基于FPGA的外部存儲器設計

摘要：為了提高雷達海量數據的處理速度，采用FPGA設計了一種高速外部存儲器，通過(guò)多次實(shí)驗，驗證了設計方法的可行性。高速外部存儲器可以有效地提高數據存儲速度，節約讀／寫(xiě)時(shí)間，從而滿(mǎn)足信號處理的高速實(shí)時(shí)的要求。這種方法充分利用FPGA設計方便，SDRAM和FLASH的存儲讀寫(xiě)速度快的優(yōu)勢，具有成本低廉，兼容性強，易于工程實(shí)現的特點(diǎn)。
關(guān)鍵詞：雷達信號處理；FPGA；SDRAM；FLASH；存儲器設計

0 引言
隨著(zhù)雷達技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，對雷達信號處理的要求越來(lái)越高，在實(shí)時(shí)信號處理過(guò)程中有大量數據需要存儲，由于FPGA本身的存儲器容量非常小，根本滿(mǎn)足不了雷達信號處理過(guò)程中的需求，為解決這一問(wèn)題，通過(guò)查詢(xún)資料，引入SDRAM和FLASH作為FPGA的外部存儲器。SDRAM存儲器以其快速、方便和價(jià)格相對便宜，因而，常被用在雷達信號實(shí)時(shí)處理上。選擇SDRAM而沒(méi)有SRAM是因為SRAM價(jià)格太貴，SDRAM相對便宜。沒(méi)有選擇DDR SDRAM的原因是因為在實(shí)際的雷達信號處理中并不需要那么高burst率，SDRAM足以滿(mǎn)足實(shí)際需求。SDRAM主要作用：在MTI處理時(shí)作為周期延遲器件、動(dòng)態(tài)雜波圖的存儲和數據暫存等功能。雖然SDRAM有存儲容量大、價(jià)格相對便宜等優(yōu)點(diǎn)，但是其斷電所有數據丟失的缺點(diǎn)，使其僅在FPGA外部連接SDRAM作為外部存儲器件顯然是不能滿(mǎn)足設計需求的，因此，在設計過(guò)程中考慮到FLASH存儲。在設計中用FLASH存儲一些斷電不能丟失的數據，如：脈沖壓縮處理時(shí)的匹配濾波器系數、MTI處理時(shí)雜波加權系數、CFAR處理時(shí)的對數表以及一些函數求值等。

1 存儲電路設計
1．1 SDRAM存儲電路設計
在硬件電路設計過(guò)程中，先通過(guò)SDRAM的I／O接口電平標準選擇FPGA的外圍I／O電平標準，從而解決電氣互聯(lián)問(wèn)題。根據實(shí)時(shí)信號處理過(guò)程中所需的存儲容量以及FPGA的型號，選擇了4片SDRAM存儲器，用于輸入／輸出緩存。芯片的型號為K4S641632N-LC／L75。SDRAM工作模式有多種，內部操作是一個(gè)復雜的狀態(tài)機。SDRAM的管腳可以分為以下幾類(lèi)：控制信號，包括片選、時(shí)鐘、時(shí)鐘使能、行列地址選擇、讀／寫(xiě)選擇、數據有效等。地址線(xiàn)行列復用，數據引線(xiàn)是雙向傳輸。SDRAM的所有操作都同步于時(shí)鐘，都是在時(shí)鐘上升沿時(shí)控制管腳和地址輸入的狀態(tài)，進(jìn)而產(chǎn)生多種需要的命令。
SDRAM與FPGA的連接，要把FPGA的普通I／O與SDRAM的除電源、NC和接地管腳之外管腳連接起來(lái)即可，所有的控制與工作時(shí)序都是由FPGA提供，由于管腳太多，采取了網(wǎng)絡(luò )標號連接，其電路原理圖如圖1所示。由于篇幅關(guān)系，只給出了部分電路圖。