中心頻率可調的高線(xiàn)性度帶通濾波器設計
0 引言
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/179502.htm常見(jiàn)的片內濾波器的設計帶寬都上兆赫茲,而幾十千赫茲帶寬的濾波器大多采用片外無(wú)源器件來(lái)實(shí)現。原因是低頻濾波器的時(shí)間常數巨大,在芯片內占據大量的芯片面積。
在片內實(shí)現巨大時(shí)間常數的通常辦法是采取大電阻小電容結合方式。因為大電阻可利用開(kāi)關(guān)電容技術(shù)來(lái)實(shí)現。以前采用開(kāi)關(guān)電容技術(shù)實(shí)現的濾波器有兩個(gè)明顯缺陷:其一是開(kāi)關(guān)電容在信號通路中會(huì )引入大量噪聲,從而直接導致濾波器的線(xiàn)性度不高;其二是開(kāi)關(guān)電容的時(shí)鐘頻率必須和后續的ADC頻率嚴格一致,否則會(huì )導致丟碼。
本文仍采用開(kāi)關(guān)電容技術(shù),但不放在信號通路中,而是將其放到控制電路中。其主通路中的電阻采用R-MOS結構,阻值可由控制電路精確調節。這樣既利用了開(kāi)關(guān)電容可精確實(shí)現大電阻的功能,也消除了前面提到的2個(gè)缺陷,故可實(shí)現連續時(shí)間濾波器較高的線(xiàn)性度。
1 濾波器結構
該濾波器的整體結構如圖l所示。圖中,,,整體結構共3級,每一級為High-Q Opamp-R-C的二階帶通濾波器,通過(guò)級聯(lián)形成一個(gè)6階的Chebvshev I型濾波器。濾波器的整體傳遞函數如下:
由于該電阻的值隨PVT的變化很大,因此,為了使濾波器的頻響特性不受PVT變化的影響,則要求電阻值不隨PVT變化。為此,需要討論如何保證電阻值不隨PVT改變而改變。
2 精確電阻處理
精確電阻由控制電路部分實(shí)現,其控制電路結構如圖2所示。其中開(kāi)關(guān)S1和S2可由兩相不交疊時(shí)鐘φ1和φ2分別控制,以對電容進(jìn)行周期性充放電,從而使等效電阻;MOS管M工作在線(xiàn)性區,其電阻如下:
通過(guò)RM和R可得到Ri的值。當Ri>Req,積分器呈正積分特性,運放的輸出電壓增大,VGS變大,RM變小,Ri變小。
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