電源設備可靠性的研討
——GM:地面移動(dòng)式和便攜式的環(huán)境。劣于地面固定式的條件,主要是沖擊振動(dòng)。通風(fēng)冷卻可能受限制,只能進(jìn)行簡(jiǎn)易維修。
上述環(huán)境條件下的環(huán)境系數πE如表5所列:
表5環(huán)境系數πE
元器件類(lèi)型 | GB | GF | NS | GM | ||
---|---|---|---|---|---|---|
集成電路 | 0.2 | 1.0 | 4.0 | 4.0 | 說(shuō)明:λp=λb·πE式中: λp實(shí)際使用中的 失效率λb基本 失效率πE環(huán)境系數 | |
電位器 | 1.0 | 2.0 | 5.0 | 7.0 | ||
功率型薄膜電阻器 | 1.0 | 5.0 | 7.5 | 12.0 | ||
電容器 | 紙和塑料膜 | 1.0 | 2.0 | 4.0 | 4.0 | |
陶瓷 | 1.0 | 2.0 | 4.0 | 4.0 | ||
鋁電介 | 1.0 | 2.0 | 12.0 | 12.0 | ||
變壓器 | 1.0 | 2.0 | 5.0 | 3.0 | ||
繼電器 | 軍用 | 1.0 | 2.0 | 9 | 10 | |
下等質(zhì)量 | 2.0 | 4.0 | 24 | 30 | ||
開(kāi)關(guān) | 0.3 | 1.0 | 1.2 | 5.0 | ||
接插件 | 軍用 | 1.0 | 4.0 | 4.0 | 8.0 | |
下等質(zhì)量 | 10 | 16 | 12 | 16 |
過(guò)高的環(huán)境溫度對元器件的可靠性非常有害:
(1)半導體器件(含各種集成電路和二極管,三極管)
例如硅三極管以PD/PR=0.5設計(PD:使用功率,PR:額定功率),則環(huán)境溫度對可靠性的影響,如表6所列。
表6環(huán)境溫度對半導體器件可靠性的影響
環(huán)境溫度Ta[℃] | 20 | 50 | 80 |
---|---|---|---|
失效率λ[1/109h] | 500 | 2500 | 15000 |
以UD/UR=0.6設計(UD:使用電壓,UR:額定電壓),則環(huán)境溫度對可靠性的影響如表7所列。
表7環(huán)境溫度對電容器可靠性的影響
環(huán)境溫度Ta[℃] | 20 | 50 | 80 |
---|---|---|---|
失效率λ[1/109h] | 5 | 25 | 70 |
以PD/PR=0.5設計,則環(huán)境溫度對可靠性的影響如表8所列。
表8環(huán)境溫度對碳膜電阻器可靠性的影響
環(huán)境溫度Ta[℃] | 20 | 50 | 80 |
---|---|---|---|
失效率λ[1/109h] | 1 | 2 | 4 |
可見(jiàn),加強通風(fēng)冷卻十分有益于電子系統的可靠性。國內有些部門(mén)(如鐵路)要求系統有很高的可靠性,又明令不許使用風(fēng)扇進(jìn)行強迫通風(fēng)冷卻。結果不僅設備成本提高,可靠性也難以真正保證,人為地造成了許多問(wèn)題。其實(shí),現在優(yōu)質(zhì)的風(fēng)扇可以保證50000~60000h的使用壽命(相當于連續運行6年以上)。更換風(fēng)扇比其他部件的維修也省力省時(shí)得多。只要在系統設計條件中,規定風(fēng)扇即使不工作,設備依然可以長(cháng)期正常運行。那么,加強通風(fēng)冷卻,絕對有利于可靠性,何樂(lè )而不為!
3?3減小元器件的負荷率是改善失效率的捷徑
元器件實(shí)際工作中的負荷率和失效率之間存在著(zhù)直接的關(guān)系。因而,元器件的類(lèi)型,數值確定以后,應從可靠性的角度來(lái)選擇元器件必須滿(mǎn)足的額定值。如半導體器件的額定功率、額定電壓、額定電流,電容器的額定電壓,電阻器的額定功率等等。
(1)硅半導體器件
環(huán)境溫度Ta=50℃,PD/PR對頻率的影響如表9所列。
表9PD/PR對硅半導體器件失效率的影響
PD/PR | 0 | 0.2 | 0.3 | 0.4 | 0.5 | 0.6 | 0.7 | 0.8 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
λ[1/109h] | 30 | 50 | 150 | 700 | 2500 | 7000 | 20000 | 70000 |
(2)電容器
英國曾發(fā)表電容器失效率λ正比于工作電壓的5次方的資料,稱(chēng)為“五次方定律”,即λ∝U5。
當U=UR/2,
λ=λR/25=λR/32(λR為額定失效率)
當U=0.8UR=UR/1.25,
λ=λR/(1.25)5=λR/3.05
當電容器工作電壓降低到額定值的50%時(shí),失效率可以減小32倍之多。
(3)碳膜電阻器
環(huán)境溫度Ta=50℃,美國于上世紀70年代實(shí)際使用的軍品數據如表10所列。
表10PD/PR對碳膜電阻器失效率的影響
PD/PR | 0 | 0.2 | 0.4 | 0.6 | 0.8 | 1.0 |
---|---|---|---|---|---|---|
λ[1/109h] | 0.25 | 0.5 | 1.2 | 2.5 | 4.0 | 7.0 |
以上數據表明為了保證可靠性,必須減小元器件的負荷率。例如:美國“民兵”洲際導彈的電子系統規定元器件的負荷率為0.2。
實(shí)際使用中的經(jīng)驗數據為:
——半導體元器件負荷率應在0.3左右;
——電容器負荷率(工作電壓和額定電壓之比)最好在0.5左右,一般不要超過(guò)0.8;
——電阻器、電位器、負荷率≤0.5。
總之,對各種元器件的負荷率只要有可能,一般應保持在≤0.3。不得已時(shí),通常也應≤0.5。
3?4簡(jiǎn)化電路,減少元器件的數量,盡量集成化,認真選用高可靠性的元器件,是提高可靠性的最基本思路
電子系統可靠度
R=R1·R2·R3……RN(0≤R≤1)。
電子系統的失效率
λ=n1·λ1+n2·λ2+n3·λ3……nN·λN.(λ≥0)
顯然,元器件數量越多越不可靠。
假如每個(gè)元器件Ri=0.999,共有5000個(gè)元器件,則R=0.9995000=0.01,顯然極不可靠。
若元器件數量減到1800個(gè),則R=0.9991800=0.19。說(shuō)明如能做到元器件減少64%,可靠度將增加19倍。
因而應盡量采用集成化的器件。如一只集成電路可以代替成千上萬(wàn)只半導體三極管和二極管等器件,從而極大地提高了可靠性。
還應注意到選用高可靠性的元器件類(lèi)型和品質(zhì)檔次的重要意義。例如功能相似的電容器,云母介質(zhì)的失效率就要比玻璃或陶瓷介質(zhì)的低30倍左右。同類(lèi)的元器件,不同品質(zhì)檔次,如軍品和民品,上等質(zhì)量和下等質(zhì)量,在同樣的功能和條件下,失效率也會(huì )差3~10倍,選用應慎之又慎。
可以說(shuō),在保證相同功能和使用環(huán)境的條件下,越簡(jiǎn)化的電路,越少的元器件,系統就越可靠。
例如:某公司1000VA高品質(zhì)交流參數穩壓電源,使用于GM環(huán)境條件(移動(dòng),車(chē)載,通風(fēng)不理想,不便維修)。也能保證MTBF≥20萬(wàn)h。主要原因就是電路簡(jiǎn)單,元器件數量少。整臺電源只包括:
——特種變壓器1只
基本失效率為λ1=300×10-9/h。
——金屬化薄膜電容器2只
基本失效率為λ0=830×10-9/h。
電容器負荷率為0.8。所以,
λ2=(830/3.05)×10-9/h。
——焊接點(diǎn)20個(gè)
基本失效率為λ3=5.7×10-9/h。
因而:λΣ=λ1+2λ2+20λ3
=[300+544+114]×10-9/h
=958×10-9/h。
使用于GM環(huán)境條件,平均πE=4,
λΣP=λΣ·πE=3832×10-9/h。
平均無(wú)故障工作時(shí)間
MTBF=1/λΣP=(1/3832)×109/h
=26×104h=26萬(wàn)h
≥20萬(wàn)h。
年可靠度:P=1/eλΣP·8760=0.967=96.7%
故障率:F=1-P=3.3%
公司長(cháng)期生產(chǎn)實(shí)踐的統計數字也證明,該類(lèi)電源的MTBF≥20萬(wàn)h。
當然,使用在其他環(huán)境條件,可靠性會(huì )更好。
3?5重視元器件的老化工作減少系統的早期失效率
元器件、設備、系統的失效率在整個(gè)使用壽命中并非是恒定不變的常數,通常存在著(zhù)如圖4所示的“浴盆曲線(xiàn)”。
(1)早期通常早期失效率會(huì )比穩定期的失效率高得多。造成失效的原因是元器件制造過(guò)程中的缺陷和裝機的差錯或不完善的連接點(diǎn)或元器件出廠(chǎng)時(shí)漏檢的不合格產(chǎn)品混入所致。因而一定要先使設備運行一個(gè)時(shí)期,進(jìn)行老化,使早期失效問(wèn)題暴露在生產(chǎn)廠(chǎng)老化期間。給用戶(hù)提供的是已進(jìn)入穩定期的可靠產(chǎn)品。
圖4失效率與時(shí)間的關(guān)系曲線(xiàn)
老化的時(shí)間,日本的民用產(chǎn)品(如電視機)一般不小于8h。而美國宇宙飛船規定每個(gè)元器件裝上飛船之前老化50h,裝上飛船以后,又老化250h,共300h。以淘汰有隱患的元器件,保證工作可靠性。實(shí)際工作中,對可靠性要求較高的設備老化時(shí)間確定在20~50h較為合適。
(2)穩定期此時(shí)失效率λ近于常數,用作正常使用期。也可根據失效率λ來(lái)預算設備的其他可靠性指標。通常,在較好的使用環(huán)境中,如果一旦出現故障能得到及時(shí)和正確的維修,則電子系統的穩定期應不短于6~8年。
(3)磨損期設備使用的壽命末期,由于元器件的材料老化變質(zhì),或設備的氧化腐蝕、機械磨損、疲勞等原因造成。失效率λ將逐步增加,進(jìn)入不可靠的使用期。磨損期出現的具體時(shí)間,受各種因素影響,很不一致。設計合理,元器件質(zhì)量選擇較嚴,環(huán)境條件不太惡劣的設備磨損期出現的時(shí)間會(huì )晚得多。
4結論
保證設備的可靠性是一個(gè)復雜的涉及廣泛知識領(lǐng)域的系統工程。只有給予充分的重視和認真采取各種技術(shù)措施,才會(huì )有滿(mǎn)意的成果。其基本點(diǎn)為:
(1)高可靠度的復雜系統,一定要采用并聯(lián)系統
的可靠性模型。系統內保有足夠冗余度的備份單元,可以進(jìn)行自動(dòng)或手動(dòng)切換。如果功能上允許,冷備份單元切換,較熱備份單元切換,更能保證長(cháng)期工作的可靠性。
(2)任何電子系統都不可能100%地可靠。設計
中應盡量采用便于離機維修的模塊式結構,并預先保留必要數量(通常為5%)的備件。以便盡量縮短平均維修時(shí)間MTTR。使有效度A近于100%。
(3)加強通風(fēng)冷卻,改善使用環(huán)境是成倍提高可
靠性的最簡(jiǎn)便和最經(jīng)濟的方法。
(4)簡(jiǎn)化電路,減少元器件的數量,減輕元器件的
負荷率,選用高可靠的元器件是保證系統高可靠的基礎。
(5)重視設備老化工作,減少系統早期失效率。
相信,通過(guò)精心設計,認真生產(chǎn),嚴格質(zhì)檢,及時(shí)維修,完全可以使電子系統(含電源設備)達到十分接近于100%的可靠度。滿(mǎn)足國防,科研,工業(yè)等各方面的需求,并進(jìn)而走向世界。
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