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意法半導體650V高頻IGBT利用最新高速開(kāi)關(guān)技術(shù)提升應用性能
- 中國，2019年4月30日——意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場(chǎng)截止（TFS）技術(shù)，可提高PFC轉換器、電焊機、不間斷電源（UPS）、太陽(yáng)能逆變器等中高速應用設計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的汽車(chē)級產(chǎn)品。新HB2系列屬于STPOWER?產(chǎn)品家族，更低(1.55V)的 VCEsat 飽和電壓確保導通性能極其出色；更低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開(kāi)關(guān)，提高動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)性能；出色的熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度，同時(shí)新系列還是
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 TFS
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