英利牽頭主編的多晶硅片、硅錠晶體國家標準將填補國內空白

　　12月4日，記者從英利集團了解到，該公司牽頭主編的《太陽(yáng)能級多晶硅片、硅錠晶體缺陷密度測定方法》國家標準順利進(jìn)入報批階段，預計2018年發(fā)布，將填補國內多晶硅片、硅錠晶體缺陷密度測試方法的空白。

　　據了解，國家標準《太陽(yáng)能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法》是采用酸性混合液對硅片表面進(jìn)行化學(xué)拋光，再使用腐蝕液對硅片進(jìn)行化學(xué)腐蝕，硅晶體缺陷被優(yōu)先腐蝕并顯現出來(lái)，通過(guò)對不同位置的硅錠取樣片，測量得到不同部位硅片樣片的晶體缺陷密度，其最終結果可以表征硅錠的晶體缺陷密度。

　　近年來(lái)，英利集團大力實(shí)施標準化戰略，高度重視標準化工作，已經(jīng)主持制定和參與制定IEC標準、國家標準、行業(yè)標準等各類(lèi)標準共計77項，主持制定和參與制定標準總數量位居光伏行業(yè)前列。