SiGe晶體管工作頻率達500GHz(圖)

來(lái)自IBM和佐治亞理工大學(xué)（Georgia Institute of Technology）的研究人員近日宣布，他們研發(fā)的基于SiGe工藝的晶體管工作頻率達到500GHz，比現有的手機中所用的晶體管的工作頻率快250倍。到目前為止，只有采用昂貴的III-V族混合半導體材料的IC才能達到這種性能。

SiGe異質(zhì)結雙極晶體管工作在 4.5K溫度下，該低溫是通過(guò)液氦冷卻獲得。在室溫下，該晶體管的工作頻率為350GHz。測試實(shí)驗是通過(guò)佐治亞理工大學(xué)電子設計中心的一個(gè)特制的高頻測試系統完成的。

位于佐治亞理工大學(xué)電子設計中心的低溫測試站在封閉裝置內的黑色廣場(chǎng)就是SiGe芯片

雖然該破記錄的速度是在極低溫的環(huán)境下獲得的，但結果仍然表明SiGe器件的性能上限可能超過(guò)人們的最初期望。該研究小組的下一步目標是搞清楚這種SiGe晶體管的背后物理原理，為什么在極低溫度下會(huì )出現如此不尋常的性能表現。如想了解更多信息，請與佐治亞理工大學(xué)的John Toon聯(lián)系，電話(huà)：001-404-894-6986，Email：@gatech.edu">jtoon@gatech.edu；或者致電IBM的Glen Brandow，電話(huà)：001-914-766-4615，Email：brandow@us.ibm。