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EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設計應用 > 電源設備可靠性的研討

電源設備可靠性的研討

作者: 時(shí)間:2011-03-27 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

——GM:地面移動(dòng)式和便攜式的環(huán)境。劣于地面固定式的條件,主要是沖擊振動(dòng)。通風(fēng)冷卻可能受限制,只能進(jìn)行簡(jiǎn)易維修。

上述環(huán)境條件下的環(huán)境系數πE如表5所列:

表5環(huán)境系數πE

元器件類(lèi)型GBGFNSGM 
集成電路0.21.04.04.0說(shuō)明:λp=λb·πE式中:

λp實(shí)際使用中的

失效率λb基本

失效率πE環(huán)境系數

電位器1.02.05.07.0
功率型薄膜電阻器1.05.07.512.0
電容器紙和塑料膜1.02.04.04.0
陶瓷1.02.04.04.0
鋁電介1.02.012.012.0
變壓器1.02.05.03.0
繼電器軍用1.02.0910
下等質(zhì)量2.04.02430
開(kāi)關(guān)0.31.01.25.0
接插件軍用1.04.04.08.0
下等質(zhì)量10161216
從表5可以看出:使用環(huán)境對元器件的失效率影響極大,GM和GB相比失效率要高出4~10倍。環(huán)境條件的改善往往受使用場(chǎng)合的限制。在設計和生產(chǎn)中比較容易做得到的就是重視和盡量加強通風(fēng)冷卻。

過(guò)高的環(huán)境溫度對元器件的非常有害:

(1)半導體器件(含各種集成電路和二極管,三極管)

例如硅三極管以PD/PR=0.5設計(PD:使用功率,PR:額定功率),則環(huán)境溫度對的影響,如表6所列。

表6環(huán)境溫度對半導體器件的影響

環(huán)境溫度Ta[℃]205080
失效率λ[1/109h]500250015000
(2)電容器(以固體鉭電容器為例)

以UD/UR=0.6設計(UD:使用電壓,UR:額定電壓),則環(huán)境溫度對可靠性的影響如表7所列。

表7環(huán)境溫度對電容器可靠性的影響

環(huán)境溫度Ta[℃]205080
失效率λ[1/109h]52570
(3)碳膜電阻器

以PD/PR=0.5設計,則環(huán)境溫度對可靠性的影響如表8所列。

表8環(huán)境溫度對碳膜電阻器可靠性的影響

環(huán)境溫度Ta[℃]205080
失效率λ[1/109h]124
德國的研究報告指出,SK?2型彩色電視機,經(jīng)過(guò)合理地設計通風(fēng)冷卻條件,使機內溫度降低了10℃左右,結果平均無(wú)故障工作時(shí)間MTBF增加2倍,顯著(zhù)地改善了可靠性。美國“民兵”洲際導彈的電子系統把環(huán)境溫度嚴格限制于≤40℃。達到了明顯降低失效率的目的。

可見(jiàn),加強通風(fēng)冷卻十分有益于電子系統的可靠性。國內有些部門(mén)(如鐵路)要求系統有很高的可靠性,又明令不許使用風(fēng)扇進(jìn)行強迫通風(fēng)冷卻。結果不僅設備成本提高,可靠性也難以真正保證,人為地造成了許多問(wèn)題。其實(shí),現在優(yōu)質(zhì)的風(fēng)扇可以保證50000~60000h的使用壽命(相當于連續運行6年以上)。更換風(fēng)扇比其他部件的維修也省力省時(shí)得多。只要在系統設計條件中,規定風(fēng)扇即使不工作,設備依然可以長(cháng)期正常運行。那么,加強通風(fēng)冷卻,絕對有利于可靠性,何樂(lè )而不為!

3?3減小元器件的負荷率是改善失效率的捷徑

元器件實(shí)際工作中的負荷率和失效率之間存在著(zhù)直接的關(guān)系。因而,元器件的類(lèi)型,數值確定以后,應從可靠性的角度來(lái)選擇元器件必須滿(mǎn)足的額定值。如半導體器件的額定功率、額定電壓、額定電流,電容器的額定電壓,電阻器的額定功率等等。

(1)硅半導體器件

環(huán)境溫度Ta=50℃,PD/PR對頻率的影響如表9所列。

表9PD/PR對硅半導體器件失效率的影響

PD/PR00.20.30.40.50.60.70.8
λ[1/109h]3050150700250070002000070000
由表9可知,當PD/PR=0.8時(shí),失效率比0.2時(shí)增加了1000倍以上。

(2)電容器

英國曾發(fā)表電容器失效率λ正比于工作電壓的5次方的資料,稱(chēng)為“五次方定律”,即λ∝U5。

當U=UR/2,

λ=λR/25=λR/32(λR為額定失效率)

當U=0.8UR=UR/1.25,

λ=λR/(1.25)5=λR/3.05

當電容器工作電壓降低到額定值的50%時(shí),失效率可以減小32倍之多。

(3)碳膜電阻器

環(huán)境溫度Ta=50℃,美國于上世紀70年代實(shí)際使用的軍品數據如表10所列。

表10PD/PR對碳膜電阻器失效率的影響

PD/PR00.20.40.60.81.0
λ[1/109h]0.250.51.22.54.07.0
由表10可知,當PD/PR=0.8時(shí),失效率比0.2時(shí)增加了8倍。

以上數據表明為了保證可靠性,必須減小元器件的負荷率。例如:美國“民兵”洲際導彈的電子系統規定元器件的負荷率為0.2。

實(shí)際使用中的經(jīng)驗數據為:

——半導體元器件負荷率應在0.3左右;

——電容器負荷率(工作電壓和額定電壓之比)最好在0.5左右,一般不要超過(guò)0.8;

——電阻器、電位器、負荷率≤0.5。

總之,對各種元器件的負荷率只要有可能,一般應保持在≤0.3。不得已時(shí),通常也應≤0.5。

3?4簡(jiǎn)化電路,減少元器件的數量,盡量集成化,認真選用高可靠性的元器件,是提高可靠性的最基本思路

電子系統可靠度

R=R1·R2·R3……RN(0≤R≤1)。

電子系統的失效率

λ=n1·λ1+n2·λ2+n3·λ3……nN·λN.(λ≥0)

顯然,元器件數量越多越不可靠。

假如每個(gè)元器件Ri=0.999,共有5000個(gè)元器件,則R=0.9995000=0.01,顯然極不可靠。

若元器件數量減到1800個(gè),則R=0.9991800=0.19。說(shuō)明如能做到元器件減少64%,可靠度將增加19倍。

因而應盡量采用集成化的器件。如一只集成電路可以代替成千上萬(wàn)只半導體三極管和二極管等器件,從而極大地提高了可靠性。

還應注意到選用高可靠性的元器件類(lèi)型和品質(zhì)檔次的重要意義。例如功能相似的電容器,云母介質(zhì)的失效率就要比玻璃或陶瓷介質(zhì)的低30倍左右。同類(lèi)的元器件,不同品質(zhì)檔次,如軍品和民品,上等質(zhì)量和下等質(zhì)量,在同樣的功能和條件下,失效率也會(huì )差3~10倍,選用應慎之又慎。

可以說(shuō),在保證相同功能和使用環(huán)境的條件下,越簡(jiǎn)化的電路,越少的元器件,系統就越可靠。

例如:某公司1000VA高品質(zhì)交流參數穩壓電源,使用于GM環(huán)境條件(移動(dòng),車(chē)載,通風(fēng)不理想,不便維修)。也能保證MTBF≥20萬(wàn)h。主要原因就是電路簡(jiǎn)單,元器件數量少。整臺電源只包括:

——特種變壓器1只

基本失效率為λ1=300×10-9/h。

——金屬化薄膜電容器2只

基本失效率為λ0=830×10-9/h。

電容器負荷率為0.8。所以,

λ2=(830/3.05)×10-9/h。

——焊接點(diǎn)20個(gè)

基本失效率為λ3=5.7×10-9/h。

因而:λΣ=λ1+2λ2+20λ3

=[300+544+114]×10-9/h

=958×10-9/h。

使用于GM環(huán)境條件,平均πE=4,

λΣP=λΣ·πE=3832×10-9/h。

平均無(wú)故障工作時(shí)間

MTBF=1/λΣP=(1/3832)×109/h

=26×104h=26萬(wàn)h

≥20萬(wàn)h。

年可靠度:P=1/eλΣP·8760=0.967=96.7%

故障率:F=1-P=3.3%

公司長(cháng)期生產(chǎn)實(shí)踐的統計數字也證明,該類(lèi)電源的MTBF≥20萬(wàn)h。

當然,使用在其他環(huán)境條件,可靠性會(huì )更好。

3?5重視元器件的老化工作減少系統的早期失效率

元器件、設備、系統的失效率在整個(gè)使用壽命中并非是恒定不變的常數,通常存在著(zhù)如圖4所示的“浴盆曲線(xiàn)”。

(1)早期通常早期失效率會(huì )比穩定期的失效率高得多。造成失效的原因是元器件制造過(guò)程中的缺陷和裝機的差錯或不完善的連接點(diǎn)或元器件出廠(chǎng)時(shí)漏檢的不合格產(chǎn)品混入所致。因而一定要先使設備運行一個(gè)時(shí)期,進(jìn)行老化,使早期失效問(wèn)題暴露在生產(chǎn)廠(chǎng)老化期間。給用戶(hù)提供的是已進(jìn)入穩定期的可靠產(chǎn)品。

圖4失效率與時(shí)間的關(guān)系曲線(xiàn)

老化的時(shí)間,日本的民用產(chǎn)品(如電視機)一般不小于8h。而美國宇宙飛船規定每個(gè)元器件裝上飛船之前老化50h,裝上飛船以后,又老化250h,共300h。以淘汰有隱患的元器件,保證工作可靠性。實(shí)際工作中,對可靠性要求較高的設備老化時(shí)間確定在20~50h較為合適。

(2)穩定期此時(shí)失效率λ近于常數,用作正常使用期。也可根據失效率λ來(lái)預算設備的其他可靠性指標。通常,在較好的使用環(huán)境中,如果一旦出現故障能得到及時(shí)和正確的維修,則電子系統的穩定期應不短于6~8年。

(3)磨損期設備使用的壽命末期,由于元器件的材料老化變質(zhì),或設備的氧化腐蝕、機械磨損、疲勞等原因造成。失效率λ將逐步增加,進(jìn)入不可靠的使用期。磨損期出現的具體時(shí)間,受各種因素影響,很不一致。設計合理,元器件質(zhì)量選擇較嚴,環(huán)境條件不太惡劣的設備磨損期出現的時(shí)間會(huì )晚得多。

4結論

保證設備的可靠性是一個(gè)復雜的涉及廣泛知識領(lǐng)域的系統工程。只有給予充分的重視和認真采取各種技術(shù)措施,才會(huì )有滿(mǎn)意的成果。其基本點(diǎn)為:

(1)高可靠度的復雜系統,一定要采用并聯(lián)系統

的可靠性模型。系統內保有足夠冗余度的備份單元,可以進(jìn)行自動(dòng)或手動(dòng)切換。如果功能上允許,冷備份單元切換,較熱備份單元切換,更能保證長(cháng)期工作的可靠性。

(2)任何電子系統都不可能100%地可靠。設計

中應盡量采用便于離機維修的模塊式結構,并預先保留必要數量(通常為5%)的備件。以便盡量縮短平均維修時(shí)間MTTR。使有效度A近于100%。

(3)加強通風(fēng)冷卻,改善使用環(huán)境是成倍提高可

靠性的最簡(jiǎn)便和最經(jīng)濟的方法。

(4)簡(jiǎn)化電路,減少元器件的數量,減輕元器件的

負荷率,選用高可靠的元器件是保證系統高可靠的基礎。

(5)重視設備老化工作,減少系統早期失效率。

相信,通過(guò)精心設計,認真生產(chǎn),嚴格質(zhì)檢,及時(shí)維修,完全可以使電子系統(含)達到十分接近于100%的可靠度。滿(mǎn)足國防,科研,工業(yè)等各方面的需求,并進(jìn)而走向世界。


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