X波段高功率T／R組件的設計與制作

如果兩個(gè)放大器完全相同，那么，S11=0，且S22=0，而且增益S21(S12也如此)等于耦合器的單邊增益。2．2 Wilkinson功分器的設計與仿真基于現有的工藝水平，選用的導體為金，其厚度為0．01 mm，由于LTCC基板的工藝精度不佳，插損比較大，故而利用陶瓷作為介質(zhì)，其介電常數εr=9．9，厚度為0．635 mm，損耗角正切值為0．006。通過(guò)軟件仿真可以計算出兩段50 Ω的線(xiàn)寬為W1=0．6 mm，70．7 Ω的線(xiàn)寬為W2=0．23 mm。電阻選為100 Ω的薄膜電阻。
按照上面的初始參數，利用HFSS仿真的結果計算，在X波段，三個(gè)端口的駐波均在1．19以下，兩臂的公分比：端口二約為-3．1 dB，端口三約為-3．5 dB、兩臂的隔離度在-27 dB以下和兩端口的相位差為90°±5°。
2．3 x波段T／R組件的電磁兼容分析
T／R組件中存在著(zhù)數字信號、模擬信號、微波信號、直流信號和脈沖信號等。因此，電磁兼容設計將是工程實(shí)現，調機聯(lián)試中的難點(diǎn)，在設計階段，必須充分認識到電磁兼容性設計的重要性。

2．3．1 腔體效應
腔體效應是組件EMC設計中的一個(gè)重要環(huán)節，除了諧振頻率和相應的Q值會(huì )導致組件的不穩定工作以外，腔體內部具體場(chǎng)分布特征也可能導致組件整體性能上的失敗或成品率的下降。這里設計優(yōu)化的目標是盡量降低腔體內部場(chǎng)分布強度。另外，在熱耗嚴重地方(末級功率放大器芯片)不能有高強度的的場(chǎng)分布，如圖4所示。同時(shí)，末級功率放大器的抗失配比對整個(gè)支路的穩定性也具有實(shí)際意義，而加上吸波材料來(lái)解決腔體自激現象也非常有用。

2．3．2 電源完整性
電源的完整性設計對T／R組件的正常穩定工作至關(guān)重要，造成電源不穩定的根源主要在于兩個(gè)方面：一是器件高速開(kāi)關(guān)狀態(tài)下，瞬態(tài)交變電流過(guò)大；二是電流回路上存在的電感。
通過(guò)改變T／R組件內部接地方式，尤其LTCC內部接地方式，可以在多層布線(xiàn)結構要求和地平面阻抗之間找到平衡點(diǎn)，對各種電源之間進(jìn)行地的隔離等來(lái)改善電源之間的干擾等。