性能優(yōu)良的混合雙路驅動(dòng)器集成電路
主要參數選擇如下。
1)RTD的選擇 在一些特定電路中,需要更長(cháng)的內部互鎖時(shí)間,可通過(guò)在腳RTD外接電阻來(lái)實(shí)現。由兩個(gè)外接電阻RTD設置信號延遲時(shí)間,電阻接在引腳RTD和VS之間,其典型時(shí)間tTD=2.7+0.13RTD,RTD100kΩ。式中,RTD單位為kΩ。
2)RCE、CCE的選擇
VCEstat的選擇如圖5所示。
圖 5 VCEstat與RCE的 關(guān) 系 曲 線(xiàn)
計算RCE(RCE>10kΩ)的公式為
VCEstat=[9RCE(kΩ)-25]/[10+RCE(kΩ)]
式中:VCEstat的單位為V。
tmin(tmin10μs)的選擇
根據公式計算CCE(CCEmax=2.7nF)
tmin=CCE(nF)[10RCE(kΩ)/(10+RCE)]×ln[(15-VCEstat(V))/(10-VCEstat)]
典型參數:RTD=0,RCE=24kΩ,CCE=330pF,VCEstat=5.6V,tmin=1.75μs。
3)RON、ROFF的選擇 外接電阻RON用于設置IGBT開(kāi)啟速度,RON越大,開(kāi)啟速度越低,且續流二極管反向恢復峰值電流減??;外接電阻ROFF用于設置IGBT關(guān)斷速度,ROFF越大,關(guān)斷越慢,且寄生電感兩端電壓也下降。典型值:RONmin=3.3Ω,ROFFmin=3.3Ω。
4)IGBT模塊過(guò)溫保護電路的連接模塊溫度監控可由ERROR端與GND端連接雙金屬熱保護器來(lái)實(shí)現。超過(guò)標定溫度時(shí),保護器觸點(diǎn)打開(kāi),使ERROR端有錯誤信號輸出。
5 結語(yǔ)
實(shí)踐證明,SKHI21/SKHI22確實(shí)是一款性能優(yōu)良的混合雙路IGBT或MOSFET驅動(dòng)器集成電路。
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