基于Multisim的西勒振蕩器設計與仿真

高職高專(zhuān)高頻電子線(xiàn)路是電子通信類(lèi)專(zhuān)業(yè)的技術(shù)基礎課程之一，涉及到通信系統中高頻單元電路的功能、結構及性能分析等理論知識，同時(shí)也具有培養學(xué)生高頻電路設計實(shí)踐教學(xué)能力的目的。該課程正弦波振蕩器部分理論較抽象，借助實(shí)踐環(huán)節演示不同振蕩器的原理、特點(diǎn)、電路結構等較難實(shí)現，大部分學(xué)生接受知識效果差，設計電路費勁且不知道如何仿真分析。文中以Multisim 10為平臺，設計了振蕩頻率為404.978 kHz，峰峰值為8.00 V的西勒振蕩器電路，分析了參數調整引起的電路特性變化規律。Multisim電路仿真軟件引入到理論教學(xué)中，既加深了學(xué)生對理論知識的理解，又激發(fā)了學(xué)生利用仿真平臺進(jìn)行電路設計的積極性，進(jìn)而起到了聯(lián)系理論學(xué)習和實(shí)踐能力培養的紐帶作用。

1 電路設計

振蕩器主要由放大電路、選頻電路和反饋電路組成，只有同時(shí)滿(mǎn)足振幅和相位平衡條件，系統才有可能產(chǎn)生振蕩。西勒振蕩器原理圖如圖1所示。

1.1 靜態(tài)工作點(diǎn)設計

一般原則是在滿(mǎn)足起振條件下應選擇較低的工作點(diǎn)，振蕩電路起振后，振幅增大，振蕩將在截止區進(jìn)入振幅穩定狀態(tài)，不致使振蕩回路Q(chēng)值減小，振蕩波形好。一般小功率振蕩器的ICO為(0.5～5)mA之間選取，本設計選ICQ為1.15 mA，VCEQ=9.7 V，β=50。經(jīng)計算：

取RE=2 kΩ，高頻扼流圈LC以避免高頻信號被旁路，且為晶體管集電極構成直流通路。一般取流過(guò)R2的電流為(5～10)IBO。

求得R2=5.1 kΩ，R1=15 kΩ。

1.2 振蕩電路設計

振蕩回路參數的選擇主要根據振蕩頻率、起振條件和振蕩波形確定。一般振蕩頻率在幾兆赫茲以下的LC回路，C值可選幾皮法，振蕩頻率在幾十兆赫茲時(shí)，C值可選為幾十皮法;為了取得振蕩頻率的穩定，C值應取得大些，以減小晶體管極間電容和引線(xiàn)寄生電容的影響。然而，C值取得過(guò)大，會(huì )使振蕩回路的Q值和諧振阻抗降低，電路的負載能力和振蕩振幅減小，導致波形變壞。確定了C后，由振蕩頻率計算公式可計算電感L的值。為方便觀(guān)察參數變化引起的電路特性變化，本設計取C4max=470 pF，L=1 mH。為滿(mǎn)足C1>>C3，C2>>C3，取C1=1 nF，C2=33 nF，C3=47 pF。

作為可變增益器件的三極管，必須由偏置電路設置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，以保證起振時(shí)工作在放大區，提供足夠的增益，滿(mǎn)足振幅起振條件。從穩頻的角度出發(fā)，應選擇特征頻率fT較高的晶體管，這樣晶體管內部相移較小，通常選擇fT>(3～10)fmax，同時(shí)希望電流放大系數β大些，既容易振蕩，也便于減小晶體管和諧振回路之間的耦合，以保證電路的選頻性能和穩頻性能。晶體管選擇2N2222或2N2369，負載端接入探針，運用Multisim 10.1設計的西勒振蕩器如圖2所示。

說(shuō)明幾點(diǎn)，可以改變Multisim 10.1界面下電路原理圖連接線(xiàn)顏色(系統默認是桔紅色)，方法是單擊擬變色線(xiàn)條，點(diǎn)擊鼠標右鍵，選“改變顏色”;可改變示波器、記錄儀背景色(系統默認是黑色)，為方便打印，常選擇示波器界面“反向”按鈕，記錄儀界面“Reverse Colors”菜單;選擇記錄儀“Show/Hide Cursors”菜單，可查看示波器被接入通道的精確參數值。

2 Multisim 10.1仿真分析

2.1 仿真結果

Multisim 10.1界面下點(diǎn)擊“運行”按鈕，適當調整各儀表參數值即可進(jìn)行仿真。圖2的頻率計設置參數是：測量頻率，AC耦合，靈敏度1 V，觸發(fā)電平0 V。示波器參數是：時(shí)間軸比例2 ms/DIV、通道A 5 V/DIV，適當調整X、Y位置。仿真穩幅時(shí)，探針上各量數值是：電壓峰值7.98 V、電流峰值3.99mA、電壓有效值2.82 V、電流有效值1.41 mA、頻率405 kHz。頻率計顯示數值為404.978 kHz。仿真結果與設計基本一致。不接入R4時(shí)的仿真輸出波形如圖3(a)所示。對應圖3(a)的通道A參數值如圖3(b)所示。

要想得知圖2的較高精度頻率、電壓峰峰值參數，可借助仿真界面上“記錄儀/分析列表”、“Show/Hide Cursors”兩個(gè)菜單進(jìn)行分析。圖3對應的記錄儀/分析列表結果如圖4所示。周期T1=9.084 5n-9.0816 n=2.90X10-6 s，T2=9.086 48 m-9.084 50 m=1.98x10-6 s，T=(T1+T2)/2=2.44×10-6 s，則f=1/T=409.84 kHz，由圖3(b)可知通道A的VP=3.990 3-(-4.061 5)=8.05 V。采用多次求平均值方法可使分析值更接近設計值?？梢?jiàn)，分析值、仿真結果基本達到設計要求。

2.2 特性分析

2.2.1 頻率特性

頻率是靠調節C4來(lái)改變的，所以C3不能選得過(guò)大，否則振蕩頻率主要由C3和L決定，因而將限制頻率調節的范圍。這種電路之所以穩定度高，就是靠在電路中串有遠小于C1、C2的C3來(lái)實(shí)現的。若增大C3，該電路就失去了頻率穩定度高的優(yōu)點(diǎn)。反之，C3選的太小的缺點(diǎn)是，使接入系數Pce降低，振蕩幅度就比較小了。通過(guò)Multisim 10.1仿真可知，隨C4接入比例逐漸增大，輸出信號頻率逐漸減小，但輸出波形振幅保持8.00 V不變。

理論上，根據振蕩頻率計算式，求得≈423.85 kHz。測量值和理論值之間有誤差。產(chǎn)生誤差主要原因有：游標以格為單位，因此讀數時(shí)選取的幅值最大的點(diǎn)與實(shí)際有差別;電阻、電容本身就存在誤差，而且正弦振蕩器存在系統誤差。

2.2.2 反饋特性

通過(guò)調整電容C2值可以觀(guān)察電路的反饋特性，數據記錄如表1所示。隨著(zhù)電容C2值逐漸增大，保證振蕩幅度的穩定，輸出信號振幅逐漸減小，起振直至進(jìn)入平衡狀態(tài)所需的

時(shí)間加長(cháng)。因為C3是固定電容，所以諧振回路反映到晶體管輸出端的等效負載變化緩慢;C1不變，隨C2值增大，故反饋系數減小。

C2=10 nF、40 nF時(shí)的仿真輸出波形如圖5(a)、(b)所示。

2.2.3 負載特性

調整可變電阻R4的接入比例，能夠改變振蕩器的負載大小，記錄表2所示數據。R4的接入比例越大，輸出信號峰峰值越大，頻率基本保持不變。當R4接入電路超過(guò)50%后，振蕩頻率相對不穩定，輸出正弦波波形平滑度降低，呈現較多毛刺，波形失真。當輸出正弦波形失真時(shí)，還應在Multisim下進(jìn)行交流分析和噪聲分析。

“交流分析”用來(lái)計算線(xiàn)性電路的頻率響應。在交流分析中，首先通過(guò)直流工作點(diǎn)分析計算所有非線(xiàn)性元件的線(xiàn)性、小信號模型，然后建立一個(gè)包含實(shí)際和理想元件的復矩陣。所有的輸入源信號都將用設定頻率的正弦信號代替。在進(jìn)行交流分析時(shí)，電路信號源的屬性設置中必須設置交流分析的幅值和相角，否則電路將會(huì )提示出錯。“噪聲分析”指噪聲對電路的影響。噪聲是減小信號質(zhì)量的電的或電磁的能量。通過(guò)建立一個(gè)電路的噪聲模型，再進(jìn)行類(lèi)似于交流分析的仿真分析。Multisim可建立熱噪聲、閃粒噪聲、閃爍噪聲3種噪聲模型。在進(jìn)行仿真分析前，先觀(guān)察電路選擇輸入噪聲參考源、輸出節點(diǎn)和參考點(diǎn)。

2.2.4 頻率穩定度

圖1電路的振蕩頻率為f1=404.978 kHz，為了分析西勒振蕩器的頻率穩定度的高低，在該電路的電容C2兩端并聯(lián)一個(gè)10 nF的電容，觀(guān)察此時(shí)振蕩器振蕩頻率的變化情況，如圖6所示，測得此時(shí)該電路振蕩頻率為f11=405.067 kHz，該振蕩電路的頻率相對變化量，該參數為判斷西勒振蕩器的頻率穩定度的有效數據。

3 結論

使用Multisim 10.1軟件，達到了設計振蕩頻率為404.978 kHz、峰峰值為8.00 V的西勒振蕩器電路的基本要求，通過(guò)調整相關(guān)參數，直觀(guān)分析了頻率特性、反饋特性、負載特性變化規律，電路的頻率穩定度較好。借助仿真軟件的整個(gè)教學(xué)過(guò)程，形式生動(dòng)，學(xué)生興趣濃，積極性高，理解力增強，易于接受。Multisim應用于高頻電子線(xiàn)路教學(xué)有極大的靈活性和優(yōu)越性。運用Multisim軟件設計電路，省時(shí)省力省錢(qián)，極大地提高了電路設計的效率和質(zhì)量。由于西勒電路頻率穩定性好，振蕩頻率可以較高，做可變頻率振蕩器時(shí)其頻率覆蓋范圍寬，波段范圍內幅度比較平穩，因此在短波、超短波通信機、電視接收機等高頻設備中得到非常廣泛的應用。