意法半導體650V高頻IGBT利用最新高速開(kāi)關(guān)技術(shù)提升應用性能
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時(shí)間：2019-04-30
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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中國，2019年4月30日——意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場(chǎng)截止（TFS）技術(shù)，可提高PFC轉換器、電焊機、不間斷電源（UPS）、太陽(yáng)能逆變器等中高速應用設計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的汽車(chē)級產(chǎn)品。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201904/400124.htm新HB2系列屬于STPOWER?產(chǎn)品家族，更低(1.55V)的 VCEsat 飽和電壓確保導通性能極其出色；更低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開(kāi)關(guān)，提高動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)性能；出色的熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度，同時(shí)新系列還是市場(chǎng)上極具競爭力的產(chǎn)品。
HB2系列IGBT提供三個(gè)內部二極管選項：全額定二極管、半額定二極管或防止意外反向偏置的保護二極管，從而為開(kāi)發(fā)者提供更多的自由設計權，根據特定應用需求優(yōu)化動(dòng)態(tài)性能。
新650V器件的首款產(chǎn)品40A STGWA40HP65FB2現已上市，采用TO-247長(cháng)引腳封裝。
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