什么是FRAM?
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FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱(chēng)為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來(lái)存儲數據。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202005/413194.htm關(guān)于鐵電質(zhì)
下面的圖表解釋了PZT晶體結構，這種結構通常用作典型的鐵電質(zhì)材料。在點(diǎn)陣中具有鋯和鈦，作為兩個(gè)穩定點(diǎn)。它們可以根據外部電場(chǎng)在兩個(gè)點(diǎn)之間移動(dòng)。一旦位置設定，即使在出現電場(chǎng)，它也將不會(huì )再有任何移動(dòng)。頂部和底部的電極安排了一個(gè)電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線(xiàn)。數據以“1”或“0”的形式存儲。
PZT晶體結構和FRAM工作原理
1、 當加置電場(chǎng)時(shí)就會(huì )產(chǎn)生極化。（鋯/鈦離子在晶體中向上或向下移動(dòng)）
2、 即使在不加置電場(chǎng)的情況下，也能保持電極。
3、 兩個(gè)穩定的狀態(tài)以“0”或“1”的形式存儲。
存儲器分類(lèi)中的FRAM
* 非易失性：即使沒(méi)有上電，也可以保存所存儲的信息。
優(yōu)勢
與傳統存儲器相比，FRAM具有下列優(yōu)勢：
非易失性
● 即使沒(méi)有上電，也可以保存所存儲的信息。
● 與SRAM相比，無(wú)需后備電池（環(huán)保產(chǎn)品）
更高速度寫(xiě)入
● 像SRAM一樣，可覆蓋寫(xiě)入
● 不要求改寫(xiě)命令
● 對于擦/寫(xiě)操作，無(wú)等待時(shí)間
● 寫(xiě)入循環(huán)時(shí)間 =讀取循環(huán)時(shí)間
● 寫(xiě)入時(shí)間：E2PROM的1/30,000
具有更高的讀寫(xiě)耐久性
● 確保最大1012次循環(huán)（100萬(wàn)億循環(huán)）/位的耐久力
● 耐久性：超過(guò)100萬(wàn)次的 E2PROM
具有更低的功耗
● 不要求采用充電泵電路
● 功耗：低于1/400的E2PROM
表1. FRAM和其它器件間規格差異的比較表
表1. 與其它存儲器產(chǎn)品相比，FRAM的特性
| FRAM | E2PROM | Flash | SRAM | |
存儲器 類(lèi)別 | 非易失性 | 易失性 | ||
| 晶胞結構*1 | 1T1C/2T2C | 2T | 1T | 6T |
數據 改寫(xiě)方法 | 覆蓋寫(xiě)入 | 擦除+寫(xiě)入 | 扇面擦除+ 寫(xiě)入 | 覆蓋寫(xiě)入 |
寫(xiě)入 循環(huán)時(shí)間 | 150ns*2 | 5ms | 10μs | 55ns |
| 耐久力 | 最大 1012 （1萬(wàn)億次循環(huán)*3）*2 | 106 （100萬(wàn)次循環(huán)） | 105 （10萬(wàn)次循環(huán)） | 無(wú)限制 |
寫(xiě)入 操作電流 | 5mA（典型值）*2 15mA（最大值）*2 | 5mA （最大值） | 20mA （最大值） | 8mA （典型值） - |
| 待機電流 | 5μA（典型值）*2 50μA（最大值）*2 | 2μA （最大值） | 100μA （最大值） | 0.7μA（典型值） 3μA（最大值） |
*1) T=晶體管. C=電容器
*2) 256Kb獨立的FRAM存儲器的技術(shù)規格
*3) 讀寫(xiě)操作的總循環(huán)
富士通FRAM集成型產(chǎn)品
● 獨立存儲器（I2C/SPI/并行接口產(chǎn)品）
富士通半導體提供了獨立的存儲器，它具有FRAM的優(yōu)勢，包括非易失性、高速讀寫(xiě)、低功耗和更高的讀寫(xiě)耐久性。你可以將其用于各種應用，如移動(dòng)裝置，OA設備，數字電器和銀行終端等。
● 獨立存儲器（I2C/SPI/并行接口產(chǎn)品）
● 適用于RFID的LSI
● 驗證 IC
● 應用
● 定制 LSI
● 技術(shù)支持
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