光纖宏彎損耗測試方法介紹
光纖宏彎損耗測試,在國家標準GB/T9771.3-2008中描述為:光纖以30mm半徑松繞100圈,在1625nm測得的宏彎損耗應不超過(guò)0.1dB。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/194400.htm而注2中描述:為了保證彎曲損耗易于測量和測量準確度,可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替100圈光纖進(jìn)行試驗,在此情況下,繞的圈數環(huán)的半徑和最大允許的彎曲損耗都應該與30mm半徑100圈試驗的損耗值相適應。
大多光纖廠(chǎng)家都提供Φ60mm*100圈的判斷標準,然而,在日常的測試工作中,若要采用方便快捷的實(shí)驗方法,則傾向于按照注2中的建議去進(jìn)行一些常規判斷。因此,掌握Φ32mm*1圈與Φ60mm*100圈的數據差異就十分有必要。
Φ32mm*1宏彎測試更為簡(jiǎn)便
兩種宏彎損耗測試方法示意圖如圖1所示。

用上述方法對10盤(pán)正常生產(chǎn)條件下的光纖樣品進(jìn)行對比測試。
分別在1310nm、1550nm、1625nm三種波長(cháng)下,對10盤(pán)光纖樣品的宏彎平均值、標準偏差進(jìn)行統計,最后將全部數據匯總,得到圖2。
從整體數據匯總圖可看出,Φ32mm*1宏彎測試方法所得數據的平均值和標準偏差都比 Φ60mm*100的要小,且數據相對穩定,重復性好。當然所抽樣品也不是完全都遵循此規律,10個(gè)樣品中有3個(gè)樣品在1625nm窗口下Φ32mm*1 所得數據的平均值大于Φ60mm*100所測得的;還有1個(gè)樣品在1550nm、1625nm窗口下所得數據的標準偏差大于Φ60mm*100的。
10個(gè)樣品用兩種測試方法所得數據的平均值和標準偏差相差不大,處于一個(gè)數據等級內。Φ32mm*1的判斷標準應考慮的與60mm*100比較接近。
在測試過(guò)程中,Φ32mm*1宏彎測試方法易于操作,能減少測試誤差,根據GB/T 9771.3-2008宏彎損耗的說(shuō)明,Φ32mm*1宏彎測試方法可作為判斷光纖宏彎性能的一種簡(jiǎn)便方法。
Φ60mm*100作為標準明確規定一種方法,其準確性的提高需依賴(lài)于測試裝置的改良,如保證光纖以盡可能一致的直徑、適宜的張力纏繞100圈。
截止波長(cháng)與宏彎損耗存在相關(guān)性

為更好地摸索宏彎損耗與截止波長(cháng)的關(guān)系,隨機抽取760個(gè)樣品進(jìn)行實(shí)驗,實(shí)驗數據如圖3、圖4所示。
由圖3可明顯看出1625nm的數據較1550nm窗口下宏彎損耗分散,實(shí)際數據證實(shí)長(cháng)波長(cháng)對彎曲的敏感程度更甚。
由圖4可看出1625nm宏彎損耗相對集中時(shí)對應的截止波長(cháng)也相對集中分布在1210nm~1290nm,截止波長(cháng)越小,宏彎損耗越大,且分布散亂無(wú)規律。
通過(guò)以上分析,可以看出截止波長(cháng)對宏彎損耗有一定的影響,當截止波長(cháng)分布在1210nm~1290nm范圍內時(shí),1550nm、1625nm窗口下宏彎損耗相對集中,數據穩定,這為光纖廠(chǎng)商優(yōu)化工藝改善宏彎損耗提供了有利的數據依據。
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