2～4 GHz波段低噪聲放大器的仿真設計
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為了適當改善放大器增益平坦度，在晶體管柵源之間采用負反饋網(wǎng)絡(luò )，一般負反饋網(wǎng)絡(luò )為柵源之間的電感、電阻、電容串聯(lián)網(wǎng)絡(luò )。其中反饋電感的作用是對低頻率段信號進(jìn)行負反饋而對較高頻率段信號影響較小，通過(guò)在反饋支路中串接電感，高頻時(shí)反饋支路阻抗增大，反饋量減少，低頻時(shí)反饋支路阻抗小，反饋量較大。這樣可以拓寬頻帶和改善增益平坦度。負反饋網(wǎng)絡(luò )電路圖如圖2所示。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/185442.htm
3 整體電路以及仿真結果
整體電路的優(yōu)化仍然采用ADS微波設計軟件進(jìn)行。在對電路進(jìn)行仿真時(shí)，應選取廠(chǎng)家提供的模型，這樣才能獲礙和實(shí)際電路最接近的仿真結果。整體電路優(yōu)化后的增益如圖3所示。電路LAN的增益達到20．5 dB。噪聲系數如圖4所示，在2～4 GHz頻段噪聲系數小于1．1 dB。噪聲系數在高頻段惡化的主要原因在于器件寄生的噪聲性能會(huì )隨著(zhù)頻率升高而逐漸惡化。因此，在電路設計時(shí)，需要在各方面與噪聲進(jìn)行折中，取得最優(yōu)結果。輸出駐波比如圖5所示，輸出駐波比為1．8，很好地滿(mǎn)足了設計要求。
4 結論
通過(guò)分析，得到了適用于低噪聲放大器的pHEMT選擇的基本原則。電路采用二級級聯(lián)結構，利用微帶電路實(shí)現匹配，并運用EDA軟件對電路進(jìn)行優(yōu)化。最后仿真結果顯示，該電路在2～4 GHz頻段內，可達到20 dB以上增益；噪聲系數小于1．2 dB。該電路滿(mǎn)足接收前端對LNA提出的要求，具有廣闊應用前景。
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