下世代DDR4 DRAM 功能更強

在英特爾下一代處理器將支援新世代記憶體DDR4 DRAM下，包括三星、美光及海力士及相關(guān)模組廠(chǎng)，近期也相繼導入DDR4 DRAM試產(chǎn)行動(dòng)，業(yè)者強調，DDR 4 DRAM因功耗低，運算速度更快，且支援矽鉆孔(TSV)3D IC設計，預料明年可望成為伺服器新寵。

DRAM業(yè)者表示，和DD3 DRAM比較，DDR4未來(lái)功耗將遠低于1.2伏特，比現在的DDR 3 1.5伏特更低，而資料轉換率每秒更達3.2Gb，同時(shí)具備16個(gè)族群，遠比DDR3的資料轉換率每秒2.13Gb、8個(gè)族群，資料處理速度更快且頻寬更寬。

不過(guò)，主導半導體技術(shù)標準的JEDEC，此次對未針對DDR4DRAM提出如DDR3 DRAM般公板設計，導致記憶體模組廠(chǎng)只能依照過(guò)去累積的設計能力，投入開(kāi)發(fā)DDR 4 記憶體模組。

日前率先在英特爾開(kāi)發(fā)者論壇，領(lǐng)先業(yè)界針對企業(yè)用戶(hù)、伺服器平臺，展示新世代DDR4記憶體模組的威剛，表示看好DDR4 DRAM未來(lái)應用。

威剛表示，未來(lái)仍會(huì )依循英特爾主導的規格進(jìn)行相關(guān)DDR4設計，在JEDEC未制定公板下，將采客制化，依企業(yè)用戶(hù)需求，提供這項更高性能的記憶體儲存方案。

威剛表示，由于DDR 4尚未處于量產(chǎn)階段，初期價(jià)格預料也會(huì )非常昂貴，但因這項新記憶體導入更新的防錯設計，也支援TSV 3D IC架構，是未來(lái)3D IC必備的新世代記憶體，初期將會(huì )切入伺服器等應用領(lǐng)域。

據了解，包括三星、美光及SK海力士均已投入試產(chǎn)階段;國內DRAM大廠(chǎng)華亞科和南科，也預定第4季開(kāi)始試產(chǎn)。