全面了解和分析開(kāi)關(guān)穩壓器噪聲

簡(jiǎn)介

一般而言，與低壓差(LDO)穩壓器輸出相比，人們認為傳統開(kāi)關(guān)穩壓器的輸出電壓噪聲很大。然而，LDO電壓會(huì )引起嚴重的額外熱問(wèn)題，并使得電源設計更加復雜。全面認識開(kāi)關(guān)穩壓器噪聲很有必要，有助于設計低噪聲開(kāi)關(guān)解決方案，使之產(chǎn)生與LDO穩壓器相當的低噪聲性能。本文分析和評估的目標是采用電流模式控制的降壓穩壓器，因為它在應用中最常用。信號分析是了解開(kāi)關(guān)紋波噪聲、當前寬帶噪聲特性（及其來(lái)源）、開(kāi)關(guān)引起的高頻尖峰噪聲的主要方法。本文將討論開(kāi)關(guān)穩壓器PSRR（電源抑制比，其對輸入噪聲抑制很重要）以及信號分析方法。

開(kāi)關(guān)紋波噪聲

本部分依據基波和諧波理論介紹降壓轉換器輸出紋波計算公式。

根據開(kāi)關(guān)穩壓器拓撲結構和基本操作，紋波始終是開(kāi)關(guān)穩壓器中的主要噪聲，因為峰峰值電壓幅度一般為幾mV到幾十mV。它應被視為周期性且可預測的信號。如果以固定開(kāi)關(guān)頻率工作，則在時(shí)域中通過(guò)示波器，或在頻域中通過(guò)傅立葉分解，很容易將其識別并進(jìn)行測量。

圖1.降壓穩壓器拓撲

圖1所示為典型的降壓穩壓器。兩個(gè)開(kāi)關(guān)交替接通和斷開(kāi)，因此SW節點(diǎn)電壓VSW是一個(gè)理想的方波，此特性進(jìn)而傳遞到占空比和輸入電壓。VSW可以用下面的公式表示：

其中：

VIN為輸入電壓。D為占空比；對于降壓穩壓器，其等于VOUT/VIN。

VIN確定后，VSW基波和諧波成分僅取決于占空比。圖2顯示了與占空比相關(guān)的VSW基波和諧波幅度。當占空比接近一半時(shí)，紋波幅度以基波為主。

圖2.降壓穩壓器VSW幅度與占空比的關(guān)系

降壓穩壓器輸出LC級傳遞函數如下：

其中，L為輸出電感值，DCR為電感電阻值，CL為電感并聯(lián)電容值。

COUT為輸出容量值。ESL為電容串聯(lián)電感值。ESR為電容串聯(lián)電阻值。

因此，VOUT可表示如下：

為了簡(jiǎn)化計算，我們假設輸出LC級為20 dB/十倍頻程，然后是與占空比相關(guān)的VOUT紋波基波和諧波幅度，如圖3所示。當占空比接近一半時(shí)，三次或奇數次諧波將高于偶數次諧波。由于LC抑制，較高的諧波將具有較低的幅度，并且與總紋波幅度相比，其比例非常小。同樣，基波幅度是開(kāi)關(guān)穩壓器輸出紋波中的主要成分。

圖3.降壓穩壓器VOUT紋波幅度與占空比的關(guān)系

對于降壓穩壓器，基波幅度與輸入電壓、占空比、開(kāi)關(guān)頻率和LC級有關(guān)；但是，所有這些參數都會(huì )影響應用要求，如效率和解決方案尺寸等。為了進(jìn)一步降低紋波，建議增加后置濾波器。

寬帶噪聲

開(kāi)關(guān)穩壓器中的寬帶噪聲是輸出電壓上的隨機幅度噪聲。它可以用整個(gè)頻率范圍內的噪聲密度來(lái)表示，單位為V/

，或用V rms來(lái)表示，其與頻率范圍內的密度不可分。由于硅工藝和基準電壓源濾波器設計的限制，寬帶噪聲主要位于開(kāi)關(guān)穩壓器的10 Hz至1 MHz頻率范圍內，在低頻范圍內很難通過(guò)增加濾波器來(lái)將其降低。

典型降壓穩壓器寬帶噪聲峰峰值幅度電壓約為100μV至1000μV，遠低于開(kāi)關(guān)紋波噪聲。如果使用額外的濾波器來(lái)降低開(kāi)關(guān)紋波噪聲，則寬帶噪聲可能成為開(kāi)關(guān)穩壓器輸出電壓的主要噪聲。圖4顯示了當沒(méi)有額外濾波器時(shí)，降壓穩壓器輸出噪聲的主要來(lái)源是開(kāi)關(guān)紋波。圖5顯示了當使用額外濾波器時(shí)，輸出噪聲的主要來(lái)源是寬帶噪聲。

圖4.無(wú)額外濾波器的VOUT

圖5.有額外濾波器的VOUT（使用1000倍前置放大器進(jìn)行測量）

為了識別和分析開(kāi)關(guān)穩壓器輸出寬帶噪聲，必須獲得穩壓器控制方案和模塊噪聲信息。例如，圖6顯示了典型的電流模式降壓穩壓器控制方案和模塊噪聲源注入。

圖6.典型電流模式降壓穩壓器控制方案

對于獲得的控制環(huán)路傳遞函數和模塊噪聲特性信息，有兩種不同的噪聲：環(huán)路輸入噪聲和環(huán)內噪聲?？刂骗h(huán)路帶寬內的環(huán)路輸入噪聲會(huì )傳輸到輸出，而環(huán)路帶寬之外的噪聲會(huì )被衰減。對于開(kāi)關(guān)穩壓器，設計低噪聲EA和基準電壓源至關(guān)重要，因為單位反饋增益會(huì )保持噪聲水平不變，而不是隨著(zhù)輸出電壓電平增加而提高它。最大的挑戰是找出整個(gè)系統中最大的噪聲源，并在電路設計中降低該噪聲。ADP5014針對低噪聲技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，采用電流模式控制方案和一個(gè)簡(jiǎn)單的LC外部濾波器，在10 Hz至1 MHz頻率范圍內實(shí)現了低于20μV rms的噪聲性能。ADP5014的輸出噪聲性能如圖7所示。

圖7.采用額外LC濾波器的ADP5014輸出噪聲性能

高頻尖峰和振鈴

第三類(lèi)噪聲是高頻尖峰和振鈴噪聲，因為輸出電壓是由開(kāi)關(guān)穩壓器導通或關(guān)斷瞬變產(chǎn)生的?？紤]硅電路和PCB走線(xiàn)中的寄生電感和電容；對于降壓穩壓器，快速電流瞬變將在SW節點(diǎn)處引起高頻電壓尖峰和振鈴。尖峰和振鈴噪聲會(huì )隨著(zhù)電流負載的提高而提高。圖8顯示了降壓穩壓器如何形成尖峰。根據開(kāi)關(guān)穩壓器的導通/關(guān)斷壓擺率，最高尖峰和振鈴頻率將在20 MHz至300 MHz范圍內，受寄生電感和電容影響，輸出LC濾波器在抑制方面可能不是非常有效。與上述關(guān)于傳導路徑的所有討論相比，最差的是來(lái)自SW和VIN節點(diǎn)的輻射噪聲，由于其頻率非常高，輸出電壓和其他模擬電路會(huì )受到影響。

圖8.降壓穩壓器高頻尖峰和振鈴噪聲

為了降低高頻尖峰和振鈴噪聲，建議采用有效方法實(shí)施應用和芯片設計。首先，在終端負載上應使用額外的LC濾波器或磁珠。通常，這會(huì )使輸出上的尖峰噪聲遠小于紋波噪聲，但會(huì )增加更高頻率的成分。其次，應屏蔽SW和輸入節點(diǎn)的噪聲源或讓其遠離輸出側及敏感模擬電路，并且屏蔽輸出電感。精心布局和布線(xiàn)對設計很重要。第三，優(yōu)化開(kāi)關(guān)穩壓器的導通/關(guān)斷壓擺率，并盡量減小開(kāi)關(guān)穩壓器的寄生電感和電阻，從而有效降低SW節點(diǎn)噪聲。ADI Silent Switcher?技術(shù)也有助于通過(guò)芯片設計降低VIN節點(diǎn)噪聲。

開(kāi)關(guān)穩壓器PSRR

PSRR反映開(kāi)關(guān)穩壓器抑制輸入電源噪聲傳輸到輸出的能力。本部分分析低頻范圍內的降壓穩壓器PSRR性能。高頻噪聲影響輸出電壓主要是通過(guò)輻射路徑，而不是通過(guò)前面討論的傳導路徑。

圖9.從輸入電壓到輸出的電流模式降壓小信號圖

根據圖9所示的降壓小信號圖，降壓PSRR可以表示如下：

其中：

Fm為斜率增益

Fg為控制輸入電壓

Rcs為電流檢測增益

Zo(s)為輸出電容和負載

Tv(s)為環(huán)路傳遞函數

圖10.采用降壓小信號模式的PSRR計算結果

圖11.SIMPLIS模式的PSRR仿真

將信號模式計算與仿真結果進(jìn)行比較。小信號模式是有效的，與仿真結果一致。

開(kāi)關(guān)穩壓器的PSRR性能取決于低頻范圍內的環(huán)路增益性能。開(kāi)關(guān)穩壓器的固有LC濾波器可以抑制中頻范圍（100 Hz至10 MHz）內的輸入噪聲。此范圍內的抑制性能比LDO PSRR好得多。因此，開(kāi)關(guān)穩壓器具有理想的PSRR性能，因為其在低頻時(shí)具有高環(huán)路增益，而固有LC濾波器會(huì )影響中頻范圍。

結論

越來(lái)越多的模擬電路，如ADC/DAC、時(shí)鐘和PLL等，需要干凈的能提供高電流的電源。每個(gè)器件對不同頻率范圍內的電源噪聲都有不同的要求和規格。有必要全面了解不同類(lèi)型的開(kāi)關(guān)穩壓器噪聲并認知電源噪聲要求，從而設計和實(shí)現高效率、低噪聲開(kāi)關(guān)穩壓器，以滿(mǎn)足大多數模擬電路電源的低噪聲規格。與LDO穩壓器相比，這種低噪聲開(kāi)關(guān)解決方案將有更高的功效比、更小的解決方案尺寸和更低的成本。

參考資料

Glenn Morita?！翱烧{節輸出低壓差穩壓器的降噪網(wǎng)絡(luò )”?！赌M對話(huà)》，第48卷，2014年。

Glenn Morita。應用筆記AN-1120：低壓差(LDO)穩壓器的噪聲源。ADI公司，2011年

Matthew Felmlee。應用筆記AN-1066：低噪聲時(shí)鐘AD9523、AD9524和AD9523-1的電源考慮。ADI公司，2017年

Rob Reeder。技術(shù)文章?！案咚貯DC的電源設計”，ADI公司，2012年

作者簡(jiǎn)介

Leo Liu 于 2005 年加入ADI公司，在中國銷(xiāo)售團隊擔任現場(chǎng)應用工程師。2011年，他加入電源管理產(chǎn)品部門(mén)，擔任應用工程師，自此以后一直負責PMU產(chǎn)品應用。他畢業(yè)于浙江大學(xué)，2001年和2004年分別獲得電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。聯(lián)系方式：leo.liu@analog.com。