意法半導體(ST)新的MOSFET晶體管技術(shù)/封裝解決方案重新定義功率能效

　　橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設計人員提高計算機、電信網(wǎng)絡(luò )、工業(yè)、消費電子產(chǎn)品的能效創(chuàng )造新的機會(huì )。

　　全世界的人都在獲取、保存、分享大量的電子書(shū)、視頻、相片和音樂(lè )文件，數據使用量連續快速增長(cháng)，運行云計算技術(shù)的服務(wù)器集群、互聯(lián)互通的電信網(wǎng)絡(luò )、數據用戶(hù)終端設備的耗電量也隨之越來(lái)越高，人們對這些設備能耗最小化的需求越來(lái)越多。為應對這一挑戰，意法半導體整合最先進(jìn)的功率晶體結構和尺寸緊湊且高熱效率的PowerFLAT 8x8 HV封裝技術(shù)，推出世界上功率密度最好的[1]功率晶體管解決方案。

　　意法半導體的新系列功率晶體管產(chǎn)品包括集成快速恢復二極管、擊穿電壓650V的各種超結 功率MOSFET。包括低柵電荷量、低輸入電容、低輸入電阻、內部二極管的快速恢復、極低的恢復電荷量(Qrr)、極短的恢復時(shí)間(Trr)和業(yè)內最好的軟開(kāi)關(guān)性能[2] 在內的技術(shù)參數讓新產(chǎn)品領(lǐng)先于競爭對手。

　　意法半導體的新MDmeshTM DM2 功率MOSFET目前有多種封裝/擊穿電壓組合。

　　如需了解更多詳情，請訪(fǎng)問(wèn)：www.st.com/mdmeshdm2。