半導體產(chǎn)業(yè)的突變： 武漢新芯的崛起

　　上回我們分析了中國最大的晶圓代工廠(chǎng)中芯國際(SMIC)的失敗原因，這回我們和大家一起討論一下新興的半導體代工廠(chǎng)企業(yè)――武漢新芯(XMC)(注：武漢新芯于今年7月成為長(cháng)江存儲科技有限責任公司全資子公司，長(cháng)江存儲科技有限責任公司一期由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)和湖北省科技投資集團有限公司共同出資，二期將由紫光集團和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司共同出資。長(cháng)江存儲科技有限責任公司的董事長(cháng)由紫光集團的董事長(cháng)趙偉國兼任，我們將在下回的連載中詳細分析紫光集團)。

　　武漢新芯于2006年由武漢政府出資100億人民幣新建的半導體代工廠(chǎng)，2008年開(kāi)始量產(chǎn)。武漢新芯和中芯國際之間還有一段剪不斷理還亂的恩恩怨怨，建廠(chǎng)之初，由于缺乏人財和技術(shù)，武漢新芯和中芯國際就簽訂了托管協(xié)議，由中芯國際給予武漢新芯以包括生產(chǎn)技術(shù)和人才在內的援助?？墒?，武漢新芯量產(chǎn)以后，很長(cháng)的一段時(shí)間里處于經(jīng)營(yíng)成效不佳，業(yè)績(jì)連年虧損的狀態(tài)，2010年傳出名花易主的消息，美光(Micron)與臺積電(TSMC)都虎視眈眈希望能兼并武漢新芯。由于中央政府擔心中國的半導體產(chǎn)業(yè)落入國際寡頭的囊中而削弱本國半導體行業(yè)，最終讓中芯國際入主武漢新芯，2010年10月兩企業(yè)在武漢市正式簽訂合作協(xié)議，武漢市政府和中芯國際將通過(guò)現金注資的方式，對武漢新芯12寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)實(shí)施合資經(jīng)營(yíng)，此后在很長(cháng)的一段時(shí)間里，武漢新芯一直被人為是中芯國際的姊妹公司。但是，由于中芯國際自身也是毫無(wú)建樹(shù)的企業(yè)，2013年以后，兩企業(yè)開(kāi)始分道揚鑣。還有一點(diǎn)是必須要提到的，現在武漢新芯的CEO是元中芯國的COO兼CTO的楊士寧。

　　武漢新芯的轉機來(lái)源于中央政府的政策支持，2014年6月國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要(2015-2025)》，制訂了今后10年發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)戰略部署，決定了首個(gè)主攻對象為存儲芯片，并于同年9月設立“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”，做為主力生產(chǎn)企業(yè)的武漢新芯受到了政策的青睞和扶持。5年內將共計投資240億美元，在武漢東湖高新區的光谷智能制造產(chǎn)業(yè)園，2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規模，2030年建成每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能的中國最大的存儲芯片企業(yè)。

　　我們已經(jīng)在上面講過(guò)，武漢新芯是一個(gè)最大單月產(chǎn)能為6萬(wàn)-7萬(wàn)片，其中有技術(shù)含量的NOR Flash實(shí)際月產(chǎn)能僅為2萬(wàn)片左右，還未達到贏(yíng)利的半導體公司，是一個(gè)沒(méi)有政府輸血就面臨被市場(chǎng)清掃出局的企業(yè)。這樣一個(gè)“屌絲企業(yè)”為什么會(huì )一下子被推上風(fēng)口浪尖呢?當然，國內除了中芯國際以外武漢新芯是為數不多有大規模芯片生產(chǎn)能力的企業(yè)，做為政策扶持也別無(wú)選擇。另一個(gè)很重要的原因是武漢新芯在不久的將來(lái)可能擁有世界最先進(jìn)的3D NAND Flash技術(shù)。

　　在解釋武漢新芯擁有3D NAND Flash技術(shù)之前，我們先來(lái)科普一下存儲芯片的基本知識。我們日常的計算機的存儲系統中，一般容量最大的是硬盤(pán)驅動(dòng)器，俗稱(chēng)硬盤(pán)(HDD，Hard Disk Drive);第二種是被稱(chēng)為系統內存的隨機存取存儲器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)，內存有一個(gè)特點(diǎn)即電源切斷以后內部存儲的數據會(huì )完全消失;另一種數據存儲器是我們熟悉的U盤(pán)和SD卡，其所用的芯片是NOR Flash。NAND Flash可以說(shuō)是NOR Flash的升級版，和NOR Flash比雖然價(jià)格要高很多，但它有數據存取速度快的優(yōu)勢，我們現在所用的智能手機的內存一般都是使用NAND Flash。3D NAND Flash可以說(shuō)是NAND Flash的進(jìn)化版，具有存儲量大速度快的優(yōu)勢，是新一代大容量閃存技術(shù)?，F在，只有三星、東芝?Sundisk、海士力和美光?英特爾四家企業(yè)能夠生產(chǎn)，而且除三星的閃存的產(chǎn)量比是40.8%以外，其余三家分別為5.4%、3.3%、17.6%，之所以產(chǎn)量不能提高的最重要原因是3D NAND Flash工藝復雜，包括三星在內都是處于虧損的狀態(tài)(三星大部分的3D NAND在中國生產(chǎn)，政府對其有大量的補貼，導致三星生產(chǎn)3D NAND Flash稅前虧損稅后盈利的扭曲現象)。

　　武漢新芯是從美國飛索(Spansion)獲得3D NAND Flash基礎技術(shù)的。2014年2月武漢新芯和飛索簽定技術(shù)合作協(xié)議，由飛索方提供技術(shù)援助，在武漢新芯共同研發(fā)3D NAND Flash，首款合作產(chǎn)品將在2017年問(wèn)世。說(shuō)實(shí)話(huà)對于武漢新芯能否在3D NAND Flash上成功，還有很多疑問(wèn)。美國飛索是1993年日本富士通和美AMD共同出資設立的NOR Flash的生產(chǎn)研發(fā)公司，2009年因業(yè)績(jì)連續滑坡倒產(chǎn)，被賽普拉斯(Cypress)收購成為其全資子公司。雖然，飛索從來(lái)就沒(méi)有生產(chǎn)過(guò)NAND芯片，但是，包括三星在內，現在所有的3D NAND Flash技術(shù)其基本原理是飛索最早開(kāi)發(fā)的MirrorBit技術(shù)。我們在中芯國際的例子里已經(jīng)知道，懂技術(shù)和會(huì )量產(chǎn)是完全兩碼事，更何況飛索掌握的是基礎技術(shù)。據申萬(wàn)宏源的7月28日的研報報道，飛索研發(fā)的3D NAND Flash堆棧層數尚在8-10層左右，當前三星已量產(chǎn)48層產(chǎn)品，與之技術(shù)差距至少3年，短時(shí)間追趕有很大的難度。

　　另一個(gè)嚴峻問(wèn)題是前回我們提到的“統合技術(shù)”和“量產(chǎn)技術(shù)”，如果要量產(chǎn)存儲芯片，武漢新芯永遠無(wú)法回避此問(wèn)題。就以上的兩個(gè)原因，包括湯之上隆在內的很多國外的半導體評論家對武漢新芯確立3D NAND Flash量產(chǎn)能力都表示懷疑。

　　在2015年11月的一次公開(kāi)場(chǎng)合，武漢新芯的執行副總裁洪沨指出，武漢新芯的3D NAND Flash技術(shù)和三星的差最多就是兩年，只要公司能夠繼續努力研發(fā)，一定可以成為此領(lǐng)域的世界領(lǐng)導者，3D NAND Flash的研發(fā)和量產(chǎn)是武漢新芯崛起的一次歷史性機會(huì )。武漢新芯這次能否上演“咸魚(yú)翻身”的大戲，我們只能拭目以待。反過(guò)來(lái)想，如果沒(méi)有一定的可行性240億美元的巨額投資，即便是政策性投資也不會(huì )如此輕而易舉地交給一個(gè)“屌絲企業(yè)”的。作為一個(gè)中國人，真心希望武漢新芯能夠成功，它在存儲芯片領(lǐng)域的飛躍也將是中國半導體行業(yè)的質(zhì)的飛躍，決定美、韓、中三國半導體三足鼎立的“赤壁之戰”已經(jīng)拉開(kāi)帷幕。

　　我們會(huì )在以后的連載中仔細分析中國為什么會(huì )以存儲芯片作為中國半導體行業(yè)騰飛的突破口，而且此舉有其戰略性的合理性。下回我們將會(huì )和大家一起分析一下另一個(gè)“風(fēng)口上的豬”――紫光集團。