砷化鋁鎵 (AlGaAs)技術(shù)簡(jiǎn)介

AlGaAs技術(shù)在微波行業(yè)采用能隙工程生產(chǎn)新型半導體結構已有二十多年的歷史。利用多量子阱、超晶格和異質(zhì)結的各種性質(zhì)，已制造出由分子束外延法和有機金屬化學(xué)氣相沉積法生長(cháng)的新型半導體。這些帶隙原理已應用于MACOM AlGaAs技術(shù)的開(kāi)發(fā)，因此推動(dòng)了PIN二極管射頻性能的大幅提升。

主要優(yōu)勢

與等效的GaAs PIN結構相比，改善了回波損耗、插入損耗和P-1dB指標

分立式異質(zhì)結AlGaAs PIN二極管在10 mA偏流條件下展現了將高頻插入損耗降低兩倍的性能

主要應用

工業(yè)、科學(xué)和醫療

測試和測量

無(wú)線(xiàn)回傳

航空航天與國防

AlGaAs PIN開(kāi)關(guān)

優(yōu)勢：

超波段帶寬容量

低電流消耗

緊湊芯片尺寸

提供集成偏壓網(wǎng)絡(luò )

BCB刮擦保護特性：

工作頻率超過(guò)100 GHz

高隔離度

低插入損耗

提供最高40 W CW的功率處理能力

提供反射和終端版本

MACOM獨一無(wú)二的AlGaAs技術(shù)

氮化硅鈍化

AlGaAs PIN開(kāi)關(guān)產(chǎn)品

MACOM致力于發(fā)展AlGaAs技術(shù)

借助MACOM在GaAs技術(shù)方面的專(zhuān)業(yè)知識，我們研發(fā)出了諸如AlGaAs異質(zhì)結構這類(lèi)更復雜的高性能技術(shù)。依托我們Lowell Massachusetts晶圓廠(chǎng)研發(fā)的這項技術(shù)，我們進(jìn)一步鞏固了適合多重市場(chǎng)應用的PIN二極管和開(kāi)關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)領(lǐng)先地位。

—Doug Carlson MACOM 技術(shù)開(kāi)發(fā)副總裁