低功耗8-bit 200MSPS時(shí)間交織流水線(xiàn)ADC
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因為交叉點(diǎn)總是都在-1/2 和1/2處,且1/4 或-1/4處的跳變高度比電容翻轉式的大,電荷轉移結構能更好的實(shí)現校正。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/197924.htm當Δ是正數時(shí),電荷轉移結構會(huì )造成失碼,但是對比于電容翻轉結構在交叉點(diǎn)和跳變電的偏差,失碼引起的誤差對性能造成的影響較小。圖4給出不同電容失配情況下兩種結構SNDR的變化。

電荷轉移結構也有缺點(diǎn),最重要的一點(diǎn)是較小的反饋因子造成對放大器更高的要求。但是在8位100MHz流水線(xiàn)ADC中,放大器并不是困難,所以消耗一些電流來(lái)減小電容失配對系統性能造成的影響是有必要的。
本電路采用的不是傳統的兩級放大器。第一級是共源放大器,第二級是共源共柵放大器,如圖5所示。

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