英國科學(xué)家發(fā)現砷化鎵存不穩定性 或可為汽車(chē)等研發(fā)更好的電子產(chǎn)品

據外媒報道，英國卡迪夫大學(xué)（Cardiff University）的研究人員首次發(fā)現，一種普通半導體材料的表面具有以前從未被發(fā)現的“不穩定性”。該發(fā)現可能對為日常生活提供能量的電子設備材料的未來(lái)發(fā)展產(chǎn)生深遠影響。從智能手機、GPS到衛星和筆記本電腦，復合半導體是此類(lèi)電子設備不可或缺的一部分。

該項新發(fā)現揭示了一種常用的復合半導體材料 – 砷化鎵（GaA）的表面并不像之前大家認為的那么穩定。

該團隊利用卡迪夫大學(xué)物理與天文學(xué)院和復合半導體研究所最先進(jìn)的設備，發(fā)現砷化鎵的原子結構存在小塊的不穩定性，而且此種不穩定性一會(huì )出現，一會(huì )消失。這是首次在砷化鎵表面觀(guān)察到此種“亞穩態(tài)”現象。

該研究的合著(zhù)者 – 卡迪夫大學(xué)物理與天文學(xué)院的Juan Pereiro Viterbo博士表示：“目前，我們還不知道是否此種現象會(huì )影響半導體器件結構的生長(cháng)，下一步我們會(huì )進(jìn)行研究。如果此種現象發(fā)生在半導體器件的生長(cháng)過(guò)程中，則會(huì )產(chǎn)生深遠的影響。最終，此發(fā)現可以幫助我們更好地了解分子結構上發(fā)生的情況，從而能夠研發(fā)新型材料和結構，減少現有復合半導體的缺陷，為通信系統、計算機、電話(huà)、汽車(chē)等研發(fā)更好的電子產(chǎn)品?！?/p>

此次發(fā)現的關(guān)鍵是可能會(huì )創(chuàng )造出新設備，而此種設備將具備此前不存在的新能力。

物理與天文學(xué)院和復合半導體研究所的實(shí)驗室有一個(gè)低能電子顯微鏡，結合使用分子束外延機，研究人員能夠在制造復合半導體的時(shí)候，觀(guān)察到材料結構的動(dòng)態(tài)變化。分子束外延是一種用于制造或“生長(cháng)”復合半導體器件的技術(shù)，其工作原理是在襯底上精確發(fā)射極熱原子束或分子束。此類(lèi)分子落在襯底的表面，凝聚，然后緩慢而系統地積累成超薄層，最終形成復雜的單晶結構。

Viterbo博士表示：“盡管砷化鎵已被深入研究，在生長(cháng)過(guò)程中采用低能電子顯微鏡卻可以觀(guān)察到以前從未觀(guān)察到的動(dòng)態(tài)情況?！?/p>