RRAM領(lǐng)軍者Crossbar正式進(jìn)軍中國存儲市場(chǎng)

　　阻變式存儲器(RRAM)技術(shù)的領(lǐng)導者Crossbar公司今日宣布正式進(jìn)軍中國市場(chǎng)，并在上海設立新的辦事處。

　　Crossbar公司首席執行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場(chǎng)，亦是絕大多數產(chǎn)品的制造基地。憑借我們在中國深厚的風(fēng)投實(shí)力和資源、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，我們相信將在中國消費電子、企業(yè)、移動(dòng)、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)掀起新一輪電子創(chuàng )新浪潮。此外，我們近期與中芯國際已達成合作，將我們的嵌入式技術(shù)用于中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使新的應用開(kāi)發(fā)受益。”

　　通過(guò)集成更大的片上非易失性阻變式存儲器(RRAM)到智能卡、機頂盒、IP相機和監視器等一系列應用，Crossbar的客戶(hù)現正設計并推出低功耗、高安全性的解決方案。

　　Minassian博士還表示：“物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設備市場(chǎng)需要節能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術(shù)能提供片上編程和數據存儲的嵌入式內存模塊，也可單獨作為EEPROM內存，將是滿(mǎn)足這些需求的理想解決方案。”

　　Crossbar技術(shù)首先由中國出生的盧偉(Dr. Wei D. Lu)博士研發(fā)，他也是Crossbar的首席科學(xué)家和聯(lián)合創(chuàng )始人。盧博士擁有中國清華大學(xué)物理學(xué)士學(xué)位，以及德克薩斯州萊斯大學(xué)物理學(xué)博士學(xué)位。盧博士在RRAM領(lǐng)域積累了十二年的研究經(jīng)驗，他先作為哈佛大學(xué)的博士后研究員，然后被任命為密歇根大學(xué)教授從事這項研究。他是納米結構和設備行業(yè)的領(lǐng)先專(zhuān)家，包括基于雙端電阻開(kāi)關(guān)設備的高密度內存和邏輯系統、神經(jīng)元電路、半導體納米線(xiàn)設備和低維系統中的電子輸運。

　　Crossbar RRAM技術(shù)被廣泛視為極有可能取代當前非易失性?xún)却婕夹g(shù)的有力競爭者，從而贏(yíng)得這一價(jià)值600億美元的全球市場(chǎng)。Crossbar技術(shù)可在一個(gè)200平方毫米的芯片上存儲數個(gè)TB的數據，能夠將海量信息，例如250小時(shí)的高清電影，存儲在比郵票還小的集成電路上，并進(jìn)行回放。憑借簡(jiǎn)單的三層結構，堆疊性和CMOS兼容性，Crossbar能在最新的技術(shù)節點(diǎn)下將邏輯和存儲集成到單芯片上，實(shí)現傳統或其他非易失性?xún)却婕夹g(shù)無(wú)可比擬的存儲容量。Crossbar擁有大容量和快速的優(yōu)勢，并將成為下一代企業(yè)和數據中心存儲系統的理想選擇。