基于智能手機系統架構優(yōu)化的低功耗設計方案
中心議題:
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/186341.htm隨著(zhù)智能手機的功能越來(lái)越強大,其功率損耗也越來(lái)越大。如何提高智能手機的使用時(shí)間和待機時(shí)間,是大家都非常關(guān)注的問(wèn)題。在配備更大容量的手機電池作用有限的情況下,本文揭示了如何采用先進(jìn)技術(shù)改進(jìn)系統設計,以降低手機功率損耗。
隨著(zhù)通信產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,移動(dòng)終端已經(jīng)由原來(lái)單一的通話(huà)功能向話(huà)音、數據、圖像、音樂(lè )和多媒體方向綜合演變。而對于移動(dòng)終端,基本上可以分成兩種:一種是傳統手機(feature phone);另一種是智能手機(smart phone)。智能手機具有傳統手機的基本功能,并有以下特點(diǎn):開(kāi)放的操作系統、硬件和軟件的可擴充性和支持第三方的二次開(kāi)發(fā)。相對于傳統手機,智能手機以其強大的功能和便捷的操作等特點(diǎn),越來(lái)越得到人們的青睞,將逐漸成為市場(chǎng)的一種潮流。
然而,作為一種便攜式和移動(dòng)性的終端,完全依靠電池來(lái)供電,隨著(zhù)智能手機的功能越來(lái)越強大,其功率損耗也越來(lái)越大。因此,必須提高智能手機的使用時(shí)間和待機時(shí)間。對于這個(gè)問(wèn)題,有兩種解決方案:一種是配備更大容量的手機電池;另一種是改進(jìn)系統設計,采用先進(jìn)技術(shù),降低手機的功率損耗。
現階段,手機配備的電池以鋰離子電池為主,雖然鋰離子電池的能量密度比以往提升了近30%,但是仍不能滿(mǎn)足智能手機發(fā)展需求。就目前使用的鋰離子電池材料而言,能量密度只有20%左右的提升空間。而另一種被業(yè)界普遍看做是未來(lái)手機電池發(fā)展趨勢的燃料電池,能使智能手機的通話(huà)時(shí)間超過(guò)13 h,待機時(shí)間長(cháng)達1個(gè)月,但是這種電池技術(shù)仍不成熟,離商用還有一段時(shí)間。增大手機電池容量總的趨勢上將會(huì )增加整機的成本。
因此,從智能手機的總體設計入手,應用先進(jìn)的技術(shù)和器件,進(jìn)行降低功率損耗的方案設計,從而盡可能延長(cháng)智能手機的使用時(shí)間和待機時(shí)間。事實(shí)上,低功耗設計已經(jīng)成為智能手機設計中一個(gè)越來(lái)越迫切的問(wèn)題。
1 智能手機的硬件系統架構
本文討論的智能手機的硬件體系結構是使用雙cpu架構,如圖1所示。
主處理器運行開(kāi)放式操作系統,負責整個(gè)系統的控制。從處理器為無(wú)線(xiàn)modem部分的dbb(數字基帶芯片),主要完成語(yǔ)音信號的a/d轉換、d/a轉換、數字語(yǔ)音信號的編解碼、信道編解碼和無(wú)線(xiàn)modem部分的時(shí)序控制。主從處理器之間通過(guò)串口進(jìn)行通信。主處理器采用xxx公司的cpu芯片,它采用cmos工藝,擁有arm926ej-s內核,采用arm公司的amba(先進(jìn)的微控制器總線(xiàn)體系結構),內部含有16 kb的指令cache、16 kb的數據cache和mmu(存儲器管理單元)。為了實(shí)現實(shí)時(shí)的視頻會(huì )議功能,攜帶了一個(gè)優(yōu)化的mpeg4硬件編解碼器。能對大運算量的mpeg4編解碼和語(yǔ)音壓縮解壓縮進(jìn)行硬件處理,從而能緩解arm內核的運算壓力。主處理器上含有lcd(液晶顯示器)控制器、攝像機控制器、sdram和srom控制器、很多通用的gpio口、sd卡接口等。這些使它能很出色地應用于智能手機的設計中。
在智能手機的硬件架構中,無(wú)線(xiàn)modem部分只要再加一定的外圍電路,如音頻芯片、lcd、攝像機控制器、傳聲器、揚聲器、功率放大器、天線(xiàn)等,就是一個(gè)完整的普通手機(傳統手機)的硬件電路。模擬基帶(abb)語(yǔ)音信號引腳和音頻編解碼器芯片進(jìn)行通信,構成通話(huà)過(guò)程中的語(yǔ)音通道。
從這個(gè)硬件電路的系統架構可以看出,功耗最大的部分包括主處理器、無(wú)線(xiàn)modem、lcd和鍵盤(pán)的背光燈、音頻編解碼器和功率放大器。因此,在設計中,如何降低它們的功耗,是一個(gè)很重要的問(wèn)題。
智能手機的低功耗設計
2 低功耗設計
2.1 降低cpu部分的供電電壓和頻率
在數字集成電路設計中,cmos電路的靜態(tài)功耗很低,與其動(dòng)態(tài)功耗相比基本可以忽略不計,故暫不考慮。其動(dòng)態(tài)功耗計算公式為:
pd=ctv2f (1)
式中:pd為cmos芯片的動(dòng)態(tài)功耗;ct為cmos芯片的負載電容;v為cmos芯片的工作電壓;f為cmos芯片的工作頻率。
由式(1)可知,cmos電路中的功率消耗與電路的開(kāi)關(guān)頻率呈線(xiàn)性關(guān)系,與供電電壓呈二次平方關(guān)系。對于cpu來(lái)說(shuō),vcore電壓越高,時(shí)鐘頻率越快,則功率消耗越大,所以,在能夠正常滿(mǎn)足系統性能的前提下,盡可能選擇低電壓工作的cpu。對于已經(jīng)選定的cpu來(lái)說(shuō),降低供電電壓和工作頻率,能夠在總體功耗上取得較好的效果。
對于主cpu來(lái)說(shuō),內核供電電壓為1.3 v,已經(jīng)很小,而且其全速運行時(shí)的主頻可以完全根據需要進(jìn)行設置,其內部所需的其他各種頻率都是通過(guò)主頻分頻產(chǎn)生。主cpu主頻fcpu計算公式如下:
在coms芯片上,為了防止靜電造成損壞,不用的引腳不能懸空,一般接下拉電阻來(lái)降低輸入阻抗,提供泄荷通路。需要加上拉電阻來(lái)提高輸出電平,從而提高芯片輸入信號的噪聲容限來(lái)增強抗干擾能力。但是在選擇上拉電阻時(shí),
必須要考慮以下幾點(diǎn):
a)從節約功耗及芯片的倒灌電流能力上考慮,上拉電阻應足夠大,以減小電流;
b)從確保足夠的驅動(dòng)電流考慮,上拉電阻應足夠小,以增大電流;
c)在高速電路中,過(guò)大的上拉電阻會(huì )使信號邊沿變得平緩,信號完整性會(huì )變差。
因此,在考慮能夠正常驅動(dòng)后級的情況下(即考慮芯片的vih或vil),盡可能選取更大的阻值,以節省系統的功耗。對于下拉電阻,情況類(lèi)似。
2.2 dpm
dpm(動(dòng)態(tài)電源管理)是在系統運行期間通過(guò)對系統的時(shí)鐘或電壓的動(dòng)態(tài)控制來(lái)達到節省功率的目的,這種動(dòng)態(tài)控制與系統的運行狀態(tài)密切相關(guān),該工作往往通過(guò) 軟件來(lái)實(shí)現[3,4]。
2.2.1 定義不同的工作模式
在硬件架構中智能手機的工作模式與主cpu的工作模式密切相關(guān)。為了降低功耗,主cpu定義了4種工作模式:general clock gating mode;idle mode:sleep mode;stop mode。在主cpu主頻確定的情況下,智能手機中定義了對應的4種工作模式:正常工作模式(normal);空閑模式(idle);睡眠模式 (sleep);關(guān)機模式(off)。各種模式說(shuō)明如下:
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