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EEPW首頁(yè) > 嵌入式系統 > 設計應用 > 幾種DSP與外接存儲器的連接方法

幾種DSP與外接存儲器的連接方法

作者: 時(shí)間:2017-06-06 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

1 引言

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201706/349621.htm

接口分為ROM接口和RAM接口兩種。ROM包括EPROM和FLASH,而RAM主要是指SRAM。TMS320C5409具有32K字的片內RAM和16K字的掩膜ROM。但是在應用的很多場(chǎng)合,尤其是帶信號存儲的應用來(lái)說(shuō),TMS320C5409的片內存儲資源是遠遠不夠用的。因此,設計一個(gè)TMS320C5409硬件系統一般應該包括其與EPROM/FLASH和SRAM的接口設計,以存放程序和數據。本文介紹TMS320C5409與的接口設計方案。

2 與SRAM的接口設計

除了內部32k字RAM和16K字ROM之外,TMS320C5409還可以擴展外部。其中,數據總空間總共為64k字(0000H~FFFFH),I/O空間為64K字(0000H~FFFFH),程序空間為8M。8M的程序空間的尋址是通過(guò)額外的7根地址線(xiàn)(A16~A22)實(shí)現的,由XPC寄存器控制。根據程序和數據的空間配置,擴展的方法主要有3種。

2.1 分開(kāi)的程序和數據空間配置

這種方案是采用外接一個(gè)128k×16位的RAM,將程序區和數據區分開(kāi),如圖1所示。采用程序選通線(xiàn)接外部RAM的A16地址線(xiàn)實(shí)現,因此,程序區為RAM的前64k字(0000H~FFFFH),數據區為RAM的后64k字(10000H~1FFFFH)。對DSP而言,程序區和數據區的地址范圍均為0000H~FFFFH。
采用這種配置方法需要注意:如果內部RAM設置為有效,則相同地址的外部RAM自動(dòng)無(wú)效;當外部RAM不能全速運行時(shí),需要根據速度設置插入等待狀態(tài)(設置SWWSR)。

2.2 混合的程序和數據空間配置

這種方案是令OVLY=1,此時(shí)內部RAM既是數據區也是程序區。這樣設置的優(yōu)點(diǎn)是程序可以在內部全速運行,缺點(diǎn)是由于程序和數據是共用的,因此存儲區就變小了。此外,在鏈接時(shí)必須將程序和數據分開(kāi),以避免重疊。
這種配置方法如圖2所示。將和信號接至一與非門(mén),形成PDS信號,這個(gè)信號不論是有效還是有效都呈現有效(高電平),將這個(gè)信號經(jīng)反向用作片選信號,就可以保證外部RAM既作為程序區也作為數據區。

圖1 分開(kāi)的數據和程序空間配置

圖2 混合的數據和程序空間配置

2.3 優(yōu)化的混合程序和數據空間配置

圖3所示為一種優(yōu)化的混合程序和數據區外接RAM的方法。這種配置方法省去了DSP的A15地址線(xiàn),將RAM分成32k字長(cháng)的塊。采用這種方法后,可充分利用外接的RAM,不會(huì )因內部RAM和外部RAM的地址重疊而造成外部RAM的浪費。

圖3 優(yōu)化的混合數據和程序空間配置

由于外部擴展的空間很大,因此DSP程序區另外的地址空間也能訪(fǎng)問(wèn)到外部RAM。這種優(yōu)化的外部RAM配置方法,使得在使用DSP的內部RAM的情況下,能夠充分利用外部擴展RAM。

圖4 DSP與FLASH的接口

3 DSP與FLASH的接口設計

圖4為DSP與FLASH的一種接口配置。圖中FLASH采用Silicon Storage 公司的新一代256K×16位CMOS FLASH Memory產(chǎn)品SST39VF400A作為DSP的外部數據存儲器,地址總線(xiàn)和數據總線(xiàn)接至DSP的外部總線(xiàn),接至DSP的。DSP上的XF引腳用于啟動(dòng)編程。當XF為低時(shí),FLASH處于讀狀態(tài);當XF為高時(shí),FLASH可擦或編程。為了滿(mǎn)足SST39VF400A的時(shí)序要求,XF與相“或”后接至,引腳與相“或”后接至。

4 FLASH的擦寫(xiě)

4.1 片外FLASH擦寫(xiě)原理

在實(shí)際應用中,選擇的片外存儲器通常是片外的RAM或FLASH Memory。但是,由于RAM中數據掉電即丟失,不適合長(cháng)期保存數據,因此當需要保存到片外存儲器的是一些無(wú)需頻繁讀/寫(xiě)但需要長(cháng)期保存的數據時(shí),如字模數據、端口地址等,通常選擇使用片外的FLASH擴展DSP芯片的存儲器空間。但是,使用片外的FLASH必須要解決對其的擦寫(xiě)問(wèn)題。
在實(shí)際應用中,對FLASH的擦寫(xiě)主要有兩種方式:一是使用通用編程器對FLASH芯片進(jìn)行擦寫(xiě);二是直接由DSP對FLASH進(jìn)行擦寫(xiě)。這里介紹一種利用存儲器映射技術(shù),通過(guò)對DSP芯片編程實(shí)現片外FLASH擦寫(xiě)的方法。
CCS5000 IDE是TI公司專(zhuān)為T(mén)MS320C5409設計的開(kāi)發(fā)平臺,該平臺具有簡(jiǎn)單明了的圖形用戶(hù)界面和豐富的軟件開(kāi)發(fā)工具。利用GPIO0口可以生成合適的片外FLASH和片內RAM片選信號,從而實(shí)現片外FLASH和片內RAM訪(fǎng)問(wèn)的切換,在電路上可以將GPIO0信號與數據選擇信號或程序選擇信號相“或”實(shí)現。

4.2 片外FLASH擦寫(xiě)流程

編寫(xiě)FLASH擦寫(xiě)程序的流程圖如圖5所示。

圖5 FLASH擦寫(xiě)程序流程圖

(1)將character[180][32]設置為全局變量。
(2)將程序編譯下載到DSP芯片中,打開(kāi)工程目錄中output文件夾中的.map文件,
找到character數組在RAM中存放的起始地址和長(cháng)度。
(3)使用Save Memory命令將RAM中對應于character數組的地址段的數據以二進(jìn)制形式保存在計算機上。
(4)打開(kāi)FLASH擦寫(xiě)程序,修改數據在片內RAM中存儲的起始地址和FLASH擦寫(xiě)的起始地址和數據長(cháng)度,編譯下載后,單步執行,直到擦寫(xiě)完FLASH,并將地址映射方式設置為映射到片內RAM處,數據便寫(xiě)到片外FLASH的相應地址中。
這一種通過(guò)地址映射方式的方法可適用于多種場(chǎng)合,針對多個(gè)FLASH芯片使用多個(gè)GPIO端口進(jìn)行地址的擴展,即可實(shí)現對其進(jìn)行擦寫(xiě)操作;若將部分擦寫(xiě)程序放置到片外FLASH中并作相應設置,即可實(shí)現系統得自舉運行。

5 Bootload的設計

BootLoader是嵌入式系統加電后在操作系統內核運行之前運行的第一段代碼。BootLoader用于初始化硬件設備、建立內存空間的映射圖,從而將系統的軟硬件環(huán)境帶到一個(gè)合適的狀態(tài),以便為最終調用操作系統內核準備好正確的環(huán)境。通常,Boot Loader是嚴重地依賴(lài)于硬件而實(shí)現的,特別是在嵌入式世界。因此,在嵌入式世界里建立一個(gè)通用的Boot Loader幾乎是不可能的。BootLoader一般它只在系統啟動(dòng)時(shí)非常短的時(shí)間內運行。對于嵌入式系統來(lái)說(shuō),這是至關(guān)重要的一步。
TMS320C54x內部具有16K×16位的掩模ROM,其內部具有Bootloader程序,工作在微計算機方式下可以啟動(dòng)ROM中的引導程序,將用戶(hù)程序從EPROM(FLASH)、串行口、I/O口或HPI口引導到內部RAM或外部的高速SRAM中全速運行。 TMS320C5409硬件復位后采樣引腳如果為低,則DSP從FF80H開(kāi)始執行片內的引導程序,FF80H包含一條跳轉到Bootloader程序的語(yǔ)句,Bootloader程序將用戶(hù)程序下載到RAM中運行。在硬件復位期間,如果TMS320C5409的為高電平,則從片外的0FF80H開(kāi)始執行程序。選擇過(guò)程如圖6所示。

圖6 自舉加載方式的選擇過(guò)程

6 結束語(yǔ)

實(shí)踐證明,在DSP的使用中,以上介紹的DSP與其外圍存儲器的接口設計是切實(shí)可行的。




關(guān)鍵詞: 存儲器 DSP 連接

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