DDRx的關(guān)鍵技術(shù)介紹
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正是由于POD電平的這一特性，DDR4設計了DBI功能。當一個(gè)字節里的“0”比特位多于“1”時(shí)，可以使能DBI，將整個(gè)字節的“0”和“1”反轉，這樣“1”比“0”多，相比原(反轉前)傳輸信號更省功耗，如下表一所示。
表一 DBI示例
以上就是DDRx的一些主要的關(guān)鍵技術(shù)介紹，可以用如下表二所示來(lái)總結下DDRx的特性對比。
表二 DDRx SDRAM特性對比
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正是由于POD電平的這一特性，DDR4設計了DBI功能。當一個(gè)字節里的“0”比特位多于“1”時(shí)，可以使能DBI，將整個(gè)字節的“0”和“1”反轉，這樣“1”比“0”多，相比原(反轉前)傳輸信號更省功耗，如下表一所示。
表一 DBI示例
以上就是DDRx的一些主要的關(guān)鍵技術(shù)介紹，可以用如下表二所示來(lái)總結下DDRx的特性對比。
表二 DDRx SDRAM特性對比
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