熱阻測試原理與失效分析
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2．2 熱阻測試預判斷失效
熱阻測試前的預判斷測試項目IF>50 A、IG>500 mA、VT1>4 V、VT0．1 V發(fā)生失效，實(shí)際上并不是真實(shí)的熱阻失效，而是產(chǎn)品開(kāi)短路或漏電過(guò)大或測試設備不良導致的。所以，這一類(lèi)失效，此時(shí)并不需要分析熱阻，而是要分析測試設備是否有問(wèn)題，產(chǎn)品是否開(kāi)短路或漏電。
2．3 熱阻低于規范值
真正的熱阻測試失效有兩種情況，一類(lèi)是低于規范值、一類(lèi)是高于規范值。熱阻測試規范中設置下限，實(shí)際足為了防止混管，實(shí)際上，熱阻越小越好，所以當熱阻低于規范值時(shí)，只需要確認是否混管或誤測，如果鄙不是，可以直接放寬規范下限或取消規范下限，將不良品復測即可。
2．4 熱阻測試高于規范值
熱阻高于規范值失效，目前，已知可能的原因有以下幾種：
①上芯空洞超標、結合不良；
②錫層厚度偏厚、傾斜；
③芯片內阻大；
④測試規范上限設置過(guò)于嚴格；
⑤測試條件設置不合理；
(1)空洞超標、結合不良
空洞超標、結合不良會(huì )導致熱阻偏大，是由于空氣的導熱系數遠小于錫?？諝庠跇藴蕵藴薁顟B(tài)下的導熱系數是0．0244 W／(m．k)，而錫的導熱系數是67 W／(m．k)，相差近3000倍。所以空洞對熱阻的影響是非常大的，遠大于錫層偏厚或傾斜的影響。熱阻分布如圖4所示。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/192806.htm
(2)錫層厚度偏厚、傾斜
錫層厚度偏厚或傾斜，增加了熱傳導的距離，一定程度上使產(chǎn)品溫度上升較快，導致熱阻偏大，但其影響遠低于空洞或產(chǎn)品自身內阻增加造成的熱阻偏大。熱阻分布如圖5所示。
(3)芯片內阻偏大
當芯片內阻偏大時(shí)，產(chǎn)生的熱量會(huì )明顯增加，導致產(chǎn)品溫度上升，熱阻增加。熱阻分布如圖6所示。
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