EDI CON China 2016新增射頻絕緣體上硅專(zhuān)題分會(huì )和主旨報告

　　將于4月19-21日在北京國家會(huì )議中心舉行的EDI CON China 2016(電子設計創(chuàng )新會(huì )議)的主辦方宣布，GLOBALFOUNDRIES射頻業(yè)務(wù)拓展和產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)資深總監Peter Rabbeni將在新開(kāi)設的射頻絕緣體上硅(RF SOI)技術(shù)專(zhuān)題分會(huì )上做題為《RF SOI：革新今天的無(wú)線(xiàn)電設計并推動(dòng)明天的創(chuàng )新》的開(kāi)幕主旨報告。來(lái)自Peregrine Semiconductor、TowerJazz、Simgui、AnalogSmith和上海交通大學(xué)的專(zhuān)家也將在RF SOI分會(huì )上發(fā)表演講或舉辦研習會(huì )。RF SOI分會(huì )的議題包括基材工程、設計的實(shí)現、CMOS功率放大器設計和高集成度控制設備。

　　Rabbeni先生的主旨報告將講述RF SOI在過(guò)去幾年中如何在移動(dòng)射頻領(lǐng)域推動(dòng)收發(fā)器和天線(xiàn)的性能改善、成本降低和結構革新，從而實(shí)現了高速增長(cháng)。在近階段，沒(méi)有其它射頻技術(shù)有如此大的影響力。隨著(zhù)無(wú)線(xiàn)標準變得越來(lái)越具有挑戰性以及5G的即將推出，RF SOI有望繼續在創(chuàng )新結構的開(kāi)發(fā)方面扮演重要的角色。他的報告將闡述在這個(gè)技術(shù)領(lǐng)域我們已經(jīng)走到了哪里、將向何處去。關(guān)于RF SOI還可以參考《微波雜志》15年11/12月發(fā)表的文章《RF SOI：引起射頻系統設計的革命》

　　EDI CON China 2016最近宣布了中國雷達行業(yè)協(xié)會(huì )主辦的會(huì )議和中國電工學(xué)會(huì )主辦的電磁兼容大會(huì )/展覽將與其同期同地舉辦。主辦方預計將有3000多人參會(huì )。3天的會(huì )議包含80場(chǎng)技術(shù)會(huì )議和30場(chǎng)企業(yè)贊助的研習會(huì )以及座談會(huì )。技術(shù)會(huì )議將按以下主題分為若干分會(huì )：射頻、微波和高速數字設計，射頻/微波建模和測量，EMC/EMI，高速數字建模與測量，系統級測量與建模，系統設計。關(guān)于會(huì )議的更多信息請訪(fǎng)問(wèn)www.mwjournalchina.com/edicon。