中芯國際與RRAM領(lǐng)軍企業(yè)Crossbar達成戰略合作協(xié)議

　　中芯國際集成電路制造有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“中芯國際”)，中國內地規模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，與阻變式存儲器(RRAM)技術(shù)領(lǐng)導者Crossbar，今日共同宣布雙方就非易失性RRAM開(kāi)發(fā)與制造達成戰略合作協(xié)議。

　　作為雙方合作的一部分，中芯國際與Crossbar已簽訂一份代工協(xié)議，基于中芯國際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲器組件。這將幫助客戶(hù)將低延時(shí)、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件，以應對物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、平板電腦、消費電子、工業(yè)及汽車(chē)電子市場(chǎng)需求。

　　“Crossbar產(chǎn)品持續按計劃推進(jìn)，目前正在授權階段。我們很榮幸宣布與中芯國際的合作，這是我們的RRAM技術(shù)實(shí)現商業(yè)化的重要一步。”Crossbar CEO及聯(lián)合創(chuàng )始人George Minassian表示，“高度集成的MCU及SoC設計者需要非易失性存儲器技術(shù)，此技術(shù)能夠更加便捷地集成到他們的產(chǎn)品中去并且能夠應用標準的CMOS邏輯制程制造。Crossbar的RRAM技術(shù)與中芯國際專(zhuān)業(yè)制造能力的結合將創(chuàng )造獨特的存儲器架構，安全性更嚴格，功耗更低，同時(shí)提供更大容量和更快的進(jìn)入時(shí)間。”

　　Crossbar的RRAM CMOS兼容性及對更小工藝尺寸的可擴展性使非易失性存儲器組件在更低工藝節點(diǎn)的MCU和SoC中集成成為可能。RRAM元件能夠集成到標準的CMOS邏輯工藝當中，在標準CMOS晶圓的兩條金屬線(xiàn)之間。這將促成高度集成的非易失性存儲器解決方案的實(shí)現，將片上非易失性存儲器、處理器核、模擬及射頻集成在一個(gè)單獨的芯片上。

　　“基于中芯國際40納米技術(shù)節點(diǎn)，我們能夠為客戶(hù)提供應用于智能卡和多種物聯(lián)網(wǎng)器件的高容量、低功耗且具有獨特安全性的存儲器技術(shù)。”中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云博士表示，“我們很高興與Crossbar在中芯國際穩定可靠的40納米技術(shù)平臺上展開(kāi)合作。我們能夠為全球客戶(hù)提供具有競爭力的技術(shù)，幫助他們縮短入市時(shí)間。我們也致力于與更多世界領(lǐng)先的公司展開(kāi)長(cháng)期戰略合作，共同服務(wù)市場(chǎng)并在未來(lái)實(shí)現共贏(yíng)。”

　　Crossbar的RRAM技術(shù)為需要低功耗、高性能非易失性代碼執行和數據存儲功能的嵌入式應用提供具有性?xún)r(jià)比的集成存儲器解決方案。