紫光國微：國產(chǎn)DDR4內存芯片預計年底推向市場(chǎng)

　　國產(chǎn)內存制造商紫光國微在深交所互動(dòng)平臺上表示，目前國產(chǎn)DDR4內存芯片正在順利研發(fā)中，紫光國微預計今年底就可以將DDR4內存顆粒推向市場(chǎng)。

　　之前紫光國微副總裁杜林虎已經(jīng)表示，未來(lái)紫光國微會(huì )在DRAM存儲器芯片產(chǎn)品方面加大投入，對于公司來(lái)說(shuō)，DDR3內存芯片是主流，而DDR4芯片會(huì )在年內完成設計和生產(chǎn)。

　　紫光DDR4內存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM開(kāi)發(fā)。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C-21P”、“SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM的2個(gè)型號為“SCQ04GS03AF1C-21P”、“SCQ08GS13AF1C-21P”。