長(cháng)江存儲年底量產(chǎn)64層3D NAND產(chǎn)品，2020年擴產(chǎn)恐沖擊NAND Flash價(jià)格

May 14, 2019 ---- 作為NAND Flash發(fā)展主力的長(cháng)江存儲今年底前將依照進(jìn)程正式量產(chǎn)64層X(jué)tacking 3D NAND產(chǎn)品。對此，集邦咨詢(xún)半導體研究中心（DRAMeXchange）指出，隨著(zhù)長(cháng)江存儲2020年產(chǎn)能逐步擴大，全球NAND Flash市場(chǎng)供給與價(jià)格將受到?jīng)_擊。

集邦咨詢(xún)還指出，長(cháng)江存儲初期著(zhù)重國內市場(chǎng)銷(xiāo)售，已于第一季送交樣品給部分客戶(hù)及控制器廠(chǎng)商。此外，長(cháng)江存儲已完成武漢廠(chǎng)的建設，并有限投產(chǎn)32層產(chǎn)品。待64層正式量產(chǎn)后，產(chǎn)能擴張將轉趨積極。2020年后其產(chǎn)能規劃將逐步放大，預計到年底擴張達至少60K/m的投片量。盡管相對其他競爭者動(dòng)輒200K/m以上的產(chǎn)能并不算大，但預估NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格仍會(huì )受到一定沖擊，進(jìn)而導致跌價(jià)趨勢持續。

集邦咨詢(xún)分析，一方面，中國新開(kāi)產(chǎn)能以達成自給的目標相當明確，另一方面，國際廠(chǎng)商為適應2020年后的競爭提升產(chǎn)能（包含三星西安二期、東芝巖手縣新廠(chǎng)、美光新加坡三廠(chǎng)、SK Hynix M15廠(chǎng)的剩余空間加上后續的M16廠(chǎng)房等），預期未來(lái)價(jià)格競爭恐將更為激烈。

為縮短與一線(xiàn)廠(chǎng)1-2年的技術(shù)差距，長(cháng)江存儲明年直攻128層產(chǎn)品

觀(guān)察六大供應商發(fā)展狀況，目前主流出貨多在64/72層產(chǎn)品，并已量產(chǎn)92/96層的產(chǎn)品，目前正提供客戶(hù)UFS、SSD等產(chǎn)品樣品導入，然而新制程的擴產(chǎn)受到今年市況影響，供應商自去年年底以來(lái)逐步調降資本支出并減緩擴產(chǎn)時(shí)程，甚至有部分供應商決定減產(chǎn)，導致新制程比重成長(cháng)較為緩慢。

反觀(guān)長(cháng)江存儲發(fā)展規劃，在推出64層產(chǎn)品后，相較于其他供應商先發(fā)展9x層的步調，長(cháng)江存儲將直攻128層以縮減與其他供應商的差距，主要供應商則規劃在2020年量產(chǎn)128層產(chǎn)品。盡管長(cháng)江存儲在技術(shù)發(fā)展上仍與主要供應商有相當差距，但未來(lái)對市場(chǎng)的影響恐怕勢難抵擋。

全球市場(chǎng)研究機構集邦咨詢(xún)（TrendForce）將在2019年5月31日（周五）COMPUTEX期間，于臺北國際會(huì )議中心舉辦“Compuforum 2019：資料經(jīng)濟大未來(lái)”研討會(huì )。