150V 快速高壓側受保護的N溝道MOSFET 驅動(dòng)器提供100% 占空比能力

　　亞德諾半導體 (Analog Devices, Inc.，簡(jiǎn)稱(chēng) ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動(dòng)器 LTC7000/-1，該器件采用高達 150V 的電源電壓工作。其內部充電泵全面強化一個(gè)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)，因而使之能無(wú)限期地保持導通。LTC7000/-1 的強大 1Ω 柵極驅動(dòng)器能夠以非常短的轉換時(shí)間驅動(dòng)大柵極電容 MOSFET，這非常適合高頻開(kāi)關(guān)和靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用。

　　LTC7000/-1 可在 3.5V 至 135V (150VPK) 輸入電源范圍和一個(gè) 3.5V 至 15V 偏置電壓范圍內工作。它通過(guò)監視一個(gè)與外部 MOSFET 之漏極串聯(lián)的外部檢測電阻器兩端之電壓來(lái)檢測過(guò)流情況。當 LTC7000/-1 檢測到開(kāi)關(guān)電流超過(guò)某個(gè)預設水平時(shí)，則確定一個(gè)故障標記，并關(guān)斷開(kāi)關(guān)一段時(shí)間，而這段時(shí)間是由一個(gè)外部定時(shí)電容器設定。在經(jīng)過(guò)一個(gè)預定的時(shí)間段之后，LTC7000/-1 自動(dòng)執行重試操作。

　　LTC7000/-1 專(zhuān)為接收一個(gè)參考于地的低電壓數字輸入信號和快速驅動(dòng)一個(gè)漏極電壓會(huì )高出地電位達 150V 的高壓側 N 溝道功率 MOSFET 而設計。13ns 的快速上升和下降時(shí)間 (當驅動(dòng)一個(gè) 1000pF 負載) 最大限度降低了開(kāi)關(guān)損耗。LTC7000 是全功能器件并具有比 LTC7000-1 更多的特點(diǎn)，包括使能、過(guò)壓閉鎖、可調電流限制和電流監視。

　　LTC7000 采用 MSOP-16 封裝，而 LTC7000-1 則采用 MSOP-16 (12) 封裝，后者去掉了 4 個(gè)引腳以提供高電壓間隔。該器件可提供三種工作結溫等級，擴展和工業(yè)版本為 –40°C 至 125°C，高溫汽車(chē)版本為 –40°C 至 150°C，而軍用等級則為 –55°C 至 150°C。千片批購價(jià)為每片 2.75 美元。如需更多信息，請登錄 www.linear.com.cn/product/LTC7000。

　　照片說(shuō)明：高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動(dòng)器

　　性能概要： LTC7000/-1

　　· 寬 VIN 工作電壓范圍：3.5V 至 135V (150V 絕對最大值)

　　· 100% 占空比能力

　　· 1Ω 下拉、2Ω 上拉以提供快速接通和斷開(kāi)

　　· 短路保護

　　· 自動(dòng)重啟定時(shí)器

　　· 漏極開(kāi)路故障標記

　　· 集成的自舉二極管

　　· 可調的接通轉換速率

　　· 3.5V 至 15V 偏置電源

　　· 可調電流限制 (LTC7000)

　　· 電流監視器輸出 (LTC7000)

　　· 可調輸入欠壓和過(guò)壓閉鎖 (LTC7000)