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功率穩壓逆變電源電路設計—電路圖天天讀(263)

作者: 時(shí)間:2017-10-28 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

  本文介紹了一種功率穩壓,具有工作穩定可靠、輸入功率因數高、輸出精 度高、波形失真度小、效率高的優(yōu)點(diǎn)。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201710/368998.htm

  采用 PWM 穩壓系統,可使啟動(dòng)瞬間降壓幅度明顯減小。無(wú)論電風(fēng)扇還是電冰箱,應用供電時(shí),均應在輸出端增設圖 1 中的 LC 濾波器,以改善波形,避免脈沖上升沿尖峰擊穿電機繞組。

  采用雙極型開(kāi)關(guān)管的,基極驅動(dòng)電流基本上為開(kāi)關(guān)電流的 1/ β,因此大電流開(kāi)關(guān)電路必須采用多級放大,不僅使電路復雜化,可靠性也變差而且隨著(zhù)輸出功 率的增大,開(kāi)關(guān)管驅動(dòng)電流需大于集電極電流的 1/β, 致使普通驅動(dòng) IC 無(wú)法直接驅動(dòng)。 雖說(shuō)采用多級放大可以達到目的, 但是波形失真卻明顯增大, 從而導致開(kāi) 關(guān)管的導通/截止損耗也增大。 目前解決大功率及 UPS 的驅動(dòng)方案,大多采用 MOSFET 管作開(kāi)關(guān)器件。

  MOSFET 的驅動(dòng)

  近年來(lái), 隨著(zhù) MOSFET 生產(chǎn)工藝的改進(jìn), 各種開(kāi)關(guān)電源、 變換器都廣泛采用 MOSFET 管作為高頻高壓開(kāi)關(guān)電路, 但是, 專(zhuān)用于驅動(dòng) MOSFET 管的集成電 路國內極少見(jiàn)。 驅動(dòng) MOSFET管的要求是,低輸出阻抗,內設灌電流驅動(dòng)電路。所以,普通用于雙極型開(kāi)關(guān)管的驅動(dòng) IC不能直接用于驅動(dòng)場(chǎng)效應管。

  目前就世界范圍來(lái)說(shuō),可直接驅動(dòng) MOSFET 管的 IC 品種仍不多,單端驅動(dòng)器常用的 是UC3842 系列, 而用于推挽電路雙端驅動(dòng)器有 SG3525A(驅動(dòng) N 溝道場(chǎng)效應管)、 SG3527A(驅動(dòng) P 溝道場(chǎng)效應管) 和 SG3526N(驅動(dòng) N 溝道場(chǎng)效應管)。然而在開(kāi)關(guān)電源快速發(fā)展的近 40年中,畢竟有了一大批 優(yōu)秀的、功能完善的雙端輸出驅動(dòng) IC.同時(shí)隨著(zhù) MOSFET 管應用普及,又開(kāi)發(fā)了不少新電路,可將其用于驅動(dòng) MOSFET 管,解決 MOSFET 的驅動(dòng)無(wú)非 包括兩個(gè)內容: 一是降低驅動(dòng) IC 的輸出阻抗; 二是增設 MOSFET 管的灌電流通路。 為此, 不妨回顧 SG3525A、SG3527A、SG3526N 以及單 端驅動(dòng)器 UC3842 系列的驅動(dòng)級。

  圖 2a 為上述 IC 的驅動(dòng)輸出電路(以其中一路輸出為例)。振蕩器的輸出脈沖經(jīng)或非門(mén),將脈沖上升沿和下降沿輸出兩路時(shí)序不同的驅動(dòng)脈沖。在脈沖正程期 間,Q1 導通,Q2 截止,Q1 發(fā)射極輸出的正向脈沖, 向開(kāi)關(guān)管柵極電容充電, 使漏-源極很快達到導通閾值。 當正程脈沖過(guò)后, 若開(kāi)關(guān)管柵-源極間充電電荷不 能快速放完, 將使漏源極驅動(dòng)脈沖不能立即截止。為此,Q1 截止后,或非門(mén)立即使 Q2 導通,為柵源極電容放電提供通路。此驅動(dòng)方式中,Q1 提供驅動(dòng)電 流,Q2 提供灌電流(即放電電流)。Q1 為發(fā)射極輸出器,其本身具有極低的輸出阻抗。

  為了達到上述要求,將普通用于雙極型開(kāi)關(guān)管驅動(dòng)輸出接入圖 2b 的外設驅動(dòng)電路,也可以滿(mǎn)足 MOSFET 管的驅動(dòng)要求。 設計驅動(dòng)雙極型開(kāi)關(guān)管的集成電路, 常 采用雙端圖騰柱式輸出兩路脈沖,即兩路輸出脈沖極性是相同的,以驅動(dòng)推挽的兩只 NPN 型三極管。為了讓推挽兩管輪流導通,兩路驅動(dòng)脈沖的時(shí)間次序不同。如 果第一路輸出正脈沖,經(jīng)截止后,過(guò)一死區時(shí)間, 第二路方開(kāi)始輸出。 兩路驅動(dòng)級采用雙極型三極管集射極開(kāi)路輸出, 以便于取得不同的脈沖極性,用于驅動(dòng) NPN 型或 PNP 型開(kāi)關(guān)管。

  前級驅動(dòng) IC 內部緩沖器的發(fā)射極,在負載電阻 R1 上建立未倒相的正極性驅動(dòng)脈沖使三極管 Q 截止。在驅動(dòng)脈沖上升沿開(kāi)始,正極性脈沖通過(guò)二極管 D 加到 MOSFET 開(kāi)關(guān)管柵-源極,對柵源極電容 CGS 充電,當充電電壓達到開(kāi)關(guān)管柵極電壓閾值時(shí),其漏源極導通。正脈沖持續期過(guò)后, IC 內部緩沖放大器發(fā)射極 電平為零, 輸出端將有一定時(shí)間的死區。 此時(shí),Q 的發(fā)射極帶有 CGS 充電電壓,因而 Q 導通,CGS 通過(guò) Q 的 ec 極放電,Q 的集電極電流為灌電流通路。 R2 為 開(kāi)關(guān)管的柵極電阻, 目的是避免開(kāi)關(guān)管的柵極在 Q、 D 轉換過(guò)程中懸空, 否則其近似無(wú)窮大的高輸入阻抗極容易被干擾電平所擊穿。 采用此方式利用普通雙端輸出集 成電路,驅動(dòng) MOSFET 開(kāi)關(guān)管,可達到比較理想的效果。為降低導通 /截止損耗,D應選用快速開(kāi)關(guān)二極管.Q 的集電極電流應根據開(kāi)關(guān)管決定, 若為了提高輸 出功率, 每路輸出采用多只 MOSFET 管并聯(lián)應用,則應選擇 ICM 足夠大的灌流三極管和高速開(kāi)關(guān)二極管。

  TL494 應用

  目前所有的雙端輸出驅動(dòng) IC 中, 可以說(shuō)美國德州儀器公司開(kāi)發(fā)的 TL494 功能最完善、 驅動(dòng)能力最強,其兩路時(shí)序不同的輸出總電流為 SG3525 的兩倍,達到 400mA.僅此一點(diǎn),使輸出功率千瓦級及以上的開(kāi)關(guān)電源、DC/DC 變換器、,幾乎無(wú)一例外地采用 TL494.雖然 TL494 設計用于驅動(dòng)雙極型開(kāi)關(guān)管,然而目前絕大部分采用 MOSFET 開(kāi)關(guān)管的設備, 利用外設灌流電路,也廣泛采用 TL494 。為此,本節中將詳細介紹 其功能及應用電路。其內部方框圖如圖 3 所示。其內部電路功能、特點(diǎn)及應用方法如下:

  A.內置 RC 定時(shí)電路設定頻率的獨立鋸齒波振蕩器 , 其振蕩頻率 fo(kHz)=1.2/R(kΩ)。 C(μF),其最高振蕩頻率可達 300kHz, 既能驅動(dòng)雙極性開(kāi)關(guān)管,增設灌電流通路后,還能驅動(dòng)MOSFET 開(kāi)關(guān)管。

  B.內部設有比較器組成的死區時(shí)間控制電路, 用外加電壓控制比較器的輸出電平, 通過(guò)其輸出電平使觸發(fā)器翻轉, 控制兩路輸出之間的死區時(shí)間。 當第 4 腳電平升高時(shí), 死區時(shí)間增大。

  C.觸發(fā)器的兩路輸出設有控制電路, 使 Q1、 Q2 既可輸出雙端時(shí)序不同的驅動(dòng)脈沖, 驅動(dòng)推挽開(kāi)關(guān)電路和半橋開(kāi)關(guān)電路,同時(shí)也可輸出同相序的單端驅動(dòng)脈沖,驅動(dòng)單端開(kāi)關(guān)電路。

  D.內部?jì)山M完全相同的誤差放大器, 其同相輸入端均被引出芯片外, 因此可以自由設定其基準電壓,以方便用于穩壓取樣,或利用其中一種作為過(guò)壓、過(guò)流超閾值保護。

  E.輸出驅動(dòng)電流單端達到 400mA, 能直接驅動(dòng)峰值電流達 5A 的開(kāi)關(guān)電路。雙端輸出脈沖峰值為 2×200mA,加入驅動(dòng)級即能驅動(dòng)近千瓦的推挽式和橋式電路。

  電壓不超過(guò) VCC+0.3V.第 2、15 腳為誤差放大器 A1、A2 的反相輸入端??山尤胝`差檢出的基準電壓。 第 3 腳為誤差放大器 A1、 A2 的輸出端。 集成電路內部用于控制 PWM 比較器的同相輸入端,當 A1、 A2 任一輸出電壓升高時(shí),控制 PWM 比較器的輸出脈寬減小。同時(shí),該輸出端還引出端外,以便與第 2、15 腳間接入 RC 頻率校正電路和直接負反饋電路,一則 穩定誤差放大器的增益,二則防止其高頻自激。另外,第 3 腳電壓反比于輸出脈寬,也可利用該端功能實(shí)現高電平保護。 第 4 腳為死區時(shí)間控制端。 當外加 1V 以下 的電壓時(shí),死區時(shí)間與外加電壓成正比。如果電壓超過(guò) 1V,內部比較器將關(guān)斷觸發(fā)器的輸出脈沖。第 5腳為鋸齒波振蕩器外接定時(shí)電容端,第 6 腳為鋸齒波振蕩器 外接定時(shí)電阻端,一般用于驅動(dòng)雙極性三極管時(shí)需限制振蕩頻率小于 40kHz. 第 7 腳為接地端。第 8、11 腳為兩路驅動(dòng)放大器 NPN 管的集電極開(kāi)路輸出端。 當第 8、11 腳接 Vcc, 第 9、10 腳接入發(fā)射極負載電阻到地時(shí),兩路為正極性圖騰柱式輸出,用以驅動(dòng)各種推挽開(kāi)關(guān)電路。當第 8、11 腳接地時(shí),兩路為同 相位驅動(dòng)脈沖輸出。第 8、11 腳和 9、10 腳可直接并聯(lián),雙端輸出時(shí)最大驅動(dòng)電

  流為 2×200mA, 并聯(lián)運用時(shí)最大驅動(dòng)電流為 400mA.第 14 腳為內部 基準電壓精密穩壓電路端。 輸出 5V ±0.25V 的基準電壓, 最大負載電流為 10mA. 用于誤差檢出基準電壓和控制模式的控制電壓。TL494 的極限參數: 最高瞬間工作電壓(12 腳)42V,最大輸出電流 250mA,最高誤差輸入電壓 Vcc+0.3V,測試/環(huán)境溫度≤45℃,最大允許功耗 1W,最高結溫 150℃,使用溫度范圍 0~70 ℃,保存溫度-65~+150 ℃。

  TL494 的標準應用參數: Vcc(第 12 腳)為 7~40V, Vcc1(第 8 腳)、 Vcc2(第 11 腳)為 40V, Ic1、Ic2 為 200mA , RT 取值范圍 1.8~500kΩ , CT 取值范圍 4700pF~10μF ,最高振蕩頻率(fOSC)≤300kHz。

  圖 4 為外刊介紹的利用 TL494 組成的 400W 大功率穩壓逆變器電路。它激式變換部分采用TL494, VT1、 VT2、 VD3、 VD4 構成灌電流驅動(dòng)電 路, 驅動(dòng)兩路各兩只 60V/30A 的 MOSFET開(kāi)關(guān)管。 如需提高輸出功率, 每路可采用 3~4 只開(kāi)關(guān)管并聯(lián)應用, 電路不變。

  編輯點(diǎn)評:由于本文中的交流穩流源實(shí)質(zhì)上是一個(gè)電壓型電流源, 即通過(guò)快速調節輸出電壓來(lái)實(shí)現輸出穩流。因此,所描述的交流穩流逆變電源應用于低壓電器長(cháng)延時(shí)熱脫扣試驗,適用于對斷路器、熱等低壓電器作 長(cháng)延時(shí)特性的校驗和測試。
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