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半導體器件
半導體器件 文章 進(jìn)入半導體器件技術(shù)社區
10月半導體器件專(zhuān)用設備制造業(yè)增加值同比增長(cháng)33.9%
- 近日，國新辦就2023年10月份國民經(jīng)濟運行情況舉行發(fā)布會(huì )。會(huì )上，有記者提出“從高頻數據看，發(fā)現10月份部分高耗能產(chǎn)業(yè)的開(kāi)工率同比增速有所下降，請問(wèn)工業(yè)生產(chǎn)整體有哪些特點(diǎn)？原因有哪些？后續政策發(fā)力作用下，四季度整體形勢如何？”的問(wèn)題。國家統計局新聞發(fā)言人、總經(jīng)濟師、國民經(jīng)濟綜合統計司司長(cháng)劉愛(ài)華表示，10月份，隨著(zhù)市場(chǎng)需求逐步恢復，新舊動(dòng)能加快轉換，工業(yè)生產(chǎn)總體上呈現穩中有升的態(tài)勢。10月份，規模以上工業(yè)增加值同比增長(cháng)4.6%，累計增長(cháng)4.1%，當月和累計同比增速都比上期加快0.1個(gè)百分點(diǎn)。今年以來(lái)，累計增
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針對高壓應用優(yōu)化寬帶隙半導體器件
- 自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來(lái)，通過(guò)使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導體器件就可以實(shí)現高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導通電阻來(lái)控制系統中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET，導通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設計的關(guān)鍵參數。電導率的主要行業(yè)標準是材料技術(shù)中的特定導通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來(lái)，通過(guò)使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導體器件就可以實(shí)現高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導通電阻來(lái)控制系統中的大部
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高可靠性人工突觸半導體器件問(wèn)世
- 科技日報北京9月21日電 （記者張夢(mèng)然）韓國科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）神經(jīng)形態(tài)工程中心研究團隊宣布開(kāi)發(fā)出一種能進(jìn)行高度可靠神經(jīng)形態(tài)計算的人工突觸半導體器件，解決了神經(jīng)形態(tài)半導體器件憶阻器長(cháng)期存在的模擬突觸特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日發(fā)表在《自然·通訊》雜志上。模仿人腦的神經(jīng)擬態(tài)計算系統技術(shù)應運而生，克服了現有馮諾依曼計算方法功耗過(guò)大的局限。實(shí)現使用大腦信息傳輸方法的半導體器件需要一種能表達各種突觸連接強度的高性能模擬人工突觸裝置。當神經(jīng)元產(chǎn)生尖峰信號時(shí)，這種方法使用神經(jīng)元之間傳輸的信號。
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華為再投資半導體公司
- 工商信息顯示，華為旗下哈勃科技投資有限公司近日再新增一家對外投資——蘇州東微半導體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東微半導體”）。東微半導體成立于2008年，注冊資本4578.22萬(wàn)元，經(jīng)營(yíng)范圍包括半導體器件、集成電路、芯片、半導體耗材、電子產(chǎn)品的設計、開(kāi)發(fā)、銷(xiāo)售、進(jìn)出口業(yè)務(wù)及相關(guān)技術(shù)咨詢(xún)和技術(shù)服務(wù)等，擁有多項功率半導體核心專(zhuān)利，核心產(chǎn)品為中低高壓功率器件。其官網(wǎng)顯示，2013年下半年，東微半導體原創(chuàng )的半浮柵器件的技術(shù)論文在美國《科學(xué)》期刊上發(fā)表，標志著(zhù)首次國內科學(xué)家在半導體核心技術(shù)方向獲得的重大突破。2016年?yáng)|微
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英國科學(xué)家發(fā)現砷化鎵存不穩定性 或可為汽車(chē)等研發(fā)更好的電子產(chǎn)品
- 據外媒報道，英國卡迪夫大學(xué)（Cardiff University）的研究人員首次發(fā)現，一種普通半導體材料的表面具有以前從未被發(fā)現的“不穩定性”。該發(fā)現可能對為日常生活提供能量的電子設備材料的未來(lái)發(fā)展產(chǎn)生深遠影響。從智能手機、GPS到衛星和筆記本電腦，復合半導體是此類(lèi)電子設備不可或缺的一部分。
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美國ITC對半導體器件啟動(dòng)337調查，涉案企業(yè)包括OV、聯(lián)發(fā)科、高通和臺積電等
- 來(lái)自美國國際貿易委員會(huì )官網(wǎng)的消息稱(chēng)，2019年3月21日，美國國際貿易委員會(huì )(ITC)投票決定對特定半導體器件、集成電路和包含該器件的消費產(chǎn)品啟動(dòng)337調查(調查編碼：337-TA-1149)。值得一提的是，涉案的中國企業(yè)包括OPPO、vivo、一加、步步高、TCL、海信、聯(lián)發(fā)科和晨星等，同時(shí)美國高通和臺積電在美分公司也被列為被告之一?！ ?019年2月15日，美國Innovative Foundry Technologies LLC向美國ITC提出337立案調查申請，主張對美出口、在美進(jìn)口和在美
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半導體器件的電氣過(guò)應力和靜電放電故障
- 靜電可被定義為物質(zhì)表面累積的靜態(tài)電荷或靜態(tài)電荷之間交互作用累積的電荷。電氣過(guò)應力(EOS)和靜電放電(ESD)是電子行業(yè)面臨的重大挑戰之一。通常來(lái)說(shuō)，半導體行業(yè)中超過(guò)三分之一的現場(chǎng)故障都是由ESD引起的。ESD導致的
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半導體器件及集成電路損壞的特點(diǎn)小結
- (1)二、三極管的損壞一般是PN結擊穿或開(kāi)路。其中以擊穿短路居多。此外，還有兩種損壞表現一是熱穩定性變差，表現為開(kāi)機時(shí)正常、工作一段時(shí)間后。發(fā)生軟擊穿另一種是PN結的特性變差，用萬(wàn)用表Rx1K測，各PN結均正常，但上機后不能正常工作如果用RX10或RX1低量程擋測就會(huì )發(fā)現其N(xiāo)N結正向阻值比正常值大。測量二、三極管可以用指針萬(wàn)用表在路測量，較準確的方法是將萬(wàn)用表置RX10或Rx1擋(一般用RX10擋，不明顯時(shí)再用Rx1擋〕在線(xiàn)測二、三極管的PN結正、反向電阻。如果正向電阻不太大《相對正常值〕反向電阻足夠
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新一代功率半導體掌握多個(gè)領(lǐng)域節能關(guān)鍵
- 最近幾年，在半導體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)。 功率半導體的作用是轉換直流與交流、通過(guò)變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達。如今，這種半導體已配備于家電、汽車(chē)、工業(yè)機械、鐵路車(chē)輛、輸配電裝置、光伏和風(fēng)電系統等，掌握著(zhù)節能的關(guān)鍵。 三菱電機半導體器件第一事業(yè)部營(yíng)業(yè)戰略課長(cháng)山田正典說(shuō)“用人體打比方的話(huà)，個(gè)人店的CPU(中央運算處理裝置)和存儲器是控制運算和記憶的大腦，而功率半導體則相當于肌肉?！?
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國產(chǎn)IGBT前景光明 突破之路曲折
- 隨著(zhù)IGBT技術(shù)的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴展到消費電子應用，成為未來(lái)10年發(fā)展最迅速的功率半導體器件;而在中國市場(chǎng)，軌道交通、家電節能、風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能光伏和電力電子等應用更是引爆了IGBT應用市場(chǎng)。 據IHS iSuppli公司中國研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴格的能源政策，2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)銷(xiāo)售額的復合年度增長(cháng)率將達13%。2011年IGBT銷(xiāo)售額將達到8.59億美元，2015年有望達到13億美
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高鐵有了“中國芯”
- 中國北車(chē)集團日前在西安對外發(fā)布：大功率IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)通過(guò)專(zhuān)家鑒定并投入批量生產(chǎn)。中國自此有了完全自主產(chǎn)權的大功率IGBT“中國芯”。 據介紹，作為新一代半導體器件，IGBT是自動(dòng)控制和功率變換的關(guān)鍵核心部件，被廣泛應用在軌道交通裝備行業(yè)、電力系統、工業(yè)變頻、風(fēng)電、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)和家電產(chǎn)業(yè)中。此前，國內高端IGBT芯片基本依賴(lài)進(jìn)口。此次大功率IGBT芯片的研制成功，不僅可以為我國高鐵、動(dòng)車(chē)組等軌道交通裝備及其他相關(guān)行業(yè)提供強勁的“中國芯
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開(kāi)關(guān)電源功率半導體器件
- 在過(guò)去的20多年，出現了一些新功率半導體開(kāi)關(guān)器件和功率模塊，在如功率MOS-FET，絕緣柵雙極晶體管IGBT，碳化硅（S...
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半導體器件介紹
用半導體材料制成的具有一定功能的器件，統稱(chēng)半導體器件。為了與集成電路相區另，有時(shí)也稱(chēng)為分立器件。半導體器件主要有二端器件和三端器件兩大類(lèi)。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結構是一個(gè)PN結。利用不同的半導體材料、采用不同的工藝和幾何結構，已研制出種類(lèi)繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波 [ 查看詳細 ]
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