半導體制程在創(chuàng )造力與技術(shù)進(jìn)步下不斷突破
作者/ 王瑩 《電子產(chǎn)品世界》編輯
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201708/363608.htm編者按:我國的集成電路制造業(yè)正迎來(lái)大發(fā)展時(shí)代。世界芯片制造的現狀與未來(lái)方向如何?我國晶圓制造的特點(diǎn)是什么?
摩爾定律催生制程和封裝的進(jìn)步
問(wèn):近幾年人們常談?wù)撃柖?,擔憂(yōu)是否會(huì )走到頭,您怎么看?
答:在過(guò)去幾十年里,摩爾定律只做了一件事,就是線(xiàn)寬微縮。目前來(lái)看,線(xiàn)寬微縮的速度減慢了。但摩爾定律的實(shí)質(zhì)是指半導體行業(yè)每隔18~24個(gè)月會(huì )進(jìn)一步,只不過(guò)在過(guò)去幾十年里,這個(gè)進(jìn)步是由簡(jiǎn)單的線(xiàn)寬微縮來(lái)實(shí)現的。到今天,線(xiàn)寬的微縮變得越來(lái)越困難,因此,為了實(shí)現性能的提高,人們采取了各種各樣的創(chuàng )新辦法。主要是三個(gè)大方向,晶體管的結構、存儲器的平面到縱向、封裝的結構。
邏輯芯片的晶體管從平面變成立體的FinFET,再往前,可能FinFET也不夠了,需要納米線(xiàn)。
而在存儲器方面,以前的存儲器是平房,現在發(fā)現人住不下了,就蓋樓,從32層、42層,到64層,現在大家都在談要做96層和128層。以前覺(jué)得128層怎么做得出來(lái)?現在大家覺(jué)得可以做了。
封裝的立體化是指,原來(lái)我們在凸塊上植球,形成銅柱,現在還可以在上面布線(xiàn),布線(xiàn)意味著(zhù)可以將兩塊芯片疊在一起,增加功能,是一種SIP(堆疊封裝)集成。
所以,線(xiàn)寬微縮可能會(huì )慢下來(lái),但人的創(chuàng )造性無(wú)限,我相信技術(shù)會(huì )一直進(jìn)步。
問(wèn):微縮工藝的下一步期望是什么?
答:從現在的技術(shù)路線(xiàn)圖,我們在邏輯方面,從7納米、5納米到3納米,大家已經(jīng)看到3納米了,雖然沒(méi)有把它做出來(lái),但是已經(jīng)看到怎么做了。
實(shí)際上,從技術(shù)角度,解決方案都有,問(wèn)題是要花多少成本/代價(jià)去實(shí)現它,這就變成摩爾定律成本的經(jīng)濟學(xué)考量,要把成本降低到大家都能接受的程度。在可預見(jiàn)的將來(lái),這是有可能發(fā)生的。例如3D NAND閃存,現在我們在講128層,但現在也有新技術(shù)出現。大家都在思考,去解決立體堆疊可能走到盡頭的問(wèn)題。
多重曝光與EUV光刻
問(wèn):半導體制程的挑戰是什么?
答:提到摩爾定律向前的進(jìn)步,是把晶體管越做越小。那么怎樣把小晶體管做出來(lái)呢?這種工藝一般叫作光刻工藝,就是在光刻時(shí)遮擋住一部分,其他的通過(guò)刻蝕拿掉。由于目前用的光的波長(cháng)比較長(cháng),就很難把尺寸做得非常小,就像近視的人要想看得更清楚,就要想別的辦法。一種辦法是用EUV(極深紫外)使波長(cháng)變得更短,但這項技術(shù)非常貴(約1億歐元),而且不成熟。
第二種辦法是通過(guò)創(chuàng )新性的方法來(lái)做。不就是為了把這條線(xiàn)刻出來(lái)嗎?刻這條線(xiàn)的時(shí)候也不一定非要留著(zhù)它,所以現在的辦法就是多重曝光技術(shù)。比如想做兩條很細的線(xiàn),但是曝光不出來(lái)這條線(xiàn),所以就先曝光一條比較粗的線(xiàn),例如先曝光一條20納米的線(xiàn),在兩邊各沉積5納米的“墻”,隨后把中間的20納米拿掉,就剩下“墻”,就這樣得到了5納米的線(xiàn)。
這種方法有一個(gè)特點(diǎn),首先對淀積的要求非常高,以前光刻機對均勻度要求沒(méi)那么高,比較容易達到??墒悄阕龆嘀仄毓獾矸e的時(shí)候,因為是一次性做出來(lái)的,所以對均勻度要求就更高了?!皦Α笔?納米,如果做成5.5納米,“墻”就厚了。因此設備對均勻度的要求非常高。同樣,刻蝕的均勻度要求也非常高,怎么做到呢?首先是腔體設計方面,刻蝕采用等離子體,它就是一個(gè)氣流,氣流的均勻度要求非常高,晶圓的中間和邊緣要非常一致。因此,在晶圓腔體的設計上要做很多計算機的模擬,以把氣流均勻做好。
第二,還不能往下掉東西,這樣會(huì )影響良率。因此,對腔體的缺陷會(huì )有嚴格的控制。缺陷怎么來(lái)的呢?一方面等離子體會(huì )轟擊腔體的墻壁;第二,在刻蝕過(guò)程中,有一些副產(chǎn)品會(huì )淀積在上面,因此之后會(huì )再用等離子體把副產(chǎn)物去掉;腔體底下還有一個(gè)閥門(mén),過(guò)程中不能產(chǎn)生粉塵,所以這是非常復雜的過(guò)程。傳統上,過(guò)去幾十年來(lái),人們一直通過(guò)腔體設計逐步做改善,到現在發(fā)現它已經(jīng)快走到瓶頸。以前的技術(shù)是被動(dòng)的,比如引入氣流去調節,現在變成主動(dòng)的,溫度高了以后就把它降下來(lái),這是一項革命性的技術(shù)。例如可以通過(guò)調整,做到更好的均勻度。這是從刻蝕來(lái)看的一個(gè)進(jìn)步。
類(lèi)似在淀積、刻蝕、金屬鎢方面的進(jìn)步還有很多。在金屬鎢淀積方面,就像你打一口10米深的井,下雪后,雪很難把井填完?,F在技術(shù)已變得很容易。但進(jìn)一步,打井不算,井下還有橫著(zhù)跑的地道,豎著(zhù)橫著(zhù)都得填滿(mǎn)。泛林集團(Lam Research)今天非常擅長(cháng)這項技術(shù),在金屬鎢淀積是99.7%的市場(chǎng)占有率。
問(wèn):您一直在講沉積和刻蝕,是不是可以用這兩項技術(shù)結合來(lái)替代EUV光刻做不到的技術(shù)?
答:是的。通過(guò)這種方法可以突破目前光學(xué)分辨率的極限。目前14納米的FinFET基本都要用這項技術(shù)。
問(wèn):何時(shí)會(huì )用到EUV光刻?
答:從技術(shù)角度看,本來(lái)希望在十幾納米制程就用到,但因為技術(shù)出不來(lái),所以就改用多重曝光?,F在大家都認為在7納米時(shí)可以使用,當然不是全面應用,而是在某些特定的地方已經(jīng)開(kāi)始使用??梢?jiàn),EUV引進(jìn)的時(shí)間與原來(lái)希望的相比已經(jīng)晚了很多。
問(wèn):晶圓設備市場(chǎng)有多大?
答:晶圓設備、半導體芯片和整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)呈倒三角關(guān)系。據中國工業(yè)和信息化部電子科技情報研究所、社科文獻出版社發(fā)布的工業(yè)和信息化的藍皮書(shū)稱(chēng),全球電子行業(yè)整體約有價(jià)值兩萬(wàn)億美元的市場(chǎng)規,而這其中,半導體集成電路行業(yè)占到了約3400億美元的規模,即17%左右的份額。在這17%份額中,用于晶圓廠(chǎng)設備的大約有340億美元,但因為市場(chǎng)一直在變化,比如今年設備業(yè)發(fā)展非???,可能會(huì )超過(guò)400億美元。
中國制造市場(chǎng)
問(wèn):現在中國的半導體業(yè)正蓬勃發(fā)展,您對此有何看法和建議?
答:一個(gè)行業(yè)需要腳踏實(shí)地地做起來(lái),政府有《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》來(lái)推動(dòng)行業(yè)發(fā)展是非常好的,一方面咱們國家確實(shí)非常需要這個(gè)行業(yè)的發(fā)展;另一方面,半導體行業(yè)的投入巨大,如果沒(méi)有政府主動(dòng)推動(dòng),讓它自然地發(fā)展是很困難的。事實(shí)也證明,自從2014年6月“綱要”發(fā)布至今,國內的半導體業(yè)發(fā)展這么快,主要原因就是政府推動(dòng)的結果。
第二,半導體的特點(diǎn)是每個(gè)環(huán)節都不能偏廢,不能只做成熟的,或只做最先進(jìn)的,其他的不做。既要兼顧最高精尖的技術(shù)發(fā)展,同時(shí)也要兼顧到市場(chǎng)的需求。對于國內企業(yè)來(lái)說(shuō),成熟技術(shù)可能挺多的,高精尖的部分有,但現在還沒(méi)有做到,例如臺積電開(kāi)始做10納米了,7納米也要出爐了,那一塊的市場(chǎng)國內還沒(méi)有得到。所以我們要把缺失的部分趕上去,政府可以在其中起到助力。對于成熟的部分,市場(chǎng)就可以起到相當大的推動(dòng)作用。
問(wèn):國內也有一些半導體設備商,您怎么看競爭?
答:從行業(yè)看,我們永遠歡迎大家都來(lái)參與到這個(gè)行業(yè)里;另外,有競爭才有發(fā)展。在高技術(shù)方面,我們更多的競爭是與一些國際大廠(chǎng);在國內,在一些非核心、非關(guān)鍵的層次上有競爭。
實(shí)際上,競爭在任何一個(gè)行業(yè)都永遠存在,競爭讓我們進(jìn)步。我們能做的,不是喜歡或者不喜歡競爭,而是把我們的本業(yè)做好,把我們的客戶(hù)照顧好。
例如國內企業(yè)在技術(shù)層面比國際最領(lǐng)先的企業(yè)往往還有一些差距,在存儲器方面剛起步。但是差距不是你想趕就能趕上的,需要很多具體的技術(shù)和細致的工作基礎。而泛林與全球先進(jìn)的企業(yè)有合作關(guān)系,在這個(gè)過(guò)程中也積累了非常多的經(jīng)驗,在跟國內客戶(hù)合作的過(guò)程中,可以把經(jīng)驗和價(jià)值帶到合作關(guān)系中來(lái)。相信這種合作能夠加快客戶(hù)公司的技術(shù)發(fā)展,盡快減少差距,迎頭趕上,并為客戶(hù)帶來(lái)價(jià)值。
本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》2017年第9期第1頁(yè),歡迎您寫(xiě)論文時(shí)引用,并注明出處。
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