DDRx的關(guān)鍵技術(shù)介紹

首先小編就幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù)再給大家介紹一下。

差分時(shí)鐘技術(shù)

差分時(shí)鐘是DDR的一個(gè)重要且必要的設計，但大家對CK#(CKN)的作用認識很少，很多人理解為第二個(gè)觸發(fā)時(shí)鐘，其實(shí)它的真實(shí)作用是起到觸發(fā)時(shí)鐘校準的作用。

由于數據是在CK的上下沿觸發(fā)，造成傳輸周期縮短了一半，因此必須要保證傳輸周期的穩定以確保數據的正確傳輸，這就要求CK的上下沿間距要有精確的控制。但因為溫度、電阻性能的改變等原因，CK上下沿間距可能發(fā)生變化，此時(shí)與其反相的CK#(CKN)就起到糾正的作用(CK上升快下降慢，CK#則是上升慢下降快)，如下圖一所示。

圖一 差分時(shí)鐘示意圖

數據選取脈沖(DQS)

就像時(shí)鐘信號一樣，DQS也是DDR中的重要功能，它的功能主要用來(lái)在一個(gè)時(shí)鐘周期內準確的區分出每個(gè)傳輸周期，并便于接收方準確接收數據。每一顆8bit DRAM芯片都有一個(gè)DQS信號線(xiàn)，它是雙向的，在寫(xiě)入時(shí)它用來(lái)傳送由主控芯片發(fā)來(lái)的DQS信號，讀取時(shí)，則由DRAM芯片生成DQS向主控發(fā)送。完全可以說(shuō)，它就是數據的同步信號。

在讀取時(shí)，DQS與數據信號同時(shí)生成(也是在CK與CK#的交叉點(diǎn))。而DDR內存中的CL也就是從CAS發(fā)出到DQS生成的間隔，數據真正出現在數據I/O總線(xiàn)上相對于DQS觸發(fā)的時(shí)間間隔被稱(chēng)為tAC。實(shí)際上，DQS生成時(shí)，芯片內部的預取已經(jīng)完畢了，由于預取的原因，實(shí)際的數據傳出可能會(huì )提前于DQS發(fā)生(數據提前于DQS傳出)。由于是并行傳輸，DDR內存對tAC也有一定的要求，對于DDR266，tAC的允許范圍是±0.75ns，對于DDR333，則是±0.7ns，其中CL里包含了一段DQS的導入期。

DQS 在讀取時(shí)與數據同步傳輸，那么接收時(shí)也是以DQS的上下沿為準嗎?不，如果以DQS的上下沿區分數據周期的危險很大。由于芯片有預取的操作，所以輸出時(shí)的同步很難控制，只能限制在一定的時(shí)間范圍內，數據在各I/O端口的出現時(shí)間可能有快有慢，會(huì )與DQS有一定的間隔，這也就是為什么要有一個(gè)tAC規定的原因。而在接收方，一切必須保證同步接收，不能有tAC之類(lèi)的偏差。這樣在寫(xiě)入時(shí)，DRAM芯片不再自己生成DQS，而以發(fā)送方傳來(lái)的DQS為基準，并相應延后一定的時(shí)間，在DQS的中部為數據周期的選取分割點(diǎn)(在讀取時(shí)分割點(diǎn)就是上下沿)，從這里分隔開(kāi)兩個(gè)傳輸周期。這樣做的好處是，由于各數據信號都會(huì )有一個(gè)邏輯電平保持周期，即使發(fā)送時(shí)不同步，在DQS上下沿時(shí)都處于保持周期中，此時(shí)數據接收觸發(fā)的準確性無(wú)疑是最高的，如下圖二所示。

圖二 數據時(shí)序

數據掩碼技術(shù)(DQM)

不是DDR所特有的，但對于DDR來(lái)說(shuō)也是比較重要的技術(shù)，所以一并介紹下。

為了屏蔽不需要的數據，人們采用了數據掩碼(Data I/O Mask，簡(jiǎn)稱(chēng)DQM)技術(shù)。通過(guò)DQM，內存可以控制I/O端口取消哪些輸出或輸入的數據。這里需要強調的是，在讀取時(shí)，被屏蔽的數據仍然會(huì )從存儲體傳出，只是在“掩碼邏輯單元”處被屏蔽。

DQM由主控芯片控制，為了精確屏蔽一個(gè)P-Bank位寬中的每個(gè)字節，每個(gè)64bit位寬的數據中有8個(gè)DQM信號線(xiàn)，每個(gè)信號針對一個(gè)字節。這樣，對于4bit位寬芯片，兩個(gè)芯片共用一個(gè)DQM 信號線(xiàn)，對于8bit位寬芯片，一個(gè)芯片占用一個(gè)DQM信號，而對于16bit位寬芯片，則需要兩個(gè)DQM引腳。SDRAM 官方規定，在讀取時(shí)DQM發(fā)出兩個(gè)時(shí)鐘周期后生效，而在寫(xiě)入時(shí)，DQM與寫(xiě)入命令一樣是立即生效，如下圖三和四分別顯示讀取和寫(xiě)入時(shí)突發(fā)周期的第二筆數據被取消。

圖三 讀取時(shí)數據掩碼操作

圖四 寫(xiě)入時(shí)數據掩碼操作

所以DQM信號的作用就是對于突發(fā)寫(xiě)入，如果其中有不想存入的數據，就可以運用DQM信號進(jìn)行屏蔽。DQM信號和數據信號同時(shí)發(fā)出，接收方在DQS的上升與下降沿來(lái)判斷DQM的狀態(tài)，如果DQM為高電平，那么之前從DQS中部選取的數據就被屏蔽了。

有人可能會(huì )覺(jué)得，DQM是輸入信號，意味著(zhù)DRAM芯片不能發(fā)出DQM信號給主控芯片作為屏蔽讀取數據的參考。其實(shí)，該讀哪個(gè)數據也是由主控芯片決定的，所以DRAM芯片也無(wú)需參與主控芯片的工作，哪個(gè)數據是有用的就留給主控芯片自己去選擇。

好了，前面介紹了DQS的功能，那么我們在測試時(shí)根據DQS和DQ的波形是如何區分數據的讀寫(xiě)操作的?

在DDRx里面經(jīng)常會(huì )被一些縮寫(xiě)誤擾，如OCD、OCT和ODT，我想有同樣困擾的大有人在，現在筆者來(lái)介紹一下大家的這些困擾吧。

片外驅動(dòng)調校OCD(Off-Chip Driver)

OCD是在DDR-II開(kāi)始加入的新功能，而且這個(gè)功能是可選的，有的資料上面又叫離線(xiàn)驅動(dòng)調整。OCD的主要作用在于調整I/O接口端的電壓，來(lái)補償上拉與下拉電阻值，從而調整DQS與DQ之間的同步確保信號的完整與可靠性。調校期間，分別測試DQS高電平和DQ高電平，以及DQS低電平和DQ高電平的同步情況。如果不滿(mǎn)足要求，則通過(guò)設定突發(fā)長(cháng)度的地址線(xiàn)來(lái)傳送上拉/下拉電阻等級(加一檔或減一檔)，直到測試合格才退出OCD操作，通過(guò)OCD操作來(lái)減少DQ、DQS的傾斜從而提高信號的完整性及控制電壓來(lái)提高信號品質(zhì)。具體調校如下圖五所示。

圖五 OCD

不過(guò)，由于在一般情況下對應用環(huán)境穩定程度要求并不太高，只要存在差分DQS時(shí)就基本可以保證同步的準確性，而且OCD 的調整對其他操作也有一定影響，因此OCD功能在普通臺式機上并沒(méi)有什么作用，其優(yōu)點(diǎn)主要體現在對數據完整性非常敏感的服務(wù)器等高端產(chǎn)品領(lǐng)域。