主動(dòng)式 FPGA 穩定電源定序解決方案

確保多重 FPGA 電軌依正確順序關(guān)閉，跟確保開(kāi)機程序是否正確一樣重要，可避免裝置因電壓狀態(tài)無(wú)法判斷而提早出現故障。

電源定序的安全考慮

在啟動(dòng)目前的大型系統單芯片 FPGA 的多重電軌時(shí)，有許多技巧可用來(lái)控制其啟動(dòng)順序和時(shí)序。遵照裝置制造商所指定的正確順序甚為重要，如此可避免裝置抽取過(guò)多電流而導致?lián)p壞。

有些方法是透過(guò)操縱各轉換器的電源良好輸出，來(lái)控制順序中下一個(gè)供應的 Enable 腳位。如需要繼電器，可插入電容器。另一種類(lèi)似的方式則是使用重置 IC，在前一個(gè)供電達到所要求的電壓后啟動(dòng)下一個(gè)轉換器。每種方法都有一些缺點(diǎn)，且這些方法都無(wú)法控制電源關(guān)閉的順序。依正確的相反順序關(guān)閉電軌，跟開(kāi)啟電源順序是否正確一樣重要，都是為了確保裝置能安全運作。

使用專(zhuān)用的電源定序 IC，則更能穩定確保其順序正確。IC 可程序化，在所要的時(shí)間點(diǎn)分別傳送 Enable 訊號。圖 1 顯示多信道序列發(fā)生器如何管理 FPGA 核心邏輯、周邊和 I/O 電域。即使如此，電源關(guān)閉順序仍舊難以控制，因為每個(gè)電軌上的去耦合電容器在轉換器關(guān)閉后仍可能殘留電荷，且殘留時(shí)間不一定，而每個(gè)電軌最多可能連接多達 20mF 的總去耦合電容。

圖 1. 透過(guò)定序 IC 管理 FPGA 電軌。

電源關(guān)閉控制

使用具有已知時(shí)間常數的電路，主動(dòng)將去耦合電容器放電，序列發(fā)生器便能維持正確的電源關(guān)閉順序，其做法是在串聯(lián)的電容器中暫時(shí)插入放電電阻器。圖 2 顯示如何在加入最少必要組件下，使用一對細心挑選的 MOSFET 將電阻器插入電路中。

電源序列發(fā)生器的 EN 輸出連接到 DC-DC 穩壓器的 Enable 腳位，也連接到 P 通道 MOSFET (Q1) 的閘極。序列發(fā)生器輸出降低停用 DC-DC 穩壓器時(shí)，Q1 便會(huì )反轉訊號，開(kāi)啟 N 信道 MOSFET Q2。開(kāi)啟時(shí)，Q2 會(huì )透過(guò) R2 電阻使 15mF 去耦合電容器放電到接地。

圖 2. 控制電源定序的主動(dòng)放電電路。

圖中的電路假設 DC-DC 穩壓器在提供關(guān)機訊號后無(wú)法持續產(chǎn)生輸出。假如 DC-DC 穩壓器的輸出能在收到關(guān)機指令后持續供應電源，則需要額外的繼電器才能啟動(dòng)放電電路。

選擇的 R2 值必須能確保適當的放電時(shí)間，讓序列發(fā)生器能在可接受的時(shí)間間隔內完成關(guān)機。另外還要注意的是，電阻必須夠大，才能避免電流尖峰值上升率過(guò)快，避免引發(fā) EMI 問(wèn)題，以及對 Q2 和去耦合電容器組造成瞬態(tài)熱應力。實(shí)務(wù)上，選擇 R2 值時(shí)需考慮一些額外的重要參數，像是 Q2 的導通電阻 (RDS(ON)) 和電容器組的等效串聯(lián)電阻 (ESR)。

選擇 MOSFET Q1 時(shí)應參考電源序列發(fā)生器的輸出電壓閾值。所選的裝置應有夠高的閘極閾值電壓 (VGS(th))，確保序列發(fā)生器輸出為高電位時(shí)能保持關(guān)閉，但要注意的是，VGS(th) 會(huì )隨接面溫度上升而下降。本范例中選擇的序列發(fā)生器操作供應電壓為 5V，最小指定高電位輸出電壓為 4.19V。Q1 的 VGS(th) 在 60°C 環(huán)境操作溫度下必須大于 0.9V，以確保運作正常。此外，閘極應使用 100k 電阻下拉至源極電位，以避免誤開(kāi)。查看 MOSFET 數據表中 VGS(th) 與溫度的標準化曲線(xiàn)，顯示 Diodes 公司的 ZXMP6A13F 符合要求：保證最小 VGS(th) 在室溫下為 1V，到 60°C 則下降至 0.9V 左右。

在此范例中，我們假設序列發(fā)生器必須在 100ms 內關(guān)閉總共 10V 的電軌。因此，每個(gè)電軌的去耦合電容器組必須在 10ms 內完成放電。目標是達成 RC 時(shí)間常數 8ms 的 3 倍，確保電容器在要求時(shí)間內放電到全電壓的 5% 以下。計算 RC 常數時(shí)，電容器組的 MOSFET RDS(ON)、寄生線(xiàn)路電阻和 ESR 都必須與電阻器 R2 一同納入考慮。

假設電容器 ESR 和線(xiàn)路電阻加起來(lái)不超過(guò) 10m，去耦合電容器組的總電容值為 15mF，則 RDS(ON) 和 R2 的適當值可用下列表達式求得：

3 x (10mΩ + R2 + (1.5 x RDS(ON))) x 15mF = 8ms

假設 R2 = 50mΩ，功率 MOSFET Q2 的 RDS(ON) 在 VGS = 4.5V 且環(huán)境溫度為 25C 下必須小于 80mΩ。

選擇 MOSFET 時(shí)，溫度相關(guān)變動(dòng)的效應和 RDS(ON) 的批量變異也應考慮在內。RDS(ON) 在 4.5V 閘極驅動(dòng)下、超出預期作業(yè)溫度范圍時(shí)的變異可能高達 15mΩ。因此最好的做法是，確定 R2 為所選 MOSFET 之制造商指定最大 RDS(ON) 的兩倍左右。如果 R2 為 50m，則可選用 Diodes 公司的 DMN3027LFG N 通道 MOSFET。此裝置在 VGS = 4.5V、室溫下的 RDS(ON) 典型值和最大值分別為 22m 和 26.5m。因此，RDS(ON) 變化可從 15mΩ 到 40mΩ，放電時(shí)間從 95% (3 倍 RC) 的 3.9ms 起跳，使用最差 20mF 大小的電容器組時(shí)放電時(shí)間則可能拉長(cháng)到 5.4ms。

MOSFET 夠耐用嗎?

DMN3027LFG 會(huì )隨時(shí)間以電流和電壓為函數消耗電容器內的能源，因此有需要評估最大單一脈沖，讓功率 MOSFET 能夠安全應付，同時(shí)確保接面溫度不會(huì )超過(guò)絕對最高額定典型值 TJ(max) = 150°C。相關(guān)詳細資料可查看 MOSFET 數據表中的安全操作區 (SOA)。SOA 應以所需的 MOSFET 閘極驅動(dòng)器應用的環(huán)境操作溫度為基礎。在使帶 0.9V 電荷的電容器組放電時(shí)，可接受的 SOA 曲線(xiàn)應指出單一脈沖尖峰電流量為至少 1V，脈沖寬度介于 1ms 至 10ms。SOA 應適用于一般的應用環(huán)境溫度，安裝在使用最少散熱器 (亦稱(chēng)最小建議墊片 (MRP) 配置) 下的電路板上時(shí)，亦即假設的 60°C。

此外也需要考慮 DMN3027LFG (Q2) MOSFET 和 R2 串聯(lián)電阻的功耗。最糟的使用情況，就是在很短的時(shí)間內對電容器進(jìn)行充放電。假設最糟情況下，電源序列發(fā)生器可進(jìn)入連續回路，每隔 20ms 啟動(dòng)一次 DC-DC 穩壓器并接著(zhù)停用 (10ms 啟用 + 10ms 停用)，DMN3027LFG 和 R2 將會(huì )有大約 0.5W 的功耗。這是從電容器組儲存的已知總能源會(huì )每隔 20ms 放電計算得到：

P = E ÷ t = ½CV2 ÷ 20ms = 500mW (假設 C = 20mF，充電至 1V)

DMN3027LFG 的最大溫度調整 RDS(ON) 為 40mΩ，因此 Q2 和 R2 的功耗分別為 222mW 和 278mW。若 RDS(ON) 為較低的 15mΩ，R2 的功耗將增加到 385mW，因此需使用 0.5W 額定值的電阻。

在一般應用中，環(huán)境溫度預期接近 60°C，而 DMN3027LFG 在最小建議墊片配置下的接面至環(huán)境熱電阻 (RθJA) 為 130°C/W，功耗達 222mW 時(shí) TJ 接近 90°C。這表示 TJ(max) = 150°C 還有很多預留空間。

圖 3 顯示電路實(shí)際運作方式。尖峰電流限制在大約 12.5A，電容器組從初始 1V 充電狀態(tài)下放電至 5% 的時(shí)間約為 4ms，此數值接近理論值的計算結果。

圖 3.在控制時(shí)間和限制放電電流下關(guān)閉單一電軌。

結論

依照正確順序關(guān)閉個(gè)別電源供應，跟確定開(kāi)機順序是否正確一樣重要，都是為了避免復雜的多軌式 FPGA 損壞。讓去耦合電容器主動(dòng)放電，有助于穩定確保每個(gè)電軌能在已知的時(shí)間內關(guān)閉。在選擇主動(dòng)放電電路的組件，也就是主要的串聯(lián)電阻器和主要 MOSFET 開(kāi)關(guān)時(shí)，應確保組件具備適當的時(shí)間常數，且能耐受最糟的電源循環(huán)條件下所造成的應力。