什么是離子注入技術(shù)

2．1 離子注入應用于金屬材料改性
離子注入應用于金屬材料改性，是在經(jīng)過(guò)熱處理或表面鍍膜工藝的金屬材料上，注入一定劑量和能量的離子到金屬材料表面，改變材料表層的化學(xué)成份、物理結構和相態(tài)，從而改變材料的力學(xué)性能、化學(xué)性能和物理性能。具體地說(shuō)，離子注入能改變材料的聲學(xué)、光學(xué)和超導性能，提高材料的工作硬度、耐磨損性、抗腐蝕性和抗氧化性，最終延長(cháng)材料工作壽命。

2．2 離子注入機應用于摻雜工藝
在半導體工藝技術(shù)中，離子注入具有高精度的劑量均勻性和重復性，可以獲得理想的摻雜濃度和集成度，使電路的集成、速度、成品率和壽命大為提高，成本及功耗降低。這一點(diǎn)不同于化學(xué)氣相淀積，化學(xué)氣相淀積要想獲得理想的參數，如膜厚和密度，需要調整設備設定參數，如溫度和氣流速率，是一個(gè)復雜過(guò)程。上個(gè)世紀70年代要處理簡(jiǎn)單一個(gè)的ｎ型金屬氧化物半導體可能只需6～8次注入，而現代嵌入記憶功能的CMOS集成電路可能需要注入達35次。
技術(shù)應用需要劑量和能量跨越幾個(gè)等級，多數注入情況為：每個(gè)盒子的邊界接近，個(gè)別工藝因設計差異有所變化。隨著(zhù)能量降低，離子劑量通常也會(huì )下降。具備經(jīng)濟產(chǎn)出的最高離子注入劑量是1016/cm2，相當于20個(gè)原子層。

2．3 在SOI技術(shù)中的應用
由于SOI技術(shù)（Silicon-on-Insulation）在亞微米ULSI低壓低功耗電路和抗輻照電路等方面日益成熟的應用，人們對SOI制備技術(shù)進(jìn)行了廣泛探索。