離子注入技術(shù)的發(fā)展趨勢及典型應用

簡(jiǎn)述了離子注入技術(shù)的發(fā)展趨勢及典型應用，并簡(jiǎn)要分析了該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展方向。

關(guān)鍵詞：離子注入； 發(fā)展趨勢； 典型應用
Development and Application of Ionimplantation Technology CHEN Jiang-hong,CHEN Yang,LI Ai-cheng
　　Abstracts:This article discussed development history, trend and typical application of ion implantation technology. And also development direction of this field was analyzed.
Keywords:Ion implantation; Development trend; Typical application
　　微電子工業(yè)發(fā)展的標志在于集成電路生產(chǎn)的集成度、線(xiàn)寬、晶片直徑、生產(chǎn)力等。離子注入機是集成電路生產(chǎn)中的一項關(guān)鍵技術(shù)。隨著(zhù)集成度的提高，注入次數不斷增加，對離子注入機的綜合要求也越來(lái)越高，可以說(shuō)正是離子注入機等關(guān)鍵設備的發(fā)展，才促進(jìn)了半導體器件的發(fā)展，而器件的發(fā)展又反過(guò)來(lái)推動(dòng)了設備的發(fā)展。

離子注入技術(shù)是把某種元素的原子電離成離子，并使其在幾十至幾百千伏的電壓下進(jìn)行加速，在獲得較高速度后射入放在真空靶室中的工件材料表面的一種離子束技術(shù)。材料經(jīng)離子注入后，其表面的物理、化學(xué)及機械性能會(huì )發(fā)生顯著(zhù)的變化。

1 離子注入技術(shù)的發(fā)展趨勢
　　一般來(lái)說(shuō)，制造廠(chǎng)家生產(chǎn)3種類(lèi)型注入機：強流注入機、中束流注入機和高能注入機。強流注入機提供高劑量注入，大束流，且成本低。工作電壓從200eV～120keV，可以注入各種元素，所使用的離子源是燈絲結構，或是抗熱陰極非直接加熱，產(chǎn)生電子和離子。另一種方法是采用ＲＦ射頻源技術(shù)，實(shí)際上是在磁場(chǎng)環(huán)境產(chǎn)生分子激勵，然后產(chǎn)生更高的引出束流和更冷的靜等離子體。傳統的強流注入采用批量工藝降低成本。這要求將13張圓片放在固體鋁盤(pán)上，在1000～11200r/min速率下旋轉。最近Varian推出了一項處理圓片的新技術(shù)，將圓片風(fēng)險降至最低。Varian介紹SHC－80圓片，實(shí)質(zhì)上是一個(gè)系列工藝類(lèi)型，該類(lèi)型比市場(chǎng)上其他的更迅速、更干凈，只需要批處理系統的小部分部件工作。機器允許以低廉的成本處理200mm和300mm圓片。
　　高能注入帶來(lái)更大的靈活性，同時(shí)提高亞微米器件結構的特性。其優(yōu)點(diǎn)還包括低熱負荷，IC制作上工藝靈活性強。摻雜面可以修整優(yōu)化滿(mǎn)足不同器件性能要求，具有通道靈活性、熱載生成，結電容和CMOS閂鎖敏感性。利用高能注入可保證微米層在表面以下生成而不形成任何形式的擾動(dòng)。使用的技術(shù)類(lèi)似于200keV下的通用技術(shù)，此時(shí)離子穿透基片更高，在靠近表面的基片背景層無(wú)任何擾動(dòng)。集中尖峰緩慢移動(dòng)靠近表面，然后形成一道逆行墻。因此高能注入給IC制作帶來(lái)更多機遇。
　　國際半導體技術(shù)發(fā)展，使得離子注入技術(shù)面臨兩大主要挑戰：
　?。?）形成低泄漏淺結；（2）以低成本使用MeV注入替代外延，利用低能硼離子束注入技術(shù)獲得高質(zhì)量淺ｐ型結進(jìn)行注入的分子動(dòng)態(tài)研究。
　　獲得高質(zhì)量的淺ｐ型結的最新技術(shù)由Kyoto大學(xué)離子束工程實(shí)驗室完成。采用硼化氫的簇離子注入技術(shù)形成淺結。小的硼束流和單體注入進(jìn)行分子動(dòng)態(tài)模擬。在最后階段，通過(guò)B10簇形成損害可望避免附加B原子瞬態(tài)提高擴散，獲得高質(zhì)量淺ｐ型結。 2 離子注入技術(shù)應用領(lǐng)域
2．1 離子注入應用于金屬材料改性
離子注入應用于金屬材料改性，是在經(jīng)過(guò)熱處理或表面鍍膜工藝的金屬材料上，注入一定劑量和能量的離子到金屬材料表面，改變材料表層的化學(xué)成份、物理結構和相態(tài)，從而改變材料的力學(xué)性能、化學(xué)性能和物理性能。具體地說(shuō)，離子注入能改變材料的聲學(xué)、光學(xué)和超導性能，提高材料的工作硬度、耐磨損性、抗腐蝕性和抗氧化性，最終延長(cháng)材料工作壽命。離子注入提高工模具的耐磨性能、金屬樣品的抗疲勞性以及金屬表面耐腐蝕性分別列于表1、2、3。

2．2 離子注入機應用于摻雜工藝
在半導體工藝技術(shù)中，離子注入具有高精度的劑量均勻性和重復性，可以獲得理想的摻雜濃度和集成度，使電路的集成、速度、成品率和壽命大為提高，成本及功耗降低。這一點(diǎn)不同于化學(xué)氣相淀積，化學(xué)氣相淀積要想獲得理想的參數，如膜厚和密度，需要調整設備設定參數，如溫度和氣流速率，是一個(gè)復雜過(guò)程。上個(gè)世紀70年代要處理簡(jiǎn)單一個(gè)的ｎ型金屬氧化物半導體可能只需6～8次注入，而現代嵌入記憶功能的CMOS集成電路可能需要注入達35次。
技術(shù)應用需要劑量和能量跨越幾個(gè)等級，多數注入情況為：每個(gè)盒子的邊界接近，個(gè)別工藝因設計差異有所變化。隨著(zhù)能量降低，離子劑量通常也會(huì )下降。具備經(jīng)濟產(chǎn)出的最高離子注入劑量是1016/cm2，相當于20個(gè)原子層。
2．3 在SOI技術(shù)中的應用
由于SOI技術(shù)（Silicon-on-Insulation）在亞微米ULSI低壓低功耗電路和抗輻照電路等方面日益成熟的應用，人們對SOI制備技術(shù)進(jìn)行了廣泛探索。
1966年Watanabe和Tooi首先報道通過(guò)O＋注入形成SILF表面的Si氧化物來(lái)進(jìn)行器件間的絕緣隔離的可能性。1978年，NTT報道用這項技術(shù)研制出高速、低功耗的CMOS鏈振蕩電路后，這種注O＋技術(shù)成為眾人注目的新技術(shù)。從而注氧隔離技術(shù)即SIMOX就成了眾多SOI制備技術(shù)中最有前途的大規模集成電路生產(chǎn)技術(shù)。1983年ＮＴＴ成功運用了SIMOX技術(shù)大批生產(chǎn)了COMSBSH集成電路；1986年ＮＴＴ還研制了抗輻射器件。這一切，使得NTT聯(lián)合EATON公司共同開(kāi)發(fā)了強流氧離子注入機（束流達100mA），之后EATON公司生產(chǎn)了一系列NV－200超強流氧離子注入機，后來(lái)Ibis公司也研制了Ibis－1000超強流氧離子注入。從此SIMOX技術(shù)進(jìn)入了大規模生產(chǎn)年代。到了上世紀90年代后期，人們在對SIMOX材料的廣泛應用進(jìn)行研究的同時(shí)，也發(fā)現了注氧形成的SOI材料存在一些難以克服的缺點(diǎn)，如硅島、缺陷，頂部硅層和氧化層的厚度不均勻等，從而導致了人們開(kāi)始著(zhù)眼于注氫和硅片鍵合技術(shù)相結合的智能剝離技術(shù)即SMART CUT技術(shù)的研制，上世紀90年代末期，H＋離子注入成了新的熱門(mén)話(huà)題。目前雖無(wú)專(zhuān)門(mén)的H＋離子注入機，但隨著(zhù)SMART CUT工藝日趨成熟，不久將會(huì )出現專(zhuān)門(mén)的H＋離子注入機。
除了半導體生產(chǎn)行業(yè)外，離子注入技術(shù)也廣泛應用于金屬、陶瓷、玻璃、復合物、聚合物、礦物以及植物種子改良上。

3 結束語(yǔ)
21世紀微電子行業(yè)將走產(chǎn)業(yè)化道路，目前國內需求日益擴大。伴隨著(zhù)器件的發(fā)展，設備一定要跟上國際發(fā)展趨勢，定好目標、打好基礎，努力提高離子注入技術(shù)水平，為微電子行業(yè)產(chǎn)業(yè)化的后續發(fā)展提供技術(shù)支撐。