LSI SandForce揭幕SHIELD閃存糾錯技術(shù)

LSI SandForce詳細介紹了其下一代固態(tài)硬盤(pán)(SSD)控制器內置的全新糾錯方法，稱(chēng)為SHIELD。SandForce在在加利福尼亞州圣克拉拉召開(kāi)的Flash Memory Summit峰會(huì )上披露了這項全新的SHIELD技術(shù)，旨在延長(cháng)由更小的光刻工藝構建的NAND閃存的壽命。

像其他芯片一樣，閃速存儲器(Flash Memory)也不斷地縮小尺寸，以降低制造成本和功耗。雖然這種尺寸減小對存儲器的每GB成本有積極的影響，但也使得NAND更容易產(chǎn)生誤差。

LSI SandForce的開(kāi)發(fā)SHIELD就是要解決這些問(wèn)題，通過(guò)多層次的糾錯。第一個(gè)糾錯階段，是“硬”低密度奇偶校驗，或稱(chēng)HLDPC(hard low-density parity check)，適用于讀請求。HLDPC的低開(kāi)銷(xiāo)，并不影響性能，但還不足以全面捕捉所有的錯誤。

通過(guò)HLDPC的錯誤，由五個(gè)等級的“軟”奇偶校驗(SLDPC，soft parity checks. SLDPC)層處理。SLDPC層采用先進(jìn)的噪聲處理和信號處理進(jìn)行糾錯，每層逐步增加更多的延遲。

SHIELD只在驅動(dòng)器認為有必要時(shí)介入，并確定使用合適的糾錯等級，基于一些LSI尚未披露的參數。如果錯誤繼續通過(guò)五層SLDPC蔓延，SHIELD還有最后一層，叫做RAISE。

RAISE操作類(lèi)似RAID的冗余方案，類(lèi)似于目前的SandForce控制器利用的，但增加了10毫秒的延遲。LSI表示，這最后一級糾錯只在必要時(shí)謹慎使用，因為需要額外的處理時(shí)間。

根據技術(shù)報告，新的芯片將在2013年第三季度被送往廠(chǎng)家進(jìn)行采樣，所以，配備SHIELD的LSI SandForce新芯片可能會(huì )在2013年底上市。