實(shí)現更高能效的新一代同步整流驅動(dòng)控制器NCP4305
同步整流旨在通過(guò)用低導通電阻的MOSFET代替常規的肖特基二極管進(jìn)行整流來(lái)減小損耗,提升能效。以5 V應用為例,使用肖特基二極管整流將產(chǎn)生0.3 V的導通壓降,而同步MOSFET的導通壓降低于0.1 V,從而實(shí)現更高能效。NCP4305 是高性能的次級同步整流驅動(dòng)控制器,能有效地控制和驅動(dòng)用作次級端整流的MOSFET,用于要求高能效的開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設計中如筆記本電腦適配器、USB無(wú)線(xiàn)適配器、液晶電視和伺服器電源、高電平脈沖電源適配器等高功率密度AC-DC電源。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201808/387242.htmNCP4305突破目前同步整流控制器的局限
當前市場(chǎng)上的同步整流控制器存在很多局限性:
1.功能單一,應用場(chǎng)合有限:只適用于某一拓撲而不涵蓋大多數拓撲,如只適用于反激(Flyback) 或LLC而不適用于正激(Forward);只適用于某一工作模式而不涵蓋大多數模式,如只適用于非連續導通模式(DCM)、準諧振(QR),而不適用于連續導通模式(CCM);
2.由于延遲導通和提前關(guān)斷整流管的時(shí)間過(guò)長(cháng),且導通和關(guān)斷門(mén)限無(wú)法編輯,因而無(wú)法最大限度提升能效。
安森美半導體的NCP4305突破上述局限,適用于Flyback、LLC、Forward等大多數主流拓撲,以及QR、DCM、CCM等多種工作模式,提供強大的8 A/4 A汲極/源極驅動(dòng)能力,更短的導通延遲和提前關(guān)斷,而且導通和關(guān)斷門(mén)限可調,有效提升系統能效。
NCP4305基本特性簡(jiǎn)介
NCP4305是NCP4303/4的升級版,支持高達1 MHz的工作頻率,提供大電流門(mén)驅動(dòng)器及高速邏輯電路,用于為同步整流MOSFET提供時(shí)序恰當的驅動(dòng)信號。由于其新穎的架構,能在任何工作模式下使同步整流系統保持高能效。工作電壓高達36 V,外部可調節的最小導通和關(guān)斷時(shí)間幫助解決由印制電路板 (PCB) 布線(xiàn)及其它寄生元件導致的諧振問(wèn)題,從而提供可靠及無(wú)噪聲的工作。典型值12 ns的極短關(guān)斷延遲時(shí)間使同步整流MOSFET導電時(shí)間延至最長(cháng),從而提升SMPS能效。零電流檢測(ZCD) 引腳耐壓能力高達200 V,允許在Flyback應用中將CS輸入直接連至MOSFET漏極。該器件使用開(kāi)爾文連接法以實(shí)現滿(mǎn)載時(shí)的高能效,采用輕載檢測架構以降低輕載時(shí)的功耗。NCP4305的其它特性還包括:門(mén)極驅動(dòng)自適應、精密的真正次級 ZCD、超低瞬態(tài)電流(50uA)、低啟動(dòng)電流和低待機電流等等。該器件的顯著(zhù)優(yōu)勢是能工作于深度CCM狀態(tài)中,且極大地改善輕載能效。
NCP4305可采用SOIC-8、DFN8和WDFN8三種封裝。MIN_TOFF 和MIN_TON引腳通過(guò)連接電阻到地,調節最小關(guān)斷和最小導通時(shí)間。LLD引腳用于在輕載時(shí)調節驅動(dòng)器鉗位電平,或關(guān)斷驅動(dòng)器。DRV引腳是同步整流MOSFET的驅動(dòng)器輸出。CS(電流采樣檢測)引腳用于檢測電流是否流過(guò)同步整流MOSFET。TRIG/DIS引腳提供超快關(guān)斷輸入,用作在CCM應用中關(guān)斷同步整流MOSFET以提升能效,當上拉超過(guò)100 us時(shí)激活禁用模式。

圖1. NCP4305引腳配置圖(上)和內部電路架構(下)
安森美半導體提供A、B、C、Q四個(gè)版本的NCP4305,其中A、C版本可用于氮化鎵(GaN)的驅動(dòng),Q版本具有設置最大導通時(shí)間的功能。
NCP4305工作原理詳解
圖2為NCP4305的典型應用原理圖。在LLC應用中,由于次級端有兩個(gè)MOSFET,且工作時(shí)序不同,所以需要兩個(gè)NCP4305分別控制。NCP4305主要用于次級端回路(即負端),但也可置于次級輸出的正端。當置于正端時(shí),必須額外添加輔助線(xiàn)圈為SR控制器提供電源,并添加一些元件到LLD電路中。

圖2. NCP4305 Flyback或QR應用原理圖(左)和LLC應用原理圖(右)
1.電流檢測
CS_OFF比較器是非常精密的真正的零比較器,通過(guò)同步整流將系統能效提升至最高。NCP4305的CS腳和SR MOSFET(M1)之間的電阻用來(lái)調節關(guān)斷電流。當CS腳電壓低于VTH_CS _ON閾值時(shí),M1 導通;當CS腳電壓高于VTH_CS _OFF閾值時(shí),M1關(guān)斷。

圖3. 電流檢測功能原理圖
由于在GND端和CS端之間不僅包括M1的導通電阻,還包括M1 管腳、PCB布線(xiàn)產(chǎn)生的寄生電感,而寄生效應會(huì )導致電流信號發(fā)生變化,從而導致驅動(dòng)器在電流降至0前提前關(guān)斷,能效降低。為減小寄生效應,M1管的封裝方式及PCB布線(xiàn)至關(guān)重要:GND引腳必須接至M1的源極,CS引腳必須接至M1的漏極,M1管盡量采用SMT封裝。

圖4. 寄生效應影響電流檢測
2.最小導通和關(guān)斷時(shí)間
NCP4305可設置最小導通和最小關(guān)斷時(shí)間,從而屏蔽由于同步整流管導通和關(guān)斷瞬間導致的噪聲。由于寄生效應,同步MOS管導通瞬間會(huì )產(chǎn)生電壓噪聲。最小的導通時(shí)間設置將避免比較器錯誤地關(guān)斷同步MOS管。同步MOS管關(guān)斷瞬間會(huì )產(chǎn)生電壓噪聲,且在DCM的退磁階段產(chǎn)生振蕩。最小關(guān)斷時(shí)間能夠屏蔽噪聲并防止同步MOS管錯誤地開(kāi)通。當CS壓降低于CSTH_RESET閾值時(shí),最小關(guān)斷時(shí)間有隨時(shí)重啟的特性。這種特性,適合于應用在DCM工作模式。
3.自同步整流
NCP4305的TRIG引腳用來(lái)控制SR的驅動(dòng)輸出,也可用來(lái)與系統同步。只有當TRIG腳電平低于閾值電壓且最小關(guān)斷時(shí)間達到以后,SR驅動(dòng)才會(huì )正常工作。在受寄生效應干擾的系統中,該器件啟動(dòng)進(jìn)行自同步,這自同步特性提供靈活的控制功能。
4.觸發(fā)功能在CCM中提升能效
在CCM應用中,當初級端MOS管導通時(shí),通過(guò)隔離驅動(dòng)器強制使次級端MOS管關(guān)斷;當初級端MOS管關(guān)斷, TRIG腳功能使次級端MOS管導通。這種交替導通特性大大提高系統能效。如圖5所示,無(wú)觸發(fā)功能的初級端和次級端驅動(dòng)信號交疊的時(shí)間為40 ns,遠大于帶觸發(fā)功能的12 ns,也就是說(shuō),觸發(fā)功能將縮短延遲時(shí)間,從而降低損耗。

圖5. 觸發(fā)功能在CCM中提升能效
5.Q版本最大導通時(shí)間功能使QR控制器工作在CCM模式
QR控制器可代替觸發(fā)功能。通過(guò)添加一些元件增添最大導通時(shí)間設置功能,可使QR控制器強制工作在CCM模式。當最大導通時(shí)間超過(guò)設定值,提前關(guān)斷SR晶體管(仍有一些電流流過(guò)次級端電路)。關(guān)斷SR晶體管的信息被小信號變壓器轉移到產(chǎn)生偽ZCD狀況的初級端,所以QR控制器可在次級端電流消失前轉向初級晶體管,最終進(jìn)入CCM模式,這使變壓器可轉換比在DCM模式更多的能量,為QR帶來(lái)最大峰值功率優(yōu)勢,可大大提升重載時(shí)的能效。
6.自適應驅動(dòng)器鉗位電壓
同步整流系統用于SMPS應用時(shí),可大大提升系統在重載或滿(mǎn)載時(shí)的能效。然而,在輕載或無(wú)載條件下,SR MOSFET和SR控制器會(huì )產(chǎn)生功耗。NCP4305的自適應驅動(dòng)器鉗位電壓特性可使輸出電壓隨負載而變化,從而優(yōu)化輕載和無(wú)載條件下的能效。輸出電壓可通過(guò)LLD引腳從0調至其最大電壓。在Flyback應用中,LLD電路用于間接測量輸出功率,并據此調節驅動(dòng)器輸出電壓或進(jìn)入禁用模式;在LLC應用中,LLD電路用于測量跳周期模式的占空比,并據此改變驅動(dòng)器輸出電壓或進(jìn)入禁用模式。
結語(yǔ)
安森美半導體新一代同步整流驅動(dòng)控制器NCP 4305采用精密的真正零關(guān)斷比較器,可設置最小的導通和關(guān)斷時(shí)間,其自同步、極短關(guān)斷延遲時(shí)間、強大的驅動(dòng)能力、自適應門(mén)極驅動(dòng)等特性可將整流損耗降至最低,使其在任何負載條件下都能保持最高能效。該器件可兼容DCM/CCM Flyback、QR Flyback、正激及半橋諧振 LLC等多種拓撲,用于高功率密度AC-DC電源的SMPS設計中以實(shí)現更高能效。
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