基于A(yíng)tlas的MFIS結構器件電學(xué)性能模擬
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3 結果與討論
3．1 應用電壓對MFIS結構器件的影響
應用電壓的大小不僅能影響鐵電存儲器的存儲能力及穩定性，還會(huì )影響到其與半導體集成電路的兼容性。圖2中給出了不同應用電壓下MFIS器件的C—V特性及記憶窗口。絕緣層為CeO2，應用電壓從2V增加到5 V。由圖中可以看出，由于鐵電層的極化行為，MFIS器件的C—V曲線(xiàn)在不同的掃描電壓方向上出現平移，呈現順時(shí)針的回線(xiàn)狀，并且其寬度隨應用電壓的增加逐漸變寬。MFIS器件的記憶窗口隨應用電壓的增加而逐漸增大，并在8 V時(shí)達到飽和。記憶窗口的大小直接影響著(zhù)MFIS器件的穩定性。在較小的記憶窗口下，存儲器的“0”和“1”兩個(gè)邏輯態(tài)容易出現混淆，導致數據存取失敗，因此適當增加應用電壓，有利于提高M(jìn)FIS器件的存儲穩定性。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/178893.htm
3．2 絕緣層厚度對MFIS結構器件的影響
MFIS器件絕緣層的厚度會(huì )影響到MFIS結構的性能。圖3中給出了不同絕緣層厚度下MFIS器件的C—V特性及記憶窗口。器件的應用電壓為5 V，絕緣層采用CeO2，厚度從1 nm增加到5 nm。從圖中可以看出，在一定的應用電壓下，MFIS器件的C—V曲線(xiàn)隨絕緣層厚度的增加變窄，記憶窗口隨之減小，這與文獻中報道的絕緣層厚度對MFIS器件電學(xué)性能的影響一致。這可以由加在鐵電層上的有效電場(chǎng)進(jìn)行解釋。鐵電層上的有效電場(chǎng)Ef為
其中，CG為應用電壓；εf和εi為鐵電層和絕緣層的相對介電常數。顯然，鐵電層上的有效電場(chǎng)隨著(zhù)絕緣層厚度的增加而減小，從而導致鐵電層逐漸遠離飽和狀態(tài)，使得電容器的記憶窗口減小。
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