，輸出 電壓達到了42.69 V并趨于穩定，之后略有抬升但幅度 很小，最終穩定的電壓為42.78 V且不會(huì )過(guò)高，這是由 于二極管D3~D8和二極管連接的NMOS管Q8組成的反 偏二極管鏈起到了過(guò)壓保護的功能。根據以上仿真波形 可以看出，從啟動(dòng)到電壓基本穩定共需48~50 μs。 

同時(shí)在調試仿真的過(guò)程中觀(guān)察到，電荷泵抬升所需 要的時(shí)間和輸入方波的頻率具有一定相關(guān)性，經(jīng)過(guò)多次 仿真測試，在電路其他參數保持不變的情況下，得到前 級輸入的方波頻率和輸出電壓抬升時(shí)間之間的關(guān)系如表 1所示?？梢愿鶕?shí)際工藝水平、工作環(huán)境等需求，計 算出前級震蕩器所能輸出的最終頻率，根據此表可以得 出對應的輸出電壓抬升時(shí)間。

4  結論 

本文討論了電荷泵技術(shù)的原理，并根據該原理設計 出了一種能夠快速抬升輸出電壓至電源電壓以上一定值 的電荷泵電路結構。該電路可以很好得工作于一款基于 0.35 μm、BCD工藝的電源電壓工作范圍為4.7 V~52 V 的高邊功率開(kāi)關(guān)電源芯片。本文設計完成后，經(jīng)過(guò) Hspice軟件進(jìn)行了相關(guān)仿真，印證了該電路設計的正確性。同時(shí)由于工藝溫度 等條件的不同，實(shí)際輸入 方波能達到的穩定頻率 并不一定，因此本文還總 結了不同輸入方波頻率 與輸出電壓抬升時(shí)間之間 的關(guān)系。該電路同樣可以 適用于其他功率開(kāi)關(guān)驅動(dòng) 電路。

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本文來(lái)源于科技期刊《電子產(chǎn)品世界》2020年第03期第62頁(yè)，歡迎您寫(xiě)論文時(shí)引用，并注明出處。