基于新型器件STIL的浪涌電流限制電路（ICLC）設計

將C1=330nF和fs(max)=350kHz代入式（5）得R3=0.29Ω，選擇R3=0.33Ω的標準電阻。

4）R1和R2的選擇

R1和R2用作平衡STIL02兩個(gè)單向開(kāi)關(guān)的引導控制電流。R1和R2不應超過(guò)式（6）確定數值，即

R1=R2≤（6）

將已知數據代入式（6）得R1=R2=854Ω，選擇R1=R2=820Ω。

5）電容器C3的選擇

當PFC電路在A(yíng)C線(xiàn)路電壓接近零時(shí)大約1ms的時(shí)間內不工作時(shí)，要求C3仍能為STIL02提供足夠的能量，則C3應不低于式（7）確定的容值，即

C3≥（7）

式中：死區時(shí)間tdead=1ms。

根據式（7）計算的結果，C3≥8.2μF。

當AC線(xiàn)路電壓過(guò)低持續時(shí)間tbrownout結束之前，為激活浪涌電流限制功能，STIL02中的開(kāi)關(guān)應當斷開(kāi)。這就要求C3容值應不超過(guò)式（8）確定的數值，即

C3≤（8）

通常選擇tbrownout=20ns。由于R1=820Ω，C1=220nF，因此C3≤16μF。

根據式（7）和式（8）計算的結果，可以選擇C3=10μF，便可以滿(mǎn)足tdead和tbrownout兩個(gè)條件。

6）二極管D1和D2的選擇

二極管D1和D2通過(guò)的電流都較小，所施加的反向電壓也不高，選擇BA149足可以滿(mǎn)足要求。

3 結語(yǔ)

基于半可控整流橋（HCRB）拓撲結構的STIL器件，與NTC熱敏元件等組成浪涌電流限制電路（ICLC）具有諸多優(yōu)點(diǎn)。事實(shí)上，STIL中的單向開(kāi)關(guān)，是采用專(zhuān)門(mén)ASDTM工藝集成的高性能SCR，在其控制極電流（Igt）、dv/dt和反向漏電流（Ik）三個(gè)參數之間實(shí)現了較理想的折衷。這種單向開(kāi)關(guān)的反向功耗是傳統HCRB電路中使用的分立非靈敏SCR（觸發(fā)電流為幾個(gè)mA）反向功耗（約900mW）的1/100，抗瞬態(tài)電壓沖擊能力（dv/dt）比靈敏SCR（觸發(fā)電流為幾十μA，dv/dt僅約10V/μs）高50～100倍。與獨立使用NTC熱敏電阻比較，功率損耗大大地降低。當STIL用于80W變換器時(shí)，效率比單獨使用NTC熱敏電阻約提高1.5％。