雙晶體管正激有源鉗位軟開(kāi)關(guān)電源的設計
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雙晶正激有源鉗位軟開(kāi)關(guān)電源還有另一種結構，如圖8所示。其結構與圖1所示的雙晶正激有源鉗位軟開(kāi)關(guān)電源基本相似，只鉗位開(kāi)關(guān)管VTR3以及鉗位電容CR3設置在副邊，鉗位電容CR3一端與變壓器的同名端相連，另一端與鉗位開(kāi)關(guān)管VTR3的D極相連，鉗位開(kāi)關(guān)管VTR3的S極與變壓器的異名端相連，請參閱圖8。其工作原理同在初級鉗位相差不多，這里不再講述。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/181231.htm
2 實(shí)際波形結果
我們實(shí)際用一般雙晶體管正激的產(chǎn)品經(jīng)過(guò)改進(jìn)，將其調整為上述的有源鉗位方式，其實(shí)際的雙晶體管工作波形如圖9～圖12所示。
從以上實(shí)際的波形來(lái)看，兩個(gè)晶體管的UDS電壓比原來(lái)的硬開(kāi)關(guān)低了不少，有利于設計中選擇MOSFET開(kāi)關(guān)管，同時(shí)選擇一樣規格的材料其電壓余量提高不少，增加了產(chǎn)品可靠度。另外從圖中我們很明顯的可以看出在MOSFET的導通與關(guān)斷基本是零電壓導通與關(guān)斷，降低了開(kāi)關(guān)損耗。同時(shí)對電磁兼容也有很大的好處。
圖13為次級變壓器+12V輸出繞組波形。
從這個(gè)波形圖我們可以看到正向電壓39V，負向電壓26V，占空比為0．42。所以次級整流部分的組件耐壓可以比原本的規格降下來(lái)很多，這對效率提升有很大的好處。
3 結束語(yǔ)
本文介紹的線(xiàn)路目前已經(jīng)在實(shí)際運用中得到驗證，它充分體現了文中講述的幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)，對于材料選用余量，產(chǎn)品效率提升起到了很大的好處。運用這個(gè)線(xiàn)路做的大功率服務(wù)器電源1000W實(shí)例目前不僅滿(mǎn)足了80PLUS銀牌的標準，再在二次輸出整流及材料選擇上稍加改善，完全可以達到金牌的標準。所以此線(xiàn)路可讓廣大電源設計者在線(xiàn)路選擇上多一個(gè)有益的方案。
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