疊柵MOSFETs的結構設計與研究

2．2 電容特性
就疊柵MOSFET而言，它的柵電容是G1和G2混聯(lián)后的電容，所以不能用單柵MOSFET柵電容的計算方法來(lái)計算疊柵結構。注意到兩種結構的MOSFET除了柵結構不同外，其它參數都相同，我們可以利用單柵MOSFET的單位柵氧化層電容Cox來(lái)求解疊柵結構柵氧化層電容。
單柵長(cháng)溝道MOSFET的閾值表達式如式(1)所示

疊柵MOSFET的閾值電壓與單柵NMOS的閾值電壓之差。這樣我們就得到了疊柵MOSFET單位面積柵氧電容的表達式。
求解時(shí)用的還是表1的摻雜濃度，并且用到表2所得仿真結果。計算的具體值時(shí)，我們取表2長(cháng)溝道時(shí)△VT(L=1．6μm)，可得△VT=1．08V。而在長(cháng)溝道的條件下單柵NMOS單位面積的柵氧化層電容

柵氧厚度tox=2．O×10-6cm(與模擬時(shí)所用的值保持一致)，這樣就能得出

與普通單柵NMOS相比，減少了27％，模擬結果與計算值基本一致。

3 結論
本文提出了部分疊柵結構的MOSFETs的基本結構，分析了它們的柵電容、寄生電容等方面的優(yōu)點(diǎn)，以及對短溝道效應的顯著(zhù)抑制效果。接著(zhù)用MEDICI仿真驗證了理論分析結果，說(shuō)明了疊柵MOSFET的優(yōu)越性，可用作射頻電路的MOSFE。