非揮發(fā)性存儲器規模將超越SSD

　　NAND Flash固態(tài)硬碟(SSD)襲卷了過(guò)去10年的儲存技術(shù)產(chǎn)業(yè)，而非揮發(fā)性存儲器(NVM)消除了DRAM與儲存硬碟間的差異，勢必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯(lián)盟，即將卷土重來(lái)，成為這波革命背后最主要的推手。 ZDNet報導指出，Flash SSD速度雖較傳統旋轉磁碟裝置快上許多，但兩者的I/O堆疊其實(shí)沒(méi)有太大的差異，因此Flash SSD在執行數據寫(xiě)入時(shí)，仍有延遲、錯誤等缺點(diǎn)。反觀(guān)NVM除了速度更快之外，其存儲器還擁有持久型儲存的功能，也就是儲存級存儲器(SCM)的能力。

　　儲存級存儲器產(chǎn)品目前在價(jià)格上仍無(wú)法與NAND Flash競爭，因此還要幾年的時(shí)間才有機會(huì )成為主流，不過(guò)現在仍可利用存儲器匯流排上的非揮發(fā)性DIMM(NVDIMM)大幅提升系統速度。像是記憶儲存廠(chǎng)商Plexistor便打造了一套具備非揮發(fā)性存儲器意識(NVM-aware)的檔案系統，能夠將I/O性能提升6~8倍，且延遲不到現今檔案系統的10分之1。

　　有鑒于CPU性能提升所能帶來(lái)的效益面臨了極限，微軟與英特爾等大廠(chǎng)開(kāi)始將更多資金投入非揮發(fā)性存儲器與儲存級存儲器技術(shù)的研發(fā)。英特爾的3D XPoint，以及惠普企業(yè)(HPE)的Persistent Memory都是其中的例子。另外像是磁性存儲器(MRAM)和電阻式存儲器(RRAM)等儲存級存儲器技術(shù)，也都蓄勢待發(fā)，準備顛覆既有的系統架構。

　　事實(shí)上，非揮發(fā)性存儲器與儲存級存儲器雖是創(chuàng )新的技術(shù)，但它們的優(yōu)點(diǎn)，有不少都曾出現在更早的技術(shù)中。例如，磁芯存儲器(Magenetic Core Memory)的持久性，讓它即使在DRAM價(jià)格不斷下滑的情況下，還是能大受歡迎;IBM的System 38同樣也只有單一存儲器層，并以硬碟作為存儲器空間的虛擬延伸。然而這些架構最終多被人遺忘，成為歷史。

　　目前最受關(guān)注的非揮發(fā)性存儲器技術(shù)，不僅速度快，價(jià)格也十分合理。雖然不會(huì )如Flash般便宜，但像是3D XPoint的價(jià)格就比DRAM更低。非揮發(fā)性存儲器技術(shù)除了會(huì )大量使用在PC與NB上，還有機會(huì )出現在更大規模的儲存系統應用。