驅動(dòng)半橋自舉電路

驅動(dòng)半橋自舉電路


自舉元件設計
自舉二極管(VD1)和電容(C1)是IR2110在PWM應用時(shí)需要嚴格挑選和設計的元器件，應根據一定的規則對其進(jìn)行調整，使電路工作在最佳狀態(tài)。

在工程應用中，取自舉電容C1>2Qg/(VCC-10-1.5)。式中，Qg為IGBT門(mén)極提供的柵電荷。假定自舉電容充電路徑上有1.5V的壓降(包括VD1的正向壓降)，則在器件開(kāi)
通后，自舉電容兩端電壓比器件充分導通所需要的電壓(10V)要高。

同時(shí)，在選擇自舉電容大小時(shí)，應綜合考慮懸浮驅動(dòng)的最寬導通時(shí)間ton(max)和最窄導通時(shí)間ton(min)。導通時(shí)間既不能太大影響窄脈沖的驅動(dòng)性能，也不能太小而影響寬脈沖的驅動(dòng)要求。根據功率器件的工作頻率、開(kāi)關(guān)速度、門(mén)極特性對導通時(shí)間進(jìn)行選擇，估算后經(jīng)調試而定。

VD1主要用于阻斷直流干線(xiàn)上的高壓，其承受的電流是柵極電荷與開(kāi)關(guān)頻率之積。為了減少電荷損失，應選擇反向漏電流小的二極管。