2~4 GHz波段低噪聲放大器的仿真設計
摘要:利用pHEMT工藝設計了一個(gè)2~4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設計中采用了具有低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、pHEMT技術(shù)設計的ATF-54143晶體管,電路采用二級級聯(lián)放大的結構形式,利用微帶電路實(shí)現輸入輸出和級間匹配,通過(guò)ADS軟件提供的功能模塊和優(yōu)化環(huán)境對電路增益、噪聲系數、駐波比、穩定系數等特性進(jìn)行了研究設計,最終使得該LNA在2~4 GHz波段內增益大于20 dB,噪聲小于1.2 dB,輸出電壓駐波比小于2,達到了設計指標的要求。
關(guān)鍵詞:低噪聲放大器;負反饋網(wǎng)絡(luò );pHEMT;ADS仿真
微波低噪聲放大器作為現代電子通信系統中重要組成器件,對整個(gè)通信接收系統的接收靈敏度和噪聲性能起著(zhù)決定性作用。隨著(zhù)半導體技術(shù)和寬帶無(wú)線(xiàn)通信系統的發(fā)展,低噪聲放大器向著(zhù)更低噪聲系數、更寬工作帶寬和更高輸出功率方向發(fā)展,并逐漸成為設計的熱點(diǎn)。因此,研究設計出高性能的低噪聲放大器具有十分重要的意義。由于高電子遷移率晶體管具有高頻率、低噪聲、大功率等一系列優(yōu)點(diǎn),所以用pHEMT制作的多級低噪聲放大器已廣泛應用于衛星接收系統、電子系統及雷達系統。
1 器件選擇
本文選擇標準元器件庫中pHEMT晶體管、電阻、電容和微帶線(xiàn)等無(wú)源元件作為設計的參數模型進(jìn)行電路設計。由于電路增益要求大于20 dB,單級pHEMT功率增益在10 dB左右,考慮到工作頻率很高,如匹配不當會(huì )造成級間損耗比較嚴重,所以采用二級放大。由于寬帶設計,所以重點(diǎn)對這一頻段的電路結構和參數進(jìn)行設計和優(yōu)化。
寬帶放大器的實(shí)現方案有多種,如反饋式、分布式、有耗匹配式、平衡式以及近年來(lái)出現的級聯(lián)分布式(CSSDA)寬帶放大器等。各種方案有不同的優(yōu)缺點(diǎn)及其應用場(chǎng)合,因為反觸同時(shí)獲得較寬工作帶寬和較好的輸入輸出駐波比,所以饋式寬帶放大器應用較多。但是對于低噪聲放大器的設計而言,阻性反饋網(wǎng)絡(luò )的引入會(huì )使噪聲系數惡化。由于級聯(lián)系統的噪聲系數主要由第一級放大鏈路決定,后級的噪聲系數對系統的噪聲性能影響相對較小??紤]到低噪聲的設計,設計的兩級級聯(lián)放大器中第一級按照最小噪聲系數的原則進(jìn)行設計,實(shí)現拓展低噪聲放大器的工作頻帶;第二級中引入漏極到柵極的負反饋網(wǎng)絡(luò ),從而使得在整個(gè)工作頻段內增益較平坦。
式(2)是二端口放大器的噪聲系數的表達式,其中Ys=Gs+jBs表示呈現在晶體管處的源導納,Yopt表示得出最小噪聲系數的最佳源導納,NFmin表示當YS=Yopt時(shí)獲得的晶體管的最小噪聲系數,RN表示晶體管的等效噪聲電阻,Gs表示源導納的實(shí)部。由式(2)可知,若選擇具有較小的RN值的晶體管,在Ys≠Yopt的條件下,電路整體能夠獲得相對較小的噪聲系數。ATF-54143在VDS=3 V,IDS=40 mA的偏置狀態(tài)下,其在2~4 GHz的頻率范圍內,可獲得較低的噪聲系數和輸入駐波比。
另外考慮到本設計放大器的增益指標要求達到20 dB,所以電路要采用兩級放大器來(lái)實(shí)現。
2 直流偏置以及電路設計
放大器的直流偏置網(wǎng)絡(luò )決定了晶體管的工作狀態(tài),而且對匹配電路的結構有很大影響,需要在電路設計之初就認真考慮。對pHEMT放大器,一種比較常見(jiàn)的偏置方法是:給pHEMT漏級加一個(gè)正電壓,即采取單電源供電方式。本文采用的是圖1所示自偏置結構,柵極通過(guò)微帶線(xiàn)接地,源極接電阻R以獲得高于柵極的電位。該結構的優(yōu)點(diǎn)是采用單電源供電,使電路在使用中更為簡(jiǎn)便。電路要求電源電壓為3.6 V,通過(guò)適當選擇源極電阻R,令源極電位為0.6 V左右。
根據噪聲理論,放大器的噪聲系數主要由第一級放大器的噪聲系數決定,設計第一級放大器的輸入匹配網(wǎng)絡(luò )通常采用最小噪聲系數原則。在設計在級間匹配網(wǎng)絡(luò )時(shí),要使前級輸入阻抗與后級輸出阻抗匹配,同時(shí)后級晶體管獲得較大的增益和較低的噪聲系數。綜合考慮為了獲得較好匹配,通常采用多節微帶線(xiàn)匹配。輸出匹配電路設計主要考慮增益和駐波比,把微波管復數輸出阻抗匹配到負載實(shí)數阻抗。優(yōu)化設計根據此理論,可以實(shí)現很小的噪聲系數同時(shí)兼顧增益。
pa相關(guān)文章:pa是什么
晶體管相關(guān)文章:晶體管工作原理
晶體管相關(guān)文章:晶體管原理
評論