<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>

新聞中心

EEPW首頁(yè) > 網(wǎng)絡(luò )與存儲 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 存儲器缺貨漲不停 廠(chǎng)商賺錢(qián)賺到手軟

存儲器缺貨漲不停 廠(chǎng)商賺錢(qián)賺到手軟

作者: 時(shí)間:2017-07-28 來(lái)源:芯師爺 收藏
編者按:在嵌入式存儲方面,中國手機的實(shí)際需求較預期疲軟,同時(shí)有限的容量增長(cháng)帶來(lái)更高的成本負擔,隨著(zhù)2D到3D NAND的逐漸過(guò)渡,未來(lái)供應將實(shí)現較緩的增長(cháng),而價(jià)格將持續走強。

  今年,芯片元器件全面缺貨,特別是,這使得與業(yè)務(wù)相關(guān)的廠(chǎng)商樂(lè )開(kāi)了花。從最新一批的財報來(lái)看,這些廠(chǎng)商都是賺錢(qián)賺到手軟啊!

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201707/362304.htm

  2018年NOR Flash市場(chǎng)續缺,旺宏鎖定一線(xiàn)大廠(chǎng)

旺宏總經(jīng)理盧志遠表示,2018年品牌NOR Flash市場(chǎng)需求還會(huì )增加,要不缺貨還有點(diǎn)困難,旺宏第1季全球NOR Flash市占率達26%,全年目標30%,中長(cháng)期看50%市占,同時(shí)董事會(huì )也追加17.85億元(新臺幣,下同)的資本支出,全年支出擴大至40億元,全面增產(chǎn)高端55nm的NOR Flash產(chǎn)能。

  全球NOR Flash漲翻天,對于產(chǎn)業(yè)前景是否續漲有幾個(gè)面向可以觀(guān)察,包括供給端的增產(chǎn)、需求端的應用,綜合來(lái)看,盧志遠表示,整個(gè)NOR Flash產(chǎn)業(yè)有美系大廠(chǎng)的退出,同時(shí)終端需求面也不斷成長(cháng),包括物聯(lián)網(wǎng)的應用增加、TDDI芯片搭載NOR Flash需求等,這樣看下來(lái),2018年NOR Flash應用面需求還會(huì )持續增加。

  盧志遠進(jìn)一步分析,供給和需求的兩邊要被破壞,短期一年內可能性不高,至少今年都是好年,拉長(cháng)三年內當然是不敢說(shuō),以2018年來(lái)看,要達到平衡,沒(méi)有缺貨的狀況,其實(shí)有點(diǎn)困難。

  根據市調機構統計,旺宏2018年第1季市占率達27%,另外兩家美光和賽普拉斯(Cypress)市占率為22%和17%。旺宏有信心今年市占率可以上看30%,中長(cháng)期來(lái)看,市占率目標是50%。

  旺宏日前董事會(huì )也通過(guò)追加資本支出新臺幣17.85億元,估計全年資本支出擴大至新臺幣40億元,資本支出擴大的目的主要是增加4800片的高端NOR Flash產(chǎn)能,但同時(shí)也減少低端產(chǎn)能。因此,總產(chǎn)能沒(méi)有增加,旺宏表示,公司會(huì )以十分謹慎的態(tài)度來(lái)做財務(wù)規劃。

  旺宏進(jìn)一步分析,增加4800片的高端NOR Flash產(chǎn)能主要是12吋晶圓廠(chǎng),以55nm的NOR Flash產(chǎn)能為主,目前旺宏的12吋廠(chǎng)產(chǎn)能約兩萬(wàn)片,產(chǎn)品為55nm的NOR Flash、36/19nm的NAND Flash,以及3D NAND產(chǎn)品。

  針對臺灣、大陸相關(guān)公司積極增加NOR Flash晶圓代工,是否會(huì )破壞產(chǎn)業(yè)生態(tài)。盧志遠分析,旺宏的NOR Flash產(chǎn)品客戶(hù)族群都是鎖定一線(xiàn)大廠(chǎng),尤其是美系大廠(chǎng)手上的車(chē)用電子客戶(hù),不做地攤貨的生意,因此,即使中小型IC設計公司要增加產(chǎn)能,通過(guò)認證要很長(cháng)時(shí)間,因此對于旺宏鎖定的NOR Flash市場(chǎng)威脅不大。

  旺宏2017年第2季合并營(yíng)收為新臺幣65.63億元,與前一季相較減少1%,與去年同期相較增加27%,營(yíng)業(yè)毛利為22.16億元,毛利率為34%,較上季增加7個(gè)百分點(diǎn),較去年同期增加20個(gè)百分點(diǎn)。

  值得注意的是,旺宏第2季的獲利幾乎是上季的3倍,第2季的稅前凈利6.22億元,稅后凈利6.16億元,換算每股稅后0.35元,較上季0.12元大幅躍進(jìn),而去年同期每股稅后還虧0.39元,上半年每股凈值為10.75元。

  旺宏第2季各產(chǎn)品線(xiàn)成長(cháng)上,旗下三大產(chǎn)品線(xiàn)呈現高度成長(cháng),其中ROM的年增率超過(guò)一倍,但較上季減少29%;NOR Flash年增率為21%,較上季增加9%;NAND Flash年增率超過(guò)25%,較上季增加4%。

  在營(yíng)收比重方面,旺宏2017年第2季NAND Flash占11%、NOR Flash占63%、ROM占17%。

  旺宏上半年底約當現金新臺幣54.06億元,庫存水準從上季73.84億元增加至90.75億元,主要是ROM產(chǎn)品線(xiàn)庫存,為游戲機大客戶(hù)任天堂做準備,而NOR Flash和SLC型NAND Flash產(chǎn)品線(xiàn)的比重不高,主要因為客戶(hù)需求旺,幾乎都配銷(xiāo)完,庫存并不多。

  再者,旺宏董事會(huì )也通過(guò)增加資本支出增加新臺幣17.85億元,估計旺宏全年的資本支出將擴大至新臺幣40億元,主要是用于增加高端產(chǎn)能增加4800片,包括55nm制程的NOR Flash產(chǎn)能,爭奪美光(Micron)、賽普拉斯(Cypress)的高端車(chē)用大客戶(hù),但相對地,低端的產(chǎn)能會(huì )減少,所以一增一減下,整體總產(chǎn)能并沒(méi)有增加,象征旺宏的投資策略是十分謹慎。

  硅品Q(chēng)2營(yíng)收季增4.47%

  封測大廠(chǎng)硅品公布2017年第二季自結合并財報,在業(yè)外收益進(jìn)補拉抬下,稅后凈利達21.58億元(新臺幣,下同),季增達1.16倍,每股盈余回升至0.69元,獲利表現回溫。合計上半年稅后凈利31.54億元,年減28.51%,每股盈余1.01元,略低于去年同期的1.42元。

  硅品2017年第二季自結合并營(yíng)收204.24億元,季增4.47%、年減5.79%。毛利率降至18.4%,續創(chuàng )2013年首季以來(lái)逾4年低點(diǎn)。不過(guò),營(yíng)益率9.18%,雖低于去年同期的13.24%,但已較首季的8.9%略微回升。

  雖然本業(yè)獲利回溫有限,但硅品在業(yè)外收益挹注拉抬下,第二季歸屬業(yè)主稅后凈利達21.58億元,雖年減23.16%、但季增達1.16倍?;久抗捎?.69元,雖低于去年同期的0.9元,但已較首季的0.32元顯著(zhù)回溫。

  合計硅品2017年上半年合并營(yíng)收399.76億元,年減2.45%。毛利率18.8%、營(yíng)益率9.04%,低于去年同期的22.13%、11.61%。歸屬業(yè)主稅后凈利31.54億元,年減28.51%,基本每股盈余1.01元,略低于去年同期的1.42元。

  硅品第二季獲利回溫,主要受惠于業(yè)外收益達10.8億元,較首季虧損4.8億元大幅增加15.6億元。公司指出,主要由于海外可轉債評價(jià)利益增加8億元,以及匯兌轉為收益1億元,首季則出現匯兌損失3億元。

  觀(guān)察業(yè)務(wù)狀況,硅品第二季封裝營(yíng)收176.45億元,季增3.6%,測試營(yíng)收27.8億元,季增10.1%。觀(guān)察應用產(chǎn)品營(yíng)收,通訊(Communication)占68%、消費性(Consumer)19%,運算(Computing)11%、存儲器為2%。第二季資本支出為37.03億元,季增3.66億元。

  以封裝種類(lèi)觀(guān)察,硅品第二季覆晶封裝(Flip Chip)和凸塊晶圓(Bumping)營(yíng)收占38%、載板封裝30%、導線(xiàn)架封裝18%、測試14%。各地區營(yíng)收方面,以北美達45%最高、亞洲43%居次,歐洲及日本各為11%及1%。

  力成上半年營(yíng)收增25%,下半年仍樂(lè )觀(guān)

  封測廠(chǎng)力成昨(25)日召開(kāi)法說(shuō)會(huì ),公布第二季合并營(yíng)收139.28億元(新臺幣,下同),季增10.0%,年增23.1%;毛利率受新臺幣升值等影響季減0.9個(gè)百分點(diǎn)至20.9%;稅后凈利14.10億元,季增21%,年增24.9%,每股凈利1.81元。

  力成累計上半年合并營(yíng)收265.88億元,年增21.2%;毛利率21.2%,年增0.8個(gè)百分點(diǎn);稅后凈利25.76億元,年增24.5%,每股凈利3.31元,優(yōu)于市場(chǎng)預期。

  展望未來(lái),力成董事長(cháng)蔡篤恭表示,看好下半年包括DRAM、NAND Flash、邏輯芯片等三大產(chǎn)品線(xiàn)接單均成長(cháng),預估第三季營(yíng)運將可締造高峰,并正面看待第四季展望。此外,在并購日本測試廠(chǎng)TeraProbe及美光秋田廠(chǎng)后,公司將在日本建立完整的半導體生產(chǎn)線(xiàn),整體來(lái)看,對下半年營(yíng)運展望樂(lè )觀(guān),全年營(yíng)收及獲利可望改寫(xiě)歷史新高。

  據了解,力成于6月初完成并購TeraProbe,預估8月將完成并購美光秋田廠(chǎng),開(kāi)始認列每月?tīng)I收1.5億元。蔡篤恭表示,秋田廠(chǎng)與美光已簽訂三年合約,未來(lái)秋田廠(chǎng)將成為公司在日本的高階封測基地,加上有TeraProbe的晶圓測試產(chǎn)能挹注,可望于日本建立完整的生產(chǎn)線(xiàn),聚焦日本汽車(chē)電子及物聯(lián)網(wǎng)芯片市場(chǎng)。

  力成表示,目前來(lái)看,第三季營(yíng)運展望樂(lè )觀(guān),在DRAM方面,西安廠(chǎng)標準型DRAM產(chǎn)能持續開(kāi)出,因繪圖用GDDR需求強勁,有助于覆晶封裝及晶圓凸塊產(chǎn)能利用率;而下半年為Mobile DRAM旺季,接單可望創(chuàng )新高;NAND Flash方面,下半年智能型手機進(jìn)入旺季,加上有重量級產(chǎn)品將推出,正面看待eMCP/eMMC的手機用存儲組件需求,且隨著(zhù)下半年存儲器廠(chǎng)新產(chǎn)能將開(kāi)出,營(yíng)運將再添新動(dòng)能。

  Q2凈利潤同比暴增763%

  今天發(fā)布其截至2017年6月30日的2017第二季度財務(wù)業(yè)績(jì)。該公司在第二季度營(yíng)收、營(yíng)業(yè)利潤和凈利潤上創(chuàng )下歷史新高。

  第二季度營(yíng)收6.69兆韓元(約合60億美元),營(yíng)業(yè)利潤3.05兆韓元(約合27億美元),凈利潤2.47兆韓元(約合22億美元)。受益于第二季度良好的市場(chǎng)條件下DRAM價(jià)格繼續上漲,使其營(yíng)收和營(yíng)業(yè)利潤比上季度分別增長(cháng)了6%和24%,同時(shí)凈利潤環(huán)比增長(cháng)30%,同比暴增763%。


存儲器缺貨漲不停 廠(chǎng)商們賺錢(qián)賺到手軟


  盡管移動(dòng)DRAM產(chǎn)品需求減弱,但是得益于服務(wù)器領(lǐng)域的強勁需求以及服務(wù)器DRAM價(jià)格大幅增加,DRAM Bit出貨量仍環(huán)比增長(cháng)3%,平均銷(xiāo)售價(jià)格上漲11%。服務(wù)器領(lǐng)域的強勁需求將SK海力士服務(wù)器DRAM收益擴大至30%左右。中國市場(chǎng)對移動(dòng)DRAM的需求有所疲軟,但值得樂(lè )觀(guān)的是,智能手機制造商對可存儲更多內容的大容量DRAM的采用度正日益提升。


存儲器缺貨漲不停 廠(chǎng)商們賺錢(qián)賺到手軟


  由于智能手機需求增長(cháng)緩慢,NAND Flash位出貨量下降6%,由于每個(gè)NAND Flash產(chǎn)品類(lèi)別的芯片價(jià)格不斷上漲導致平均銷(xiāo)售價(jià)格上漲8%。

  今年下半年,SK海力士通過(guò)以服務(wù)器和移動(dòng)應用為中心的產(chǎn)品組合的運作方式鞏固其在存儲市場(chǎng)的地位,預計在這兩個(gè)領(lǐng)域將持續引領(lǐng)市場(chǎng)需求。公司將擴大高端移動(dòng)LPDDR4X產(chǎn)量,同時(shí)也將按照原先制定的下半年計劃大批量生產(chǎn)1xnm DRAM。

  另外,SK海力士將在位于利川的M14工廠(chǎng)全面生產(chǎn)3D NAND。此外,SK海力士計劃在今年年底將其最新的72層3D NAND導入移動(dòng)解決方案和cSSD產(chǎn)品,在明年導入eSSD產(chǎn)品。



關(guān)鍵詞: SK海力士 存儲器

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區

關(guān)閉
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>